Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 3 (2017) | УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАРШРУТА ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Л. Лагунович, В. М. Борздов, А. С. Турцевич | ||
| "... транзистора со статической индукцией (БСИТ) и его приборно-технологического моделирования. Усовершенствование ..." | ||
| Том 22, № 6 (2024) | Конструктивные решения приборных структур биполярных транзисторов с изолированным затвором и вертикальным расположением канала | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Чонг Тхань Нгуен, Дао Динь Ха, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... Представлены результаты компьютерного моделирования эксплуатационных характеристик приборных ..." | ||
| Том 18, № 8 (2020) | Компьютерное моделирование сенсоров токсичных наночастиц на основе гетероструктурного полевого транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... транзистора. Объект исследования – приборная структура нитрид-галлиевого транзистора с высокой подвижностью ..." | ||
| № 8 (2016) | БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ В ОБЪЕМНОМ КРЕМНИИ И ПО ТЕХНОЛОГИИ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ш. Ибрагим, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... Представлены результаты оптимизации конструктивно-технологических параметров приборных структур ..." | ||
| № 6 (2016) | ТРЕХМЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК GaAs ТРАНЗИСТОРОВ С СУБМИКРОННОЙ ДЛИНОЙ ЗАТВОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Мищенко | ||
| "... Рассмотрены вопросы моделирования основных выходных характеристик GaAs транзисторов диапазона КВЧ ..." | ||
| № 7 (2015) | КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, Д. ХА. Дао, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... для их получения является актуальной задачей. Транзистор с высокой подвижностью электронов находит все ..." | ||
| Том 19, № 6 (2021) | Нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе канавки в слое пассивации, заполненной материалом с высокой теплопроводностью | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... температуры в структуре нитрид-галлиевого гетероструктурного полевого транзистора приводят к появлению области ..." | ||
| Том 23, № 6 (2025) | Влияние пассивационных слоев на основе нитрида кремния и диоксида кремния на характеристики AlGaN/GaN-ТВПЭ с полевой обкладкой в закрытом состоянии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, А. Д. Юник, Е. А. Гуликова, Я. А. Соловьёв | ||
| "... пассивационных слоев на основе Si3N4 и SiO2 на напряжение пробоя в закрытом состоянии транзистора с высокой ..." | ||
| 1 - 8 из 8 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
