Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 8 (2016) | БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ В ОБЪЕМНОМ КРЕМНИИ И ПО ТЕХНОЛОГИИ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ш. Ибрагим, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... биполярного транзистора с изолированным затвором (БТИЗ), сформированного в стандартном кремнии и по технологии ..." | ||
| Том 22, № 6 (2024) | Конструктивные решения приборных структур биполярных транзисторов с изолированным затвором и вертикальным расположением канала | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Чонг Тхань Нгуен, Дао Динь Ха, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... структур биполярного транзистора с изолированным затвором (англ. IGBT) и вертикальным расположением канала ..." | ||
| Том 24, № 5 (2026) | Суперпереходный биполярный транзистор с изолированным затвором и вертикальным рас положением канала с экранированным плавающим слоем накопления носителей заряд | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Тхань Нгуен Чонг, И. Ю. Ловшенко, В. С. Волчёк, П. Э. Новиков, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... суперпереходного биполярного транзистора с изолированным затвором с плавающим слоем накопления носителей заряда ..." | ||
| № 4 (2013) | ПРОЕКТИРОВАНИЕ IGBT-ПРИБОРА ВЫСОКОГО БЫСТРОДЕЙСТВИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, А. С. Турцевич, И. .. Шелибак | ||
| "... ) структуры существенно определяется технологическими параметрами формирования как биполярного транзистора ..." | ||
| Том 21, № 6 (2023) | Проектирование BJT-JFET операционных усилителей на базовом матричном кристалле | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Кунц, О. В. Дворников, В. А. Чеховский | ||
| "... операционного усилителя на комплементарных биполярных транзисторах; входной дифференциальный каскад на p-JFET ..." | ||
| № 6 (2016) | ТРЕХМЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК GaAs ТРАНЗИСТОРОВ С СУБМИКРОННОЙ ДЛИНОЙ ЗАТВОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Мищенко | ||
| "... Рассмотрены вопросы моделирования основных выходных характеристик GaAs транзисторов диапазона КВЧ ..." | ||
| № 3 (2017) | УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАРШРУТА ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Л. Лагунович, В. М. Борздов, А. С. Турцевич | ||
| "... Приведены результаты усовершенствования технологического маршрута изготовления биполярного ..." | ||
| Том 20, № 3 (2022) | Улучшенная модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский | ||
| "... затвором. Схемотехнический синтез и моделирование аналоговых микросхем с таким полевым транзистором ..." | ||
| Том 18, № 5 (2020) | Индивидуальное прогнозирование надежности биполярных транзисторов с использованием электрического напряжения в качестве имитационного фактора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров, А. И. Бересневич, В. О. Казючиц | ||
| "... электронных устройств длительного функционирования. Применительно к биполярным транзисторам предлагается ..." | ||
| Том 19, № 7 (2021) | Экспериментальные исследования и модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... транзистора с управляющим p-n-переходом, изготовленного по технологическому маршруту 3CBiT ОАО «Интеграл ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Ускоренные испытания транзисторов большой мощности на длительную наработку при решении задач прогнозирования их надежности методом имитационных воздействий | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Казючиц, Е. В. Калита, С. М. Боровиков, А. И. Бересневич | ||
| "... условия проведения ускоренных форсированных испытаний применительно к биполярным транзисторам большой ..." | ||
| Том 21, № 4 (2023) | Схемотехническая модернизация операционных усилителей для увеличения скорости нарастания выходного напряжения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... кристалла МН2ХА031, содержащего комплементарные биполярные транзисторы, совместно с разработанными схемами ..." | ||
| № 5 (2018) | ВЛИЯНИЕ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА НА ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ МОSFЕТ ТРАНЗИСТОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко | ||
| "... на параметры мощных p - и n -канальных MOSFET транзисторов. Установлено, что данная обработка позволяет за счет ..." | ||
| Том 19, № 1 (2021) | Индивидуальное прогнозирование надежности транзисторов большой мощности для электронных устройств медицинского назначения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, В. О. Казючиц | ||
| "... исследований на примере биполярных транзисторов большой мощности показано, как можно выполнять отбор ..." | ||
| Том 24, № 5 (2026) | Схемотехнический синтез инструментальных усилителей с однополярным напряжением питания | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский | ||
