Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

Улучшенная модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем

https://doi.org/10.35596/1729-7648-2022-20-3-20-25

Полный текст:

Аннотация

Двухзатворные полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом часто применяются в аналоговых интегральных микросхемах для обеспечения предельно малого входного тока и емкости при управлении верхним затвором. Схемотехнический синтез и моделирование аналоговых микросхем с таким полевым транзистором возможны только при наличии моделей, адекватно описывающих особенности его работы, а именно – изменение вольт-амперных характеристик, управляя верхним затвором при подаче постоянного обратного напряжения на нижний затвор. В статье рассмотрена модернизация известной электрической модели двухзатворного полевого транзистора для программы LTSpice, заключающаяся в учете влияния напряжения на нижнем затворе путем включения в цепь верхнего затвора двух последовательно соединенных функциональных источников напряжения, один из которых обеспечивает совпадение результатов измерений и моделирования тока стока при малом напряжении между верхним затвором и истоком, а второй – при напряжении между верхним затвором и истоком, близком к напряжению отсечки. Приведена методика идентификации параметров функциональных источников напряжения. Предложенную модель двухзатворного полевого транзистора целесообразно использовать при схемотехническом проектировании различных аналоговых устройств, особенно электрометрических операционных усилителей и зарядочувствительных усилителей.

Для цитирования:


Галкин Я.Д., Дворников О.В., Чеховский В.А. Улучшенная модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем. Доклады БГУИР. 2022;20(3):20-25. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2022-20-3-20-25

For citation:


Galkin Y.D., Dvornikov O.V., Tchekhovski V.A. Double Gate JFET Improved Model for Analog Integrated Circuits. Doklady BGUIR. 2022;20(3):20-25. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2022-20-3-20-25

Просмотров: 594


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)