bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-713Research ArticleСтатьиТРЕХМЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК GaAs ТРАНЗИСТОРОВ С СУБМИКРОННОЙ ДЛИНОЙ ЗАТВОРАTHREE DIMENsION MODELLING OF OUTPUT CHARACTERISTICS OF GALLIUM ARSENIDE TRANSISTORS with submicron length of the gateМищенкоВ. Н.MishchenkaV. N.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus20160306201906113116Copyright © Мищенко В.Н., 20192019Мищенко В.Н.Mishchenka V.N.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/713

Рассмотрены вопросы моделирования основных выходных характеристик GaAs транзисторов диапазона КВЧ, которые находят широкое применение для создания приемопередающих устройств, усилителей и ряда других приборов. Для моделирования использовалась разработанная программа, в которой реализован многочастичный метод Монте-Карло совместно с решением уравнения Пуассона для трехмерной области приборной структуры. Особенностью моделируемых GaAs транзисторов явился учет особого профиля легирования подзатворной области структуры, который может быть сформирован с помощью ионной имплантации и позволяет улучшить выходные характеристики. Исследование трехмерной структуры из материала GaAs позволило учесть все геометрические размеры структуры и особенности формирования затвора и других контактных областей. В процессе моделирования анализировалось влияние прилагаемого постоянного смещения, особенностей формирования контактных областей структуры и ряд других параметров на выходные характеристики транзисторов.

Modeling results of output static characteristics of gallium arsenide transistors for extreme high frequency range are given. Direct ion-implanted gallium arsenide transistors with the special profile under the gate are analyzed. Many particle Monte Carlo method with the solving of the Poisson equation are used for simulation of the three dimension structure with submicron length of the gate. Investigation of the gallium arsenide device provided the new results which connected with the influence of the geometrical size of the structure and features of gate construction to the output static characteristics. New modeling method of contact regions in device is presented for gallium arsenide transistors.

транзистордиапазоны СВЧ и КВЧарсенид галлияметод Монте-Карлоtransistorultra high frequency and extreme high frequency rangesgallium arsenideMonte Carlo methodReferencesХокни Р., Иствуд Дж. Численное моделирование методом частиц. М.,1987.Хокни Р., Иствуд Дж. Численное моделирование методом частиц. М.,1987.Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М., 1991.Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М., 1991.Feng M., Laskar J. // IEEE Transactions on Electron Devices. 1993. V. ED-40. № 1. P. 9-17.Feng M., Laskar J. // IEEE Transactions on Electron Devices. 1993. V. ED-40. № 1. P. 9-17.Williams C.K., Glisson T.H., Hauser J. R. et. al. // Solid-State Electronics. 1989. Vol. 28, № 11. P. 1105-1109.Williams C.K., Glisson T.H., Hauser J. R. et. al. // Solid-State Electronics. 1989. Vol. 28, № 11. P. 1105-1109.Fawcett W., Boardman D.A., Swain S. // Journal of Physical Chemistry Solids. 1970. Vol. 31. P. 1963-1990.Fawcett W., Boardman D.A., Swain S. // Journal of Physical Chemistry Solids. 1970. Vol. 31. P. 1963-1990.Мищенко В.Н. // Докл. БГУИР. 2015. № 8 (94). C. 99-102.Мищенко В.Н. // Докл. БГУИР. 2015. № 8 (94). C. 99-102.Hockney R. W., Warriner R. A., Reiser M. // Electronic Letters. 1974. Vol. 10. № 23. P. 484-486.Hockney R. W., Warriner R. A., Reiser M. // Electronic Letters. 1974. Vol. 10. № 23. P. 484-486.Awano Y.,Tomizawa K., Hashizume N. // IEEE Transactions on Electron Devices. 1984. Vol. ED-33. № 4. P. 448-452.Awano Y.,Tomizawa K., Hashizume N. // IEEE Transactions on Electron Devices. 1984. Vol. ED-33. № 4. P. 448-452.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.