Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

Индивидуальное прогнозирование надежности биполярных транзисторов с использованием электрического напряжения в качестве имитационного фактора

https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-5-80-88

Полный текст:

Аннотация

Индивидуальное прогнозирование надежности полупроводниковых приборов c учетом постепенных отказов является актуальной задачей, так как позволяет выбрать высоконадежные экземпляры для ответственных электронных устройств длительного функционирования. Применительно к биполярным транзисторам предлагается подход, позволяющий решать задачу прогнозирования путем использования в качестве имитационного воздействия электрическое напряжение, прикладываемое к переходу коллектор – эмиттер. На примере биполярных транзисторов большой мощности типа КТ872А показано, как можно решить задачу прогнозирования. Для выборки транзисторов этого типа с использованием результатов выполненного обучающего эксперимента получены два уравнения для описания рассматриваемого электрического параметра (статического коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эмиттером), по значению которого судят об отсутствии или наличии постепенного отказа для конкретного экземпляра. Первое уравнение показывает, как электрический параметр в среднем изменяется в зависимости от прикладываемого к переходу коллектор – эмиттер электрического напряжения. Второе уравнение описывает в среднем деградацию электрического параметра при длительной наработке транзисторов. На основе этих двух уравнений получена имитационная модель надежности биполярных транзисторов рассматриваемого типа в виде функции связи, показывающей, какой уровень имитационного напряжения соответствует заданной наработке. Полученная имитационная модель применительно к транзисторам рассматриваемого типа позволяет выполнять индивидуальное прогнозирование надежности по постепенным отказам однотипных экземпляров, не принимавших участия в обучающем эксперименте. Для этого вначале определяют значение имитационного напряжения, соответствующее заданной наработке. Достигается это путем подстановки в модель заданной наработки. Индивидуальное прогнозирование надежности нового однотипного экземпляра состоит в измерении у этого экземпляра электрического параметра при напряжении на коллекторе транзистора, соответствующем рассчитанному имитационному значению, и сравнении результата измерения с нормой, установленной на электрический параметр.

Об авторах

С. М. Боровиков
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь

Боровиков Сергей Максимович, к.т.н., доцент, доцент кафедры проектирования информационно-компьютерных систем

220013, г. Минск, ул. П. Бровки, 6

тел. +375-17-293-88-38

 



Е. Н. Шнейдеров
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь

к.т.н., доцент кафедры проектирования информационно-компьютерных систем

г. Минск



А. И. Бересневич
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь

магистр технических наук, старший преподаватель кафедры проектирования информационно-компьютерных систем

г. Минск



В. О. Казючиц
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь

магистр технических наук, ассистент кафедры проектирования информационно-компьютерных систем

г. Минск



Список литературы

1. Боровиков С. М. Статистическое прогнозирование для отбраковки потенциально ненадежных изделий электронной техники. Москва: Новое знание; 2013.

2. Боровиков С.М., Щерба А.И. Прогнозирование работоспособности полупроводниковых приборов методом имитационного моделирования. Информационные технологии в проектировании и производстве. 2004;4:37-40.

3. Боровиков С.М., Емельянов А.В., Бересневич А.И. Выбор имитационных факторов при прогнозировании отказов биполярных транзисторов. Известия НАН Беларуси. Серия физико-технических наук. 2006;3:109-112.

4. Robinson L.E. Life expectancy in electronic components and 10th rule. Testing. 1998;1:16.

5. Боровиков С.М., Шнейдеров Е.Н., Плебанович В.И., Бересневич А.И., Бурак И.А. Экспериментальное исследование деградации изделий электронной техники. Доклады БГУИР. 2017;2(104):45-52.


Для цитирования:


Боровиков С.М., Шнейдеров Е.Н., Бересневич А.И., Казючиц В.О. Индивидуальное прогнозирование надежности биполярных транзисторов с использованием электрического напряжения в качестве имитационного фактора. Доклады БГУИР. 2020;18(5):80-88. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-5-80-88

For citation:


Borovikov S.M., Shneiderov E.N., Berasnevich A.I., Kaziuchyts V.O. Individual forecasting of reliability of bipolar transistors by using electrical voltage as a simulation factor. Doklady BGUIR. 2020;18(5):80-88. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-5-80-88

Просмотров: 45


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)