Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С InGaZnO-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СЛОЕМ ДЛЯ АКТИВНО-МАТРИЧНОЙ АДРЕСАЦИИ

https://doi.org/10.35596/1729-7648-2019-125-7-101-106

Полный текст:

Аннотация

В работе представлены результаты исследования тонкопленочных транзисторов на основе полупроводникового соединения InGaZnO (IGZO) для активно-матричной адресации дисплеев, формируемого методом магнетронного плазмохимического осаждения. Исследованы их структурно- морфологические и электрофизические свойства. Проведен анализ подвижности носителей заряда методом Холла. Изучено влияние отжига в вакууме, атмосфере кислорода и атмосфере азота на размер зерен пленки IGZO. Полученные слои характеризуются высокой подвижностью носителей заряда, что позволяет их использовать при изготовлении ЖК- и OLED-дисплеев нового поколения.

Об авторах

Б. А. Казаркин
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь

Аспирант

220013, Республика Беларусь, г. Минск, ул. П. Бровки, д. 6

тел. +375-17-293-88-75



А. А. Степанов
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь

Старший научный сотрудник НИЛ 4.7 НИЧ

220013, Республика Беларусь, г. Минск, ул. П. Бровки, д. 6

тел. +375-17-293-88-75



Е. В. Муха
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь

Научный сотрудник НИЛ 4.7 НИЧ

220013, Республика Беларусь, г. Минск, ул. П. Бровки, д. 6

тел. +375-17-293-88-75



И. И. Захарченя
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь

Инженер-электроник НИЛ 4.7 НИЧ

220013, Республика Беларусь, г. Минск, ул. П. Бровки, д. 6

тел. +375-17-293-88-75



Е. А. Хохлов
Группа компаний «ИЗОВАК»
Россия

Начальник управления технологических разработок



А. Г. Смирнов
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Россия

Смирнов Александр Георгиевич, д.т.н., профессор, заведущий НИЛ 4.7 НИЧ

220013, Республика Беларусь, г. Минск, ул. П. Бровки, д. 6

тел. +375-17-293-88-75



Список литературы

1. Kamiya T., Nomura K., and Hosono H. Present status of amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors. Science and Technology of Advanced Materials. 2010; 11 (4): 044305.

2. Shin, Y.; Kim, S. T.; Kim, K.; Kim, M. Y.; Oh, S.; Jeong, J. K. J. The Mobility Enhancement of Indium Gallium Zinc Oxide Transistors via Low-Temperature Crystallization Using a Tantalum Catalytic Layer. Sci. Rep. 2017; 7: 10885.

3. Hosono H., еt al. Transparent Amorphous Oxide Semiconductors for High Performance, SID’07, Dig., 2007;1830.

4. Suresh A. and Muth J. F. Bias stress stability of indium gallium zinc oxide channel based transparent thin lm transistors. Applied Physics Letters, 2008; 92 (3):033502.

5. Yoon, S.-J.; Seong, N.-J.; Choi, K.; Shin, W.-C.; Yoon, S.-M. Investigations on the bias temperature stabilities of oxide thin film transistors using In-Ga-Zn-O channels prepared by atomic layer deposition. RSC Adv. 2018; 8: 25014-25020.

6. Nomura K., et al. Origins of threshold voltage shifts in room-temperature deposited and annealed a-In–Ga–Zn–O thin-film transistors. Applied Physics Letters, 2009; 95: 013502.

7. Kim, G. H.; Shin, H. S.; Ahn, B. D.; Kim, K. H.; Park, W. J.; Kim, H. J. Formation Mechanism of Solution- Processed Nanocrystalline InGaZnO Thin Film as Active Channel Layer in Thin-Film Transistor. J. Electrochem. Soc. 2009; 156, 7-9.


Для цитирования:


Казаркин Б.А., Степанов А.А., Муха Е.В., Захарченя И.И., Хохлов Е.А., Смирнов А.Г. ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С InGaZnO-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СЛОЕМ ДЛЯ АКТИВНО-МАТРИЧНОЙ АДРЕСАЦИИ. Доклады БГУИР. 2019;(7 (125)):101-106. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2019-125-7-101-106

For citation:


Kazarkin B.A., Stepanov A.A., Mukha Y.U., Zakharchenia I.I., Khakhlou Y.A., Smirnov A.G. THIN FILM TRANSISTORS WITH InGaZnO-SEMICONDUCTOR LAYER FOR ACTIVE MATRIX ADDRESSING. Doklady BGUIR. 2019;(7 (125)):101-106. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2019-125-7-101-106

Просмотров: 72


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)