Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 20, № 5 (2022) | Особенности проектирования зарядочувствительных усилителей на арсенид-галлиевом базовом кристалле | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, A. B. Кунц, А. А. Павлючик | ||
| "... Mrad, a gallium arsenide master slice has been created. The following types of active elements are used ..." | ||
| № 6 (2016) | ТРЕХМЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК GaAs ТРАНЗИСТОРОВ С СУБМИКРОННОЙ ДЛИНОЙ ЗАТВОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Мищенко | ||
| "... Modeling results of output static characteristics of gallium arsenide transistors for extreme high ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, В. Т. Шандарович, Дао Динь Ха | ||
| "... in the gallium nitride high electron mobility transistor lead to the forming of a hot spot in the vicinity ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С InGaZnO-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СЛОЕМ ДЛЯ АКТИВНО-МАТРИЧНОЙ АДРЕСАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Б. А. Казаркин, А. А. Степанов, Е. В. Муха, И. И. Захарченя, Е. А. Хохлов, А. Г. Смирнов | ||
| "... The paper presents the results of a study of thin-film transistors based on the InGaZnO ..." | ||
| Том 18, № 8 (2020) | Компьютерное моделирование сенсоров токсичных наночастиц на основе гетероструктурного полевого транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... is a gallium nitride high electron mobility transistor device structure. The subject of the research ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Использование лазерной интерферометрии для определения времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN гетероструктуры p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, А. Г. Шидловский | ||
| Том 19, № 1 (2021) | Исследование процесса реактивного ионно-лучевого распыления арсенида галлия с использованием оптической эмиссионной спектроскопии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. В. Телеш | ||
| "... The aim of this work was to study the process of reactive ion-beam sputtering of gallium arsenide ..." | ||
| Том 19, № 6 (2021) | Нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе канавки в слое пассивации, заполненной материалом с высокой теплопроводностью | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... temperature inside the gallium nitride heterostructure field-effect transistor lead to the formation of a hot ..." | ||
| Том 20, № 1 (2022) | Large Signal Performance of the Gallium Nitride Heterostructure Field-Effect Transistor With a Graphene Heat-Removal System | Аннотация похожие документы |
| V. S. Volcheck, V. R. Stempitsky | ||
| "... electronic and optoelectronic devices based on gallium nitride. An extremely non-uniform distribution ..." | ||
| № 5 (2018) | МОДЕЛИРОВАНИЕ СРЕДНЕЙ ДРЕЙФОВОЙ СКОРОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Мищенко | ||
| № 3 (2016) | Ю.В. БОГАТЫРЕВ, С.Б. ЛАСТОВСКИЙ, С.А. СОРОКА*, С.В. ШВЕДОВ*, Д.А. ОГОРОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. В. Богатырев, С. Б. Ластовский, С. А. Сорока, С. В. Шведов, Д. А. Огородников | ||
| "... transistors with different constructive-technologic features and electrical modes are submitted. ..." | ||
| Том 19, № 7 (2021) | Экспериментальные исследования и модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... considers the results of experimental studies of the double gate junction field-effect transistor ..." | ||
| Том 21, № 6 (2023) | Проектирование BJT-JFET операционных усилителей на базовом матричном кристалле | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Кунц, О. В. Дворников, В. А. Чеховский | ||
| "... The use of dual-gate field-effect transistors located on the base matrix crystal MH2XA031 ..." | ||
| № 8 (2015) | МОДЕЛИРОВАНИЕ СРЕДНЕЙ ДРЕЙФОВОЙ СКОРОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В ОДНОМЕРНОЙ СТРУКТУРЕ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Мищенко | ||
| "... gallium arsenide. Recommendations about a choice of sizes of a temporary step and length of a spatial cell ..." | ||
| Том 20, № 3 (2022) | Улучшенная модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский | ||
| "... with such a field-effect transistor are possible only if there are models that adequately describe the features ..." | ||
| № 3 (2017) | УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАРШРУТА ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Л. Лагунович, В. М. Борздов, А. С. Турцевич | ||
