ТРЕХМЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК GaAs ТРАНЗИСТОРОВ С СУБМИКРОННОЙ ДЛИНОЙ ЗАТВОРА
Аннотация
Рассмотрены вопросы моделирования основных выходных характеристик GaAs транзисторов диапазона КВЧ, которые находят широкое применение для создания приемопередающих устройств, усилителей и ряда других приборов. Для моделирования использовалась разработанная программа, в которой реализован многочастичный метод Монте-Карло совместно с решением уравнения Пуассона для трехмерной области приборной структуры. Особенностью моделируемых GaAs транзисторов явился учет особого профиля легирования подзатворной области структуры, который может быть сформирован с помощью ионной имплантации и позволяет улучшить выходные характеристики. Исследование трехмерной структуры из материала GaAs позволило учесть все геометрические размеры структуры и особенности формирования затвора и других контактных областей. В процессе моделирования анализировалось влияние прилагаемого постоянного смещения, особенностей формирования контактных областей структуры и ряд других параметров на выходные характеристики транзисторов.
Об авторе
В. Н. Мищенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Хокни Р., Иствуд Дж. Численное моделирование методом частиц. М.,1987.
2. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М., 1991.
3. Feng M., Laskar J. // IEEE Transactions on Electron Devices. 1993. V. ED-40. № 1. P. 9-17.
4. Williams C.K., Glisson T.H., Hauser J. R. et. al. // Solid-State Electronics. 1989. Vol. 28, № 11. P. 1105-1109.
5. Fawcett W., Boardman D.A., Swain S. // Journal of Physical Chemistry Solids. 1970. Vol. 31. P. 1963-1990.
6. Мищенко В.Н. // Докл. БГУИР. 2015. № 8 (94). C. 99-102.
7. Hockney R. W., Warriner R. A., Reiser M. // Electronic Letters. 1974. Vol. 10. № 23. P. 484-486.
8. Awano Y.,Tomizawa K., Hashizume N. // IEEE Transactions on Electron Devices. 1984. Vol. ED-33. № 4. P. 448-452.
Рецензия
Для цитирования:
Мищенко В.Н. ТРЕХМЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК GaAs ТРАНЗИСТОРОВ С СУБМИКРОННОЙ ДЛИНОЙ ЗАТВОРА. Доклады БГУИР. 2016;(6):113-116.
For citation:
Mishchenka V.N. THREE DIMENsION MODELLING OF OUTPUT CHARACTERISTICS OF GALLIUM ARSENIDE TRANSISTORS with submicron length of the gate. Doklady BGUIR. 2016;(6):113-116. (In Russ.)
Просмотров: 414
Послать статью по эл. почте 