Для цитирования:

Волчёк В.С., Стемпицкий В.Р. Компьютерное моделирование сенсоров токсичных наночастиц на основе гетероструктурного полевого транзистора. Доклады БГУИР. 2020;18(8):62-68. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-8-62-68

For citation:

Volcheck V.S., Stempitsky V.R. Numerical simulation of the sensor for toxic nanoparticles based on the heterostructure field effect transistor. Doklady BGUIR. 2020;18(8):62-68. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-8-62-68