| "... The results of the bipolar static induction transistor (BSIT) making process flow improvement ..." | ||
| № 5 (2018) | ЭФФЕКТИВНОСТЬ МОДЕЛЕЙ ДЕГРАДАЦИИ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ ПРИ ПРОГНОЗИРОВАНИИ ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ НАДЕЖНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, Н. И. Цырельчук, С. С. Дик, Е. Н. Шнейдеров | ||
| № 2 (2017) | ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИИ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров, В. И. Плебанович, А. И. Бересневич, И. А. Бурак | ||
| "... of the functional parameters of three types of high-power transistors as the representatives of electronic products ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | The proton flux influence on electrical characteristics of a dual-channel hemt based on GaAs. | Аннотация похожие документы |
| I. Yu. Lovshenko, A. Yu. Voronov, P. S. Roshchenko, R. E. Ternov, Ya. D. Galkin, A. V. Kunts, V. R. Stempitsky, Jinshun Bi | ||
| "... of the device structure of dual-channel high electron mobility field effect transistor based on GaAs ..." | ||
| Том 18, № 5 (2020) | Индивидуальное прогнозирование надежности биполярных транзисторов с использованием электрического напряжения в качестве имитационного фактора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров, А. И. Бересневич, В. О. Казючиц | ||
| "... devices of long-term functioning. In relation to bipolar transistors, an approach is proposed that allows ..." | ||
| Том 19, № 1 (2021) | Индивидуальное прогнозирование надежности транзисторов большой мощности для электронных устройств медицинского назначения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, В. О. Казючиц | ||
| "... bipolar transistors in this work show how you can select copies of an increased level of reliability ..." | ||
| № 8 (2016) | БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ В ОБЪЕМНОМ КРЕМНИИ И ПО ТЕХНОЛОГИИ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ш. Ибрагим, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... -gate bipolar transistor (IGBT), formed in bulk silicon and using «Silicon on Insulator» (SOI ..." | ||
| № 5 (2018) | ВЛИЯНИЕ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА НА ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ МОSFЕТ ТРАНЗИСТОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко | ||
| "... на параметры мощных p - и n -канальных MOSFET транзисторов. Установлено, что данная обработка ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Ускоренные испытания транзисторов большой мощности на длительную наработку при решении задач прогнозирования их надежности методом имитационных воздействий | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Казючиц, Е. В. Калита, С. М. Боровиков, А. И. Бересневич | ||
| "... the conditions for conducting accelerated forced tests in relation to high-power bipolar transistors of the KT872 ..." | ||
| № 3 (2017) | ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ 90-НАНОМЕТРОВОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. М. Боровик, В. Т. Ханько, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... transistors manufactured using the technology providing minimum channel length of 90 nm. ..." | ||
| Том 21, № 4 (2023) | Схемотехническая модернизация операционных усилителей для увеличения скорости нарастания выходного напряжения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... containing complementary bipolar transistors, together with the developed circuits of the OAmp9 high-speed ..." | ||
| Том 22, № 3 (2024) | Влияние рекристаллизации механически нарушенного слоя с рабочей стороны кремниевой пластины на электрические параметры КМОП интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, А. А. Сергейчик, Д. В. Шестовский | ||
| "... -channel transistors were selected: drain current from the gate voltage when diode-connected; output ..." | ||
| № 3 (2015) | ОПТИМИЗАЦИЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ И ВЕРИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОП-ТРАНЗИСТОРА С 0,35 МКМ ПРОЕКТНЫМИ НОРМАМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Ч. Чан, В. Р. Стемпицкий, С. А. Сорока | ||
| "... and electrical characteristics of 0.35 micron MOS transistor, and the characteristics of the analog and digital ..." | ||
