Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

ТРЕХМЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК GaAs ТРАНЗИСТОРОВ С СУБМИКРОННОЙ ДЛИНОЙ ЗАТВОРА

Полный текст:

Аннотация

Рассмотрены вопросы моделирования основных выходных характеристик GaAs транзисторов диапазона КВЧ, которые находят широкое применение для создания приемопередающих устройств, усилителей и ряда других приборов. Для моделирования использовалась разработанная программа, в которой реализован многочастичный метод Монте-Карло совместно с решением уравнения Пуассона для трехмерной области приборной структуры. Особенностью моделируемых GaAs транзисторов явился учет особого профиля легирования подзатворной области структуры, который может быть сформирован с помощью ионной имплантации и позволяет улучшить выходные характеристики. Исследование трехмерной структуры из материала GaAs позволило учесть все геометрические размеры структуры и особенности формирования затвора и других контактных областей. В процессе моделирования анализировалось влияние прилагаемого постоянного смещения, особенностей формирования контактных областей структуры и ряд других параметров на выходные характеристики транзисторов.

Об авторе

В. Н. Мищенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


Список литературы

1. Хокни Р., Иствуд Дж. Численное моделирование методом частиц. М.,1987.

2. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М., 1991.

3. Feng M., Laskar J. // IEEE Transactions on Electron Devices. 1993. V. ED-40. № 1. P. 9-17.

4. Williams C.K., Glisson T.H., Hauser J. R. et. al. // Solid-State Electronics. 1989. Vol. 28, № 11. P. 1105-1109.

5. Fawcett W., Boardman D.A., Swain S. // Journal of Physical Chemistry Solids. 1970. Vol. 31. P. 1963-1990.

6. Мищенко В.Н. // Докл. БГУИР. 2015. № 8 (94). C. 99-102.

7. Hockney R. W., Warriner R. A., Reiser M. // Electronic Letters. 1974. Vol. 10. № 23. P. 484-486.

8. Awano Y.,Tomizawa K., Hashizume N. // IEEE Transactions on Electron Devices. 1984. Vol. ED-33. № 4. P. 448-452.


Для цитирования:


Мищенко В.Н. ТРЕХМЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК GaAs ТРАНЗИСТОРОВ С СУБМИКРОННОЙ ДЛИНОЙ ЗАТВОРА. Доклады БГУИР. 2016;(6):113-116.

For citation:


Mishchenka V.N. THREE DIMENsION MODELLING OF OUTPUT CHARACTERISTICS OF GALLIUM ARSENIDE TRANSISTORS with submicron length of the gate. Doklady BGUIR. 2016;(6):113-116. (In Russ.)

Просмотров: 46


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)