ВЛИЯНИЕ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА НА ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ МОSFЕТ ТРАНЗИСТОРОВ
Аннотация
Приведены результаты исследований влияния быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры мощных p - и n -канальных MOSFET транзисторов. Установлено, что данная обработка позволяет за счет улучшения зарядовых и структурных свойств диэлектрика уменьшить токи утечки затвора и повысить надежность приборов.
Об авторах
В. А. Солодуха
Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» - управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Республика Беларусь
Беларусь
Беларусь
В. А. Пилипенко
Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» - управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Республика Беларусь
Беларусь
Беларусь
В. А. Горушко
Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» - управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Республика Беларусь
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Belous A.I., Solodukha V.A., Shvedov S.V. Space Microelectronics. M.: Tekhnosphere, 2015. Vol. 1. 694 p.
2. Belous A.I., Solodukha V.A., Shvedov S.V. Space Microelectronics: in 2 vol. М.: Tekhnosphere, 2015. Vol. 2. 488 p.
3. Belous A., Saladuha V., Shvedov S. Space Microelectronics. Modern Spacecraft Classification, Failure, and Electrical Component Requirements. Vol. 1. Boston, London: Artech House, 2017. 386 p.
4. Belous A., Saladuha V., Shvedov S. Space Microelectronics. Integrated Circuit Design for Space Applications. Vol. 2. Boston, London: Artech House, 2017. 604 p
5. Pilipenko V.A. Rapid Thermal Treatments in the VLSI Technology. Minsk: BSU Publishing Center, 2004. 531 p.
Для цитирования:
Солодуха В.А., Пилипенко В.А., Горушко В.А. ВЛИЯНИЕ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА НА ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ МОSFЕТ ТРАНЗИСТОРОВ. Доклады БГУИР. 2018;(5):99-103.
For citation:
Solodukha V.A., Pilipenko U.A., Gorushko V.A. Influence of rapid thermal treatment of the gate dielectric on the parameters of power field МОSFЕТ transistors. Doklady BGUIR. 2018;(5):99-103. (In Russ.)
Просмотров: 139
Послать статью по эл. почте 