| № 6 (2013) | МЕТОДИКА ИНДИВИДУАЛЬНОГО ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ПОСТЕПЕННЫХ ОТКАЗОВ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ МЕТОДОМ ИМИТАЦИОННЫХ ВОЗДЕЙСТВИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков | ||
| "... failures of bipolar transistors. It allows the reaction of the functional parameter specific instance ..." | ||
| № 5 (2013) | МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. П. Лазарь, Ф. П. Коршунов | ||
| "... The software to simulate radiation resistance of MOSFET transistors, the basic elements of CMOS ..." | ||
| № 4 (2013) | ПРОЕКТИРОВАНИЕ IGBT-ПРИБОРА ВЫСОКОГО БЫСТРОДЕЙСТВИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, А. С. Турцевич, И. .. Шелибак | ||
| "... (concentration level in the emitter of the bipolar transistor as apart of the IGBT structure, implantation dose ..." | ||
| № 7 (2015) | КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, Д. ХА. Дао, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... systems production is an actual problem. The transistor with high electron mobility (HEMT) is increasingly ..." | ||
| № 2 (2019) | КВАЗИОДНОМЕРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ НА ПОРИСТЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Л. Прищепа | ||
| "... and implementation of new highly-sensitive radiation detectors, magnetometers, QPS qubits, QPS transistors ..." | ||
| № 2 (2014) | ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Сокол, С. А. Костюченко | ||
| "... and transistors, based on single-electron transport quantum effect are presented. ..." | ||
| № 7 (2014) | ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Ч. Чан, А. М. Боровик, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, А. А. Кулешов | ||
| "... -транзисторов и проведен их анализ. Выявлена неадекватность классических моделей для моделирования наноразмерных ..." | ||
| Том 19, № 5 (2021) | Низкотемпературный мультидифференциальный операционный усилитель | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, А. В. Кунц, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... up to minus 197 °С and developed on bipolar transistors and junction field-effect transistors ..." | ||
| Том 22, № 1 (2024) | Прецизионный преобразователь переменного напряжения в постоянное по уровню среднеквадратического значения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский | ||
| "... The developed model of a resistive-transistor thermoelectric converter, the technique ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Влияние быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры микросхем временных устройств | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко | ||
| "... performed. The breakdown voltage of the p-channel of the test transistor was measured by applying the linear ..." | ||
| № 5 (2016) | СИНТЕЗ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ЭВТЕКТИЧЕСКОГО СОСТАВА СИСТЕМЫ GaSb-MnSb | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ф. Маренкин, О. А. Новодворский, В. В. Баранов, В. М. Трухан, Т. В. Шёлковая, А. М. Струц | ||
| № 3 (2015) | ВЛИЯНИЕ МОРФОЛОГИИ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА <111>-ОРИЕНТИРОВАННЫХ GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP и InSb НАНОШНУРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. А. Яцыно, Д. Б. Мигас, Я. С. Арситов, А. Б. Филонов, Б. С. Колосницын | ||
| "... , GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb nanowires with zince-blende structure show that the morphology ..." | ||
| Том 21, № 3 (2023) | Иcследование S-параметров и диэлектрической проницаемости образцов поликора и GaAs с помощью векторного анализатора цепей | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. А. Кондрашов, Н. А. Певнева, А. В. Гусинский, А. А. Павлючик, М. А. Гончарик | ||
| "... To study the S-parameters and dielectric permittivity of polycor and GaAs samples, a vector ..." | ||
| № 3 (2012) | ВЛИЯНИЕ ГАММА-ИЗЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕМЕНТЫ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, Ю. В. Богатырев, С. Б. Ластовский | ||
| "... коллекторного тока ( IC ) для n-p-n - и p-n-p -транзисторов, выходную ВАХ полевого транзистора с p-n -переходом ..." | ||
| № 1 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ЗНАЧИМОСТИ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛИ ПОДВИЖНОСТИ ДАРВИША ДЛЯ ОПИСАНИЯ ТОКОПЕРЕНОСА В НАНОРАЗМЕРНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. М. Боровик | ||
