bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИР10.35596/1729-7648-2019-125-7-101-106bsuir-2158Research ArticleСЕКЦИЯ 4. МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА ДИСПЛЕЕВТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С InGaZnO-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СЛОЕМ ДЛЯ АКТИВНО-МАТРИЧНОЙ АДРЕСАЦИИTHIN FILM TRANSISTORS WITH InGaZnO-SEMICONDUCTOR LAYER FOR ACTIVE MATRIX ADDRESSINGКазаркинБ. А.KazarkinB. A.

Аспирант

220013, Республика Беларусь, г. Минск, ул. П. Бровки, д. 6

тел. +375-17-293-88-75

PG student

220013, Republic of Belarus, Minsk, P. Brovki st., 6

tel. +375-17-293-88-75

СтепановА. А.StepanovA. A.

Старший научный сотрудник НИЛ 4.7 НИЧ

220013, Республика Беларусь, г. Минск, ул. П. Бровки, д. 6

тел. +375-17-293-88-75

Senior researcher of SRL 4.7 of R&D Department

220013, Republic of Belarus, Minsk, P. Brovki st., 6

tel. +375-17-293-88-75

МухаЕ. В.MukhaY. U.

Научный сотрудник НИЛ 4.7 НИЧ

220013, Республика Беларусь, г. Минск, ул. П. Бровки, д. 6

тел. +375-17-293-88-75

Researcher of SRL 4.7 of R&D Department

220013, Republic of Belarus, Minsk, P. Brovki st., 6

tel. +375-17-293-88-75

ЗахарченяИ. И.ZakharcheniaI. I.

Инженер-электроник НИЛ 4.7 НИЧ

220013, Республика Беларусь, г. Минск, ул. П. Бровки, д. 6

тел. +375-17-293-88-75

Engineer of SRL 4.7 of R&D Department

220013, Republic of Belarus, Minsk, P. Brovki st., 6

tel. +375-17-293-88-75

ХохловЕ. А.KhakhlouY. A.

Начальник управления технологических разработок

Head of Technological Development Department

СмирновА. Г.SmirnovA. G.

Смирнов Александр Георгиевич, д.т.н., профессор, заведущий НИЛ 4.7 НИЧ

220013, Республика Беларусь, г. Минск, ул. П. Бровки, д. 6

тел. +375-17-293-88-75

220013, Republic of Belarus, Minsk, P. Brovki st., 6

tel. +375-17-293-88-75

smirnov@bsuir.byБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarusian State University of Informatics and RadioelectronicsГруппа компаний «ИЗОВАК»IZOVAC Group20190612201907 (125)Спецвыпуск101106Copyright © Казаркин Б.А., Степанов А.А., Муха Е.В., Захарченя И.И., Хохлов Е.А., Смирнов А.Г., 20192019Казаркин Б.А., Степанов А.А., Муха Е.В., Захарченя И.И., Хохлов Е.А., Смирнов А.Г.Kazarkin B.A., Stepanov A.A., Mukha Y.U., Zakharchenia I.I., Khakhlou Y.A., Smirnov A.G.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/2158

В работе представлены результаты исследования тонкопленочных транзисторов на основе полупроводникового соединения InGaZnO (IGZO) для активно-матричной адресации дисплеев, формируемого методом магнетронного плазмохимического осаждения. Исследованы их структурно- морфологические и электрофизические свойства. Проведен анализ подвижности носителей заряда методом Холла. Изучено влияние отжига в вакууме, атмосфере кислорода и атмосфере азота на размер зерен пленки IGZO. Полученные слои характеризуются высокой подвижностью носителей заряда, что позволяет их использовать при изготовлении ЖК- и OLED-дисплеев нового поколения.

The paper presents the results of a study of thin-film transistors based on the InGaZnO semiconductor compound (IGZO) for active-matrix displays addressing formed by magnetron plasma-chemical deposition. Their structural-morphological and electrophysical properties are investigated. Carrier mobility is analyzed using the Hall method. The effect of annealing in vacuum, an oxygen atmosphere, and a nitrogen atmosphere on the grain size of an IGZO film was investigated. The resulting layers are characterized by high mobility of charge carriers, which allows their use in the manufacture of new-generation LCD and OLED displays.

оксид индия-галлия-цинкапрозрачные проводящие слоидисплейная техникаindium-gallium-zinc oxidetransparent conducting layersdisplay technologyReferencesKamiya T., Nomura K., and Hosono H. Present status of amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors. Science and Technology of Advanced Materials. 2010; 11 (4): 044305.Kamiya T., Nomura K., and Hosono H. Present status of amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors. Science and Technology of Advanced Materials. 2010; 11 (4): 044305.Shin, Y.; Kim, S. T.; Kim, K.; Kim, M. Y.; Oh, S.; Jeong, J. K. J. The Mobility Enhancement of Indium Gallium Zinc Oxide Transistors via Low-Temperature Crystallization Using a Tantalum Catalytic Layer. Sci. Rep. 2017; 7: 10885.Shin, Y.; Kim, S. T.; Kim, K.; Kim, M. Y.; Oh, S.; Jeong, J. K. J. The Mobility Enhancement of Indium Gallium Zinc Oxide Transistors via Low-Temperature Crystallization Using a Tantalum Catalytic Layer. Sci. Rep. 2017; 7: 10885.Hosono H., еt al. Transparent Amorphous Oxide Semiconductors for High Performance, SID’07, Dig., 2007;1830.Hosono H., еt al. Transparent Amorphous Oxide Semiconductors for High Performance, SID’07, Dig., 2007;1830.Suresh A. and Muth J. F. Bias stress stability of indium gallium zinc oxide channel based transparent thin lm transistors. Applied Physics Letters, 2008; 92 (3):033502.Suresh A. and Muth J. F. Bias stress stability of indium gallium zinc oxide channel based transparent thin lm transistors. Applied Physics Letters, 2008; 92 (3):033502.Yoon, S.-J.; Seong, N.-J.; Choi, K.; Shin, W.-C.; Yoon, S.-M. Investigations on the bias temperature stabilities of oxide thin film transistors using In-Ga-Zn-O channels prepared by atomic layer deposition. RSC Adv. 2018; 8: 25014-25020.Yoon, S.-J.; Seong, N.-J.; Choi, K.; Shin, W.-C.; Yoon, S.-M. Investigations on the bias temperature stabilities of oxide thin film transistors using In-Ga-Zn-O channels prepared by atomic layer deposition. RSC Adv. 2018; 8: 25014-25020.Nomura K., et al. Origins of threshold voltage shifts in room-temperature deposited and annealed a-In–Ga–Zn–O thin-film transistors. Applied Physics Letters, 2009; 95: 013502.Nomura K., et al. Origins of threshold voltage shifts in room-temperature deposited and annealed a-In–Ga–Zn–O thin-film transistors. Applied Physics Letters, 2009; 95: 013502.Kim, G. H.; Shin, H. S.; Ahn, B. D.; Kim, K. H.; Park, W. J.; Kim, H. J. Formation Mechanism of Solution- Processed Nanocrystalline InGaZnO Thin Film as Active Channel Layer in Thin-Film Transistor. J. Electrochem. Soc. 2009; 156, 7-9.Kim, G. H.; Shin, H. S.; Ahn, B. D.; Kim, K. H.; Park, W. J.; Kim, H. J. Formation Mechanism of Solution- Processed Nanocrystalline InGaZnO Thin Film as Active Channel Layer in Thin-Film Transistor. J. Electrochem. Soc. 2009; 156, 7-9.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.