Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 20, № 5 (2022) Особенности проектирования зарядочувствительных усилителей на арсенид-галлиевом базовом кристалле Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. В. Дворников, В. А. Чеховский, A. B. Кунц, А. А. Павлючик
"... один тип активного элемента – DpHEMT. При этом правильный выбор рабочей точки транзисторов обеспечивает ..."
 
№ 6 (2016) ТРЕХМЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК GaAs ТРАНЗИСТОРОВ С СУБМИКРОННОЙ ДЛИНОЙ ЗАТВОРА Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. Н. Мищенко
"... Рассмотрены вопросы моделирования основных выходных характеристик GaAs транзисторов диапазона КВЧ ..."
 
Том 18, № 3 (2020) Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, В. Т. Шандарович, Дао Динь Ха
"... распределение рассеиваемой мощности в структуре транзистора с высокой подвижностью электронов на основе нитрида ..."
 
№ 7 (125) (2019): Спецвыпуск ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С InGaZnO-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СЛОЕМ ДЛЯ АКТИВНО-МАТРИЧНОЙ АДРЕСАЦИИ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Б. А. Казаркин, А. А. Степанов, Е. В. Муха, И. И. Захарченя, Е. А. Хохлов, А. Г. Смирнов
"... В работе представлены результаты исследования тонкопленочных транзисторов на основе ..."
 
Том 18, № 8 (2020) Компьютерное моделирование сенсоров токсичных наночастиц на основе гетероструктурного полевого транзистора Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий
"... фундаментальные и прикладные исследования, направленные на применение гетероструктурных полевых транзисторов ..."
 
Том 20, № 7 (2022) Использование лазерной интерферометрии для определения времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN гетероструктуры p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Д. Юник, А. Г. Шидловский
 
Том 19, № 1 (2021) Исследование процесса реактивного ионно-лучевого распыления арсенида галлия с использованием оптической эмиссионной спектроскопии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Е. В. Телеш
"... оптимальных условий формирования собственных оксидов GaAs. Источником ионов являлся плазмотрон на базе ..."
 
Том 19, № 6 (2021) Нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе канавки в слое пассивации, заполненной материалом с высокой теплопроводностью Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий
"... температуры в структуре нитрид-галлиевого гетероструктурного полевого транзистора приводят к появлению области ..."
 
Том 23, № 6 (2025) Влияние пассивационных слоев на основе нитрида кремния и диоксида кремния на характеристики AlGaN/GaN-ТВПЭ с полевой обкладкой в закрытом состоянии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, А. Д. Юник, Е. А. Гуликова, Я. А. Соловьёв
"... пассивационных слоев на основе Si3N4 и SiO2 на напряжение пробоя в закрытом состоянии транзистора с высокой ..."
 
1 - 9 из 9 результатов

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)