bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-822Research ArticleСтатьиБИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ В ОБЪЕМНОМ КРЕМНИИ И ПО ТЕХНОЛОГИИ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ»INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR FORMED IN THE BULK SILICON AND USING «SILICON ON INSULATOR» TECHNOLOGYИбрагимШ.IbrahimS.noemail@neicon.ruЛовшенкоИ. Ю.LovshenkoI. Yu.noemail@neicon.ruСтемпицкийВ. Р.StempitskyV. R.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201603062019088993Copyright © Ибрагим Ш., Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р., 20192019Ибрагим Ш., Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р.Ibrahim S., Lovshenko I.Y., Stempitsky V.R.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/822

Представлены результаты оптимизации конструктивно-технологических параметров приборных структур биполярного транзистора с изолированным затвором (БТИЗ), сформированного в стандартном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе» (КНИ). Рассмотрены особенности функционирования различных конструктивных решений БТИЗ. Предложена и исследована конструкция БТИЗ на КНИ структуре с несколькими затворами, что обеспечивает ступенчатое изменение коммутируемого тока.

The results of the optimization of design and technological parameters device structures insulated-gate bipolar transistor (IGBT), formed in bulk silicon and using «Silicon on Insulator» (SOI) technology are presented. The specific features of the functioning of various constructive solutions IGBT are studied. A construction of SOI-IGBT structure with multiple gates, which allows a step change in the switched current, is suggested and investigated.

биполярный транзистор c изолированным затворомконструкциятехнология изготовлениястатические и динамические характеристикиisolated gate bipolar transistorstructuremanufacturing technologystatic and dynamic characteristicsReferencesKhanna V.K. The Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT. Theory and Design. IEEE, 2003.Khanna V.K. The Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT. Theory and Design. IEEE, 2003.Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р., Турцевич А.С. и др. // Докл. БГУИР. 2013. № 4. С. 10-16.Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р., Турцевич А.С. и др. // Докл. БГУИР. 2013. № 4. С. 10-16.Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р., Турцевич А.С. и др. // Электроника-Инфо. 2013. № 3. С. 23-26.Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р., Турцевич А.С. и др. // Электроника-Инфо. 2013. № 3. С. 23-26.Artamonov A.M., Nelayev V.V., Shelibak I.M. // Proc. of XI Int. Conf. on the Experience of Designing and Application of CAD Systems in Microelectronics (CADSM’2011). Lviv, 2011. P. 8-9.Artamonov A.M., Nelayev V.V., Shelibak I.M. // Proc. of XI Int. Conf. on the Experience of Designing and Application of CAD Systems in Microelectronics (CADSM’2011). Lviv, 2011. P. 8-9.Hideaki Kawahara, Philip Leland Hower. Lateral insulated gate bipolar transistor / USA Patent № US 2010/0032713 A1.Hideaki Kawahara, Philip Leland Hower. Lateral insulated gate bipolar transistor / USA Patent № US 2010/0032713 A1.Masato Taki, Masahiro Kawakami, Kiyoharu Hayakawa et al. Lateral SOI semiconducting devices and manufacturing method thereof / US Patent № 7943957 B2.Masato Taki, Masahiro Kawakami, Kiyoharu Hayakawa et al. Lateral SOI semiconducting devices and manufacturing method thereof / US Patent № 7943957 B2.Akio Nakagawa, Norio Yasuhara. High breakdown voltage semiconductor device / USA Patent № 5241210.Akio Nakagawa, Norio Yasuhara. High breakdown voltage semiconductor device / USA Patent № 5241210.SILVACO. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://silvaco.com/. - Дата доступа: 06.12.2016.SILVACO. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://silvaco.com/. - Дата доступа: 06.12.2016.Управление и оптимизация производственно-технологических процессов / Под ред. Д.В. Гаскарова. СПб., 1995.Управление и оптимизация производственно-технологических процессов / Под ред. Д.В. Гаскарова. СПб., 1995.Попов С., Ларина М. // Вест. НГУ. 2004. № 26. С. 137-141.Попов С., Ларина М. // Вест. НГУ. 2004. № 26. С. 137-141.Hartman, K., Lezki E., Schafer W. Statistische Versuchsplanung und -auswertung in der Stoffwirtschaft. Leipzig, 1974.Hartman, K., Lezki E., Schafer W. Statistische Versuchsplanung und -auswertung in der Stoffwirtschaft. Leipzig, 1974.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.