Для цитирования:

Волчёк В.С., Ловшенко И.Ю., Юник А.Д., Гуликова Е.А., Соловьёв Я.А. Влияние пассивационных слоев на основе нитрида кремния и диоксида кремния на характеристики AlGaN/GaN-ТВПЭ с полевой обкладкой в закрытом состоянии). Доклады БГУИР. 2025;23(6):5-11. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2025-23-6-5-11

For citation:

Volcheck V., Lovshenko I., Yunik A., Hulikava K., Solovjov J. ffect of Silicon Nitride and Silicon Dioxide Passivation Films on the Performance of Off-State Field-Plated AlGaN/GaN HEMT. Doklady BGUIR. 2025;23(6):5-11. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2025-23-6-5-11