Для цитирования:

Ибрагим Ш., Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р. БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ В ОБЪЕМНОМ КРЕМНИИ И ПО ТЕХНОЛОГИИ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ». Доклады БГУИР. 2016;(8):89-93.

For citation:

Ibrahim S., Lovshenko I.Y., Stempitsky V.R. INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR FORMED IN THE BULK SILICON AND USING «SILICON ON INSULATOR» TECHNOLOGY. Doklady BGUIR. 2016;(8):89-93. (In Russ.)