Для цитирования:
Казаркин Б.А., Степанов А.А., Муха Е.В., Захарченя И.И., Хохлов Е.А., Смирнов А.Г. ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С InGaZnO-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СЛОЕМ ДЛЯ АКТИВНО-МАТРИЧНОЙ АДРЕСАЦИИ. Доклады БГУИР. 2019;(7 (125)):101-106. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2019-125-7-101-106
For citation:
Kazarkin B.A., Stepanov A.A., Mukha Y.U., Zakharchenia I.I., Khakhlou Y.A., Smirnov A.G. THIN FILM TRANSISTORS WITH InGaZnO-SEMICONDUCTOR LAYER FOR ACTIVE MATRIX ADDRESSING. Doklady BGUIR. 2019;(7 (125)):101-106. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2019-125-7-101-106
Послать статью по эл. почте 