| "... с однополярным напряжением питания на биполярных транзисторах и полевых транзисторах, управляемых p-n-переходом ..." | ||
| № 6 (2013) | МЕТОДИКА ИНДИВИДУАЛЬНОГО ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ПОСТЕПЕННЫХ ОТКАЗОВ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ МЕТОДОМ ИМИТАЦИОННЫХ ВОЗДЕЙСТВИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков | ||
| "... постепенных отказов биполярных транзисторов. Она позволяет по реакции функционального параметра конкретного ..." | ||
| Том 22, № 3 (2024) | Влияние рекристаллизации механически нарушенного слоя с рабочей стороны кремниевой пластины на электрические параметры КМОП интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, А. А. Сергейчик, Д. В. Шестовский | ||
| "... n- и p-канальных транзисторов были выбраны: ток стока от напряжения на затворе при диодном включении; выходные ..." | ||
| Том 23, № 6 (2025) | Влияние пассивационных слоев на основе нитрида кремния и диоксида кремния на характеристики AlGaN/GaN-ТВПЭ с полевой обкладкой в закрытом состоянии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, А. Д. Юник, Е. А. Гуликова, Я. А. Соловьёв | ||
| "... пассивационных слоев на основе Si3N4 и SiO2 на напряжение пробоя в закрытом состоянии транзистора с высокой ..." | ||
| Том 20, № 5 (2022) | Особенности проектирования зарядочувствительных усилителей на арсенид-галлиевом базовом кристалле | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, A. B. Кунц, А. А. Павлючик | ||
| "... : DpHEMT с размерами затворов 100 мкм/0,2 мкм и 10 мкм/0,2 мкм; p-n-p HBT, выбран для реализации наиболее ..." | ||
| Том 22, № 5 (2024) | Схемотехническое моделирование воздействия тяжелых заряженных частиц на переходные процессы в биполярных аналоговых микросхемах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, И. Ю. Ловшенко, Чонг Тхань Нгуен | ||
| "... на биполярные аналоговые микросхемы, включающая разработанную эквивалентную электрическую схему биполярного ..." | ||
| Том 22, № 4 (2024) | Формирование и трансформация термостабильных токов посредством составных униполярных и биполярно-униполярных структур интегральной схемотехники | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Л. Свирид | ||
| "... Исследуются трансформаторы (отражатели) токов на униполярных (полевых) транзисторах на предмет ..." | ||
| Том 22, № 5 (2024) | Влияние быстрой термообработки при формировании контактов алюминий-поликремний на электрические параметры КМОП микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв, Д. В. Шестовский, Д. В. Жигулин | ||
| "... транзисторов следует, что в области напряжений на затворе более 0,65 В ток стока после длительной ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Влияние быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры микросхем временных устройств | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко | ||
| "... ПС8. В качестве анализируемых параметров данной микросхемы были выбраны пробивное напряжение, ток утечки затвора ..." | ||
| Том 19, № 5 (2021) | Низкотемпературный мультидифференциальный операционный усилитель | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, А. В. Кунц, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... 3, предназначенный для работы при температуре до минус 197 °С и разработанный на биполярных и полевых транзисторах ..." | ||
| Том 24, № 4 (2026) | Влияние нитридизации оксида кремния импульсной фотонной обработкой на электрические параметры электронной компонентной базы КМОП интегральных схем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. С. Ковальчук, Д. В. Шестовский, Я. А. Соловьёв, В. А. Пилипенко | ||
| "... , полученных термическим окислением, на электрофизические характеристики транзисторов и конденсаторов ..." | ||
| Том 19, № 4 (2021) | Влияние проникающей радиации на параметры аналоговых компонентов базового матричного кристалла МН2ХА030 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, Я. Д. Галкин, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... биполярных транзисторов. Все изученные аналоговые компоненты обеспечивают удовлетворительный уровень основных ..." | ||
| Том 20, № 1 (2022) | Эвристическая модель прогнозирования работоспособности полупроводниковых приборов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Казючиц, С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров | ||
| "... параметров. На примере биполярных транзисторов типа КТ872А установлены закономерности электрических ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Влияние термической нагрузки при формировании контактов Al-Al на электрические параметры интегральных микросхем с контактами алюминий-поликремний | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв, Д. В. Шестовский, Д. В. Жигулин | ||
| "... -амперные характеристики тестовых биполярных транзисторов, а также результаты анализа их надежности путем ..." | ||
| 1 - 28 из 28 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
