Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Ибрагим Ш., Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р. БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ В ОБЪЕМНОМ КРЕМНИИ И ПО ТЕХНОЛОГИИ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ». Доклады БГУИР. 2016;(8):89-93.

For citation:


Ibrahim S., Lovshenko I.Y., Stempitsky V.R. INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR FORMED IN THE BULK SILICON AND USING «SILICON ON INSULATOR» TECHNOLOGY. Doklady BGUIR. 2016;(8):89-93. (In Russ.)

Просмотров: 14


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)