ВЛИЯНИЕ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА НА ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ МОSFЕТ ТРАНЗИСТОРОВ
Аннотация
Об авторах
В. А. СолодухаБеларусь
В. А. Пилипенко
Беларусь
В. А. Горушко
Беларусь
Список литературы
1. Belous A.I., Solodukha V.A., Shvedov S.V. Space Microelectronics. M.: Tekhnosphere, 2015. Vol. 1. 694 p.
2. Belous A.I., Solodukha V.A., Shvedov S.V. Space Microelectronics: in 2 vol. М.: Tekhnosphere, 2015. Vol. 2. 488 p.
3. Belous A., Saladuha V., Shvedov S. Space Microelectronics. Modern Spacecraft Classification, Failure, and Electrical Component Requirements. Vol. 1. Boston, London: Artech House, 2017. 386 p.
4. Belous A., Saladuha V., Shvedov S. Space Microelectronics. Integrated Circuit Design for Space Applications. Vol. 2. Boston, London: Artech House, 2017. 604 p
5. Pilipenko V.A. Rapid Thermal Treatments in the VLSI Technology. Minsk: BSU Publishing Center, 2004. 531 p.
Рецензия
Для цитирования:
Солодуха В.А., Пилипенко В.А., Горушко В.А. ВЛИЯНИЕ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА НА ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ МОSFЕТ ТРАНЗИСТОРОВ. Доклады БГУИР. 2018;(5):99-103.
For citation:
Solodukha V.A., Pilipenko U.A., Gorushko V.A. Influence of rapid thermal treatment of the gate dielectric on the parameters of power field МОSFЕТ transistors. Doklady BGUIR. 2018;(5):99-103. (In Russ.)