Для цитирования:

Солодуха В.А., Пилипенко В.А., Горушко В.А. ВЛИЯНИЕ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА НА ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ МОSFЕТ ТРАНЗИСТОРОВ. Доклады БГУИР. 2018;(5):99-103.

For citation:

Solodukha V.A., Pilipenko U.A., Gorushko V.A. Influence of rapid thermal treatment of the gate dielectric on the parameters of power field МОSFЕТ transistors. Doklady BGUIR. 2018;(5):99-103. (In Russ.)