Для цитирования:

Боровиков С.М., Шнейдеров Е.Н., Бересневич А.И., Казючиц В.О. Индивидуальное прогнозирование надежности биполярных транзисторов с использованием электрического напряжения в качестве имитационного фактора. Доклады БГУИР. 2020;18(5):80-88. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-5-80-88

For citation:

Borovikov S.M., Shneiderov E.N., Berasnevich A.I., Kaziuchyts V.O. Individual forecasting of reliability of bipolar transistors by using electrical voltage as a simulation factor. Doklady BGUIR. 2020;18(5):80-88. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-5-80-88