Для цитирования:

Волчёк В.С., Ловшенко И.Ю., Шандарович В.Т., Ха Д.Д. Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена. Доклады БГУИР. 2020;18(3):72-80. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-3-72-80

For citation:

Volcheck V.S., Lovshenko I.Yu., Shandarovich V.T., Ha D.D. Gallium nitride high electron mobility transistor with an effective graphene-based heat removal system. Doklady BGUIR. 2020;18(3):72-80. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-3-72-80