| № 7 (2015) | ПОВЫШЕНИЕ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ УСТРОЙСТВА СЕЛЕКЦИИ ФЕМТОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ ДИСТАНЦИОННОГО СПЕКТРОМЕТРИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ХИМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. В. Мельников, В. А. Мельников | ||
| "... МОП-транзисторах и разработки на их основе модуля управления модулятором добротности устройства ..." | ||
| Том 18, № 7 (2020) | Моделирование воздействия тяжелой заряженной частицы на электрические характеристики приборной структуры n-МОП-транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, В. Т. Шандарович | ||
| "... структуры n-МОП-транзистора. Показаны зависимости максимального тока стока IС от траектории движения тяжелой ..." | ||
| Том 20, № 1 (2022) | Эвристическая модель прогнозирования работоспособности полупроводниковых приборов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Казючиц, С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров | ||
| "... of parameters. On the example of bipolar transistors of the KT872A type, the regularities of electrical ..." | ||
| Том 22, № 3 (2024) | Эксплуатационные характеристики инфракрасного фотодетектора, использующего межподзонные переходы в квантовых ямах на основе нитрида галлия | Аннотация похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| Том 19, № 4 (2021) | Влияние проникающей радиации на параметры аналоговых компонентов базового матричного кристалла МН2ХА030 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, Я. Д. Галкин, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... bipolar and junction field-effect transistors. The purpose of this article is to estimate the effect ..." | ||
| Том 20, № 3 (2022) | Влияние температуры быстрого термического отжига на электрофизические свойства омического контакта металлизации Ti/Al/Ni к гетероструктуре GaN/AlGaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, Я. А. Соловьев, Д. В. Жигулин | ||
| Том 20, № 8 (2022) | Влияние условий быстрого термического отжига на величину удельного сопротивления омических контактов металлизации Ti/Al/Ni/Au к гетероструктуре GaN/AlGaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, Я. А. Соловьёв | ||
| № 8 (2014) | ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ДИФФУЗИОННО-ДРЕЙФОВОЙ МОДЕЛИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Ч. Чан, А. М. Боровик, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... Предложен новый подход расчета электрических характеристик наноразмерных МОП-транзисторов, сущность ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ФЕМТОСЕКУНДНОЕ ЛАЗЕРНОЕ СКРАЙБИРОВАНИЕ САПФИРА НА ДЛИНАХ ВОЛН 1040 И 520 НМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Шуленкова, Е. В. Луценко, А. В. Данильчик, Я. А. Соловьёв, А. Н. Петлицкий, М. В. Киросирова | ||
| "... choice for use in the production of various devices, such as LEDs and transistors, cover glasses ..." | ||
| Том 18, № 4 (2020) | Оценка депрессивного состояния оператора мобильных технических систем под воздействием электромагнитного шумового излучения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Сидоренко, Н. А. Солодухо | ||
| "... by a transistor electromagnetic-noise generator with the power of 30 mW operating over the frequency range of 5 ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Влияние термической нагрузки при формировании контактов Al-Al на электрические параметры интегральных микросхем с контактами алюминий-поликремний | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв, Д. В. Шестовский, Д. В. Жигулин | ||
| "... of the tested bipolar transistors, as well as the results of the reliability analyses by conducting thermal ..." | ||
| № 7 (2013) | ИНТЕРВАЛЬНЫЙ ПРОГНОЗ ДЕГРАДАЦИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Ab-initio simulation of hydrogenated graphene properties | Аннотация похожие документы |
| V. V. Murav’ev, V. M. Mishchenka | ||
| "... -speed transistor structures operating in the microwave and very high frequency ranges. ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | АММИАЧНАЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Ржеуцкий, Я. А. Соловьев, А. Г. Войнилович, И. Е. Свитенков, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, Е. В. Луценко | ||
| "... /GaN high electron mobility transistor structure on a sapphire substrate with two-dimensional electron ..." | ||
| 1 - 57 из 57 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
