Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Солодуха В.А., Пилипенко В.А., Горушко В.А. ВЛИЯНИЕ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА НА ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ МОSFЕТ ТРАНЗИСТОРОВ. Доклады БГУИР. 2018;(5):99-103.

For citation:


Solodukha V.A., Pilipenko U.A., Gorushko V.A. Influence of rapid thermal treatment of the gate dielectric on the parameters of power field МОSFЕТ transistors. Doklady BGUIR. 2018;(5):99-103. (In Russ.)

Просмотров: 18


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)