Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 20, № 7 (2022) | Использование лазерной интерферометрии для определения времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN гетероструктуры p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, А. Г. Шидловский | ||
| "... reactive ion etching in a Cl2/N2/O2 atmosphere of GaN, p-GaN and AlGaN in AlGaN/GaN and p-GaN/AlGaN/GaN ..." | ||
| Том 20, № 3 (2022) | Влияние температуры быстрого термического отжига на электрофизические свойства омического контакта металлизации Ti/Al/Ni к гетероструктуре GaN/AlGaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, Я. А. Соловьев, Д. В. Жигулин | ||
| "... contact of Ti/Al/Ni metallization with layer thicknesses of 20/120/40 nm to the GaN/AlGaN heterostructure ..." | ||
| Том 20, № 8 (2022) | Влияние условий быстрого термического отжига на величину удельного сопротивления омических контактов металлизации Ti/Al/Ni/Au к гетероструктуре GaN/AlGaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, Я. А. Соловьёв | ||
| "... of Ti/Al/Ni/Au metallization with layer thicknesses of 20/120/40/40 nm to the GaN/AlGaN heterostructure ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | АММИАЧНАЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Ржеуцкий, Я. А. Соловьев, А. Г. Войнилович, И. Е. Свитенков, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, Е. В. Луценко | ||
| "... of different molecular beam epitaxy growth conditions on the properties of AlN and AlGaN layers was studied ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ФЕМТОСЕКУНДНОЕ ЛАЗЕРНОЕ СКРАЙБИРОВАНИЕ САПФИРА НА ДЛИНАХ ВОЛН 1040 И 520 НМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Шуленкова, Е. В. Луценко, А. В. Данильчик, Я. А. Соловьёв, А. Н. Петлицкий, М. В. Киросирова | ||
| "... of 1040 and 520 nm, followed by wet etching in HNO3/HF solution to identify emerging defects ..." | ||
| Том 18, № 1 (2020) | ВЛИЯНИЕ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ ОРИЕНТАЦИИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН НА МЕХАНИЗМ ИХ АНОДИРОВАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Л. Гревцов, А. В. Клименко, А. Д. Гурбо, В. П. Бондаренко | ||
| "... to slower etching speeds of (111)-oriented silicon wafers. The results help evaluate the way the silicon ..." | ||
| Том 20, № 1 (2022) | Формирование функциональных слоев нитрида кремния селективным плазмохимическим травлением | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Емельянов | ||
| "... At present, with the development of nanotechnology, plasma-chemical etching remains practically ..." | ||
| № 2 (2016) | ФОРМИРОВАНИЕ КРЕМНИЕВЫХ НАНОНИТЕЙ МЕТОДОМ МЕТАЛЛ-СТИМУЛИРОВАННОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Бондаренко, К. В. Гирель, С. А. Невзоров, К. А. Гончар, В. Ю. Тимошенко | ||
| "... chemical etching (MACE) are introduced. Linear dependence of SiNWs length from etching time is established ..." | ||
| Том 22, № 3 (2024) | Эксплуатационные характеристики инфракрасного фотодетектора, использующего межподзонные переходы в квантовых ямах на основе нитрида галлия | Аннотация похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... A simulation procedure for analyzing the electrical and optical characteristics of an AlGaN/GaN ..." | ||
| № 7 (2015) | КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, Д. ХА. Дао, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... on AlGaN / GaN using different substrate materials has implemented. The influence of the percentage of Al ..." | ||
| № 8 (2013) | ПОРОГОВЫЙ СЕНСОР ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. В. Гасенкова, Л. М. Лыньков, Н. И. Мухуров, М. В. Ясин | ||
| "... alumina. Micro apertures are generated by a photolithography with the subsequent etching oxide and filled ..." | ||
| № 3 (2014) | ФОТОЛИТОГРАФИЯ НА ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУРАХ КСЕРОГЕЛЬ/ПОРИСТЫЙ АНОДНЫЙ ОКСИД АЛЮМИНИЯ, СФОРМИРОВАННЫХ В РАЗЛИЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛИТАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. С. Хорошко, А. М. Ашариф, Т. И. Ореховская, М. В. Меледина, В. А. Сокол, Б. С. Колосницын, Н. В. Гапоненко | ||
| "... electrochemical anodization, sol-gel synthesis, photolithography and chemical etching are given. The metal mask ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Modeling AlGaN p-i-n photodiodes | Аннотация похожие документы |
