Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 18, № 5 (2020) | Индивидуальное прогнозирование надежности биполярных транзисторов с использованием электрического напряжения в качестве имитационного фактора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров, А. И. Бересневич, В. О. Казючиц | ||
| "... devices of long-term functioning. In relation to bipolar transistors, an approach is proposed that allows ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Ускоренные испытания транзисторов большой мощности на длительную наработку при решении задач прогнозирования их надежности методом имитационных воздействий | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Казючиц, Е. В. Калита, С. М. Боровиков, А. И. Бересневич | ||
| "... the conditions for conducting accelerated forced tests in relation to high-power bipolar transistors of the KT872 ..." | ||
| № 6 (2013) | МЕТОДИКА ИНДИВИДУАЛЬНОГО ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ПОСТЕПЕННЫХ ОТКАЗОВ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ МЕТОДОМ ИМИТАЦИОННЫХ ВОЗДЕЙСТВИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков | ||
| "... failures of bipolar transistors. It allows the reaction of the functional parameter specific instance ..." | ||
| № 2 (2017) | ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИИ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров, В. И. Плебанович, А. И. Бересневич, И. А. Бурак | ||
| "... of the functional parameters of three types of high-power transistors as the representatives of electronic products ..." | ||
| № 7 (2013) | ИНТЕРВАЛЬНЫЙ ПРОГНОЗ ДЕГРАДАЦИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков | ||
| "... При индивидуальном прогнозировании значений параметра и, следовательно, постепенных отказов изделий ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, В. Т. Шандарович, Дао Динь Ха | ||
| "... in the gallium nitride high electron mobility transistor lead to the forming of a hot spot in the vicinity ..." | ||
| № 3 (2016) | Ю.В. БОГАТЫРЕВ, С.Б. ЛАСТОВСКИЙ, С.А. СОРОКА*, С.В. ШВЕДОВ*, Д.А. ОГОРОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. В. Богатырев, С. Б. Ластовский, С. А. Сорока, С. В. Шведов, Д. А. Огородников | ||
| "... transistors with different constructive-technologic features and electrical modes are submitted. ..." | ||
| Том 19, № 7 (2021) | Экспериментальные исследования и модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... considers the results of experimental studies of the double gate junction field-effect transistor ..." | ||
| Том 21, № 6 (2023) | Проектирование BJT-JFET операционных усилителей на базовом матричном кристалле | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Кунц, О. В. Дворников, В. А. Чеховский | ||
| "... The use of dual-gate field-effect transistors located on the base matrix crystal MH2XA031 ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С InGaZnO-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СЛОЕМ ДЛЯ АКТИВНО-МАТРИЧНОЙ АДРЕСАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Б. А. Казаркин, А. А. Степанов, Е. В. Муха, И. И. Захарченя, Е. А. Хохлов, А. Г. Смирнов | ||
| "... The paper presents the results of a study of thin-film transistors based on the InGaZnO ..." | ||
| Том 18, № 8 (2020) | Компьютерное моделирование сенсоров токсичных наночастиц на основе гетероструктурного полевого транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... at the application of heterostructure field-effect transistors – high electron mobility transistors–as a base ..." | ||
| Том 20, № 3 (2022) | Улучшенная модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский | ||
| "... with such a field-effect transistor are possible only if there are models that adequately describe the features ..." | ||
| № 3 (2017) | УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАРШРУТА ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Л. Лагунович, В. М. Борздов, А. С. Турцевич | ||
| "... The results of the bipolar static induction transistor (BSIT) making process flow improvement ..." | ||
| № 5 (2018) | ЭФФЕКТИВНОСТЬ МОДЕЛЕЙ ДЕГРАДАЦИИ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ ПРИ ПРОГНОЗИРОВАНИИ ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ НАДЕЖНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, Н. И. Цырельчук, С. С. Дик, Е. Н. Шнейдеров | ||
| № 6 (2016) | ТРЕХМЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК GaAs ТРАНЗИСТОРОВ С СУБМИКРОННОЙ ДЛИНОЙ ЗАТВОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Мищенко | ||
| "... Modeling results of output static characteristics of gallium arsenide transistors for extreme high ..." | ||
| Том 19, № 1 (2021) | Индивидуальное прогнозирование надежности транзисторов большой мощности для электронных устройств медицинского назначения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, В. О. Казючиц | ||
| "... bipolar transistors in this work show how you can select copies of an increased level of reliability ..." | ||
| № 8 (2016) | БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ В ОБЪЕМНОМ КРЕМНИИ И ПО ТЕХНОЛОГИИ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ш. Ибрагим, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... -gate bipolar transistor (IGBT), formed in bulk silicon and using «Silicon on Insulator» (SOI ..." | ||
| № 5 (2018) | ВЛИЯНИЕ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА НА ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ МОSFЕТ ТРАНЗИСТОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко | ||
| "... на параметры мощных p - и n -канальных MOSFET транзисторов. Установлено, что данная обработка ..." | ||
| Том 22, № 6 (2024) | Конструктивные решения приборных структур биполярных транзисторов с изолированным затвором и вертикальным расположением канала | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Чонг Тхань