Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ В ОБЪЕМНОМ КРЕМНИИ И ПО ТЕХНОЛОГИИ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ»

Полный текст:

Аннотация

Представлены результаты оптимизации конструктивно-технологических параметров приборных структур биполярного транзистора с изолированным затвором (БТИЗ), сформированного в стандартном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе» (КНИ). Рассмотрены особенности функционирования различных конструктивных решений БТИЗ. Предложена и исследована конструкция БТИЗ на КНИ структуре с несколькими затворами, что обеспечивает ступенчатое изменение коммутируемого тока.

Об авторах

Ш. Ибрагим
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


И. Ю. Ловшенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


В. Р. Стемпицкий
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


Список литературы

1. Khanna V.K. The Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT. Theory and Design. IEEE, 2003.

2. Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р., Турцевич А.С. и др. // Докл. БГУИР. 2013. № 4. С. 10-16.

3. Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р., Турцевич А.С. и др. // Электроника-Инфо. 2013. № 3. С. 23-26.

4. Artamonov A.M., Nelayev V.V., Shelibak I.M. // Proc. of XI Int. Conf. on the Experience of Designing and Application of CAD Systems in Microelectronics (CADSM’2011). Lviv, 2011. P. 8-9.

5. Hideaki Kawahara, Philip Leland Hower. Lateral insulated gate bipolar transistor / USA Patent № US 2010/0032713 A1.

6. Masato Taki, Masahiro Kawakami, Kiyoharu Hayakawa et al. Lateral SOI semiconducting devices and manufacturing method thereof / US Patent № 7943957 B2.

7. Akio Nakagawa, Norio Yasuhara. High breakdown voltage semiconductor device / USA Patent № 5241210.

8. SILVACO. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://silvaco.com/. - Дата доступа: 06.12.2016.

9. Управление и оптимизация производственно-технологических процессов / Под ред. Д.В. Гаскарова. СПб., 1995.

10. Попов С., Ларина М. // Вест. НГУ. 2004. № 26. С. 137-141.

11. Hartman, K., Lezki E., Schafer W. Statistische Versuchsplanung und -auswertung in der Stoffwirtschaft. Leipzig, 1974.


Для цитирования:


Ибрагим Ш., Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р. БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ В ОБЪЕМНОМ КРЕМНИИ И ПО ТЕХНОЛОГИИ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ». Доклады БГУИР. 2016;(8):89-93.

For citation:


Ibrahim S., Lovshenko I.Y., Stempitsky V.R. INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR FORMED IN THE BULK SILICON AND USING «SILICON ON INSULATOR» TECHNOLOGY. Doklady BGUIR. 2016;(8):89-93. (In Russ.)

Просмотров: 27


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)