| N. N. Vorsin, A. A. Gladyshchuk, T. L. Kushner, N. P. Tarasiuk, S. V. Chugunov, M. V. Borushko | ||
| "... Ternary AlGaN alloys with a band gap of 3.4 to 6.2 eV are very promising for photodetectors ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, В. Т. Шандарович, Дао Динь Ха | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Многослойные системы металлизации субмикронных интегральных схем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Емельянов | ||
| "... at the lower base equal to 75–85 degrees. Etching of an aluminum-based alloy film is carried out in a plasma ..." | ||
| Том 21, № 3 (2023) | Пассивация токопроводящей системы интегральных схем слоем нитрида алюминия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Емельянов | ||
| "... isotropic plasma-chemical etching of an aluminum alloy layer to a depth of 8–12 nm and isotropic plasma ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ВЛИЯНИЕ СОЛНЕЧНОГО СВЕТА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДИОКСИД ТИТАНА/КРЕМНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Курапцова, А. Л. Данилюк, А. А. Лешок, В. Е. Борисенко | ||
| "... Представлены результаты теоретического моделирования электрических характеристик гетероструктуры ..." | ||
| № 8 (2012) | ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРИЕМЫ ФОРМИРОВАНИЯ Al-Al2O3 МИКРОСТРУКТУР ДЛЯ МОЩНЫХ ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ СИСТЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Сокол, Д. Л. Шиманович, Г. В. Литвинович | ||
| "... anodization and chemical etching were investigated to provide practically vertical walls in the Al-Al2O3 ..." | ||
| Том 22, № 3 (2024) | Формирование антиотражающих покрытий на основе наноструктурированного алюминия и слоя ксерогеля титаната бария | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. К. Лазарук, Т. Ф. Райченок, Л. П. Томашевич, Е. И. Лашковская, А. А. Повжик, Н. В. Гапоненко | ||
| "... aluminum obtained by electrochemical anodic etching and a layer of barium titanate xerogel deposited on its ..." | ||
| Том 18, № 8 (2020) | Компьютерное моделирование сенсоров токсичных наночастиц на основе гетероструктурного полевого транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Оптимизация конфигурации двухмасштабных оксидных структур для фотокаталитических приложений | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Баглов, Л. С. Хорошко, П. А. Яцкевич | ||
| "... to photolithography and electrochemical methods, it is also possible to use chemical etching and sol-gel technology ..." | ||
| № 8 (2016) | ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР ИЗ СЛОИСТЫХ ДИХАЛЬКОГЕНИДОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, А. Ю. Алексеев | ||
| "... гетероструктур, сформированных из отдельных слоев двумерных кристаллов MoS2, WS2, WSe2 и MoSe2. Предложены два ..." | ||
| № 2 (2014) | НОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ СВЕРХПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И СПИНТРОНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Л. Прищепа | ||
| "... электроники на основе пористых подложек и гетероструктур типа сверхпроводник-ферромагнетик. Приведены ..." | ||
| № 6 (2012) | ФормированиЕ и свойства фотокаталитически толстых пленок с диоксидом титана | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. В. Ашуркевич, И. А. Николаенко, В. Е. Борисенко | ||
| "... . It was shown, that the porosity of films can be extended by chemical etching, that allows an increase ..." | ||
| № 5 (2012) | СТРУКТУРА, МОРФОЛОГИЯ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПРОЗРАЧНЫХ НАНОСЕТЧАТЫХ ПЛЕНОК АЛЮМИНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Степанов, А. С. Смирнов | ||
| "... chemical etching of aluminum oxide. We proposed the model for a nanomeshy Al film and calculated ..." | ||
| Том 20, № 5 (2022) | Анодная композиционная наноструктура: формирование, морфология, оптические и фотолюминесцентные свойства | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Гога, А. А. Позняк, С. М. Завадский, Д. А. Голосов, А. Н. Плиговка | ||
| "... оксида алюминия методом химического травления в течение 1200 с в 50 % растворе ортофосфорной кислоты при ..." | ||
| 1 - 26 из 26 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
