Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Мищенко В.Н. ТРЕХМЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК GaAs ТРАНЗИСТОРОВ С СУБМИКРОННОЙ ДЛИНОЙ ЗАТВОРА. Доклады БГУИР. 2016;(6):113-116.

For citation:


Mishchenka V.N. THREE DIMENsION MODELLING OF OUTPUT CHARACTERISTICS OF GALLIUM ARSENIDE TRANSISTORS with submicron length of the gate. Doklady BGUIR. 2016;(6):113-116. (In Russ.)

Просмотров: 9


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)