bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-1018Research ArticleСтатьиВЛИЯНИЕ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА НА ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ МОSFЕТ ТРАНЗИСТОРОВInfluence of rapid thermal treatment of the gate dielectric on the parameters of power field МОSFЕТ transistorsСолодухаВ. А.SolodukhaV. A.office@bms.byПилипенкоВ. А.PilipenkoU. A.office@bms.byГорушкоВ. А.GorushkoV. A.office@bms.byОткрытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» - управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Республика БеларусьBelarus2018030620190599103Copyright © Солодуха В.А., Пилипенко В.А., Горушко В.А., 20192019Солодуха В.А., Пилипенко В.А., Горушко В.А.Solodukha V.A., Pilipenko U.A., Gorushko V.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/1018

Приведены результаты исследований влияния быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры мощных p - и n -канальных MOSFET транзисторов. Установлено, что данная обработка позволяет за счет улучшения зарядовых и структурных свойств диэлектрика уменьшить токи утечки затвора и повысить надежность приборов.

быстрая термообработкаподзатворный диэлектрикр- и n-канальные транзисторыReferencesBelous A.I., Solodukha V.A., Shvedov S.V. Space Microelectronics. M.: Tekhnosphere, 2015. Vol. 1. 694 p.Belous A.I., Solodukha V.A., Shvedov S.V. Space Microelectronics. M.: Tekhnosphere, 2015. Vol. 1. 694 p.Belous A.I., Solodukha V.A., Shvedov S.V. Space Microelectronics: in 2 vol. М.: Tekhnosphere, 2015. Vol. 2. 488 p.Belous A.I., Solodukha V.A., Shvedov S.V. Space Microelectronics: in 2 vol. М.: Tekhnosphere, 2015. Vol. 2. 488 p.Belous A., Saladuha V., Shvedov S. Space Microelectronics. Modern Spacecraft Classification, Failure, and Electrical Component Requirements. Vol. 1. Boston, London: Artech House, 2017. 386 p.Belous A., Saladuha V., Shvedov S. Space Microelectronics. Modern Spacecraft Classification, Failure, and Electrical Component Requirements. Vol. 1. Boston, London: Artech House, 2017. 386 p.Belous A., Saladuha V., Shvedov S. Space Microelectronics. Integrated Circuit Design for Space Applications. Vol. 2. Boston, London: Artech House, 2017. 604 pBelous A., Saladuha V., Shvedov S. Space Microelectronics. Integrated Circuit Design for Space Applications. Vol. 2. Boston, London: Artech House, 2017. 604 pPilipenko V.A. Rapid Thermal Treatments in the VLSI Technology. Minsk: BSU Publishing Center, 2004. 531 p.Pilipenko V.A. Rapid Thermal Treatments in the VLSI Technology. Minsk: BSU Publishing Center, 2004. 531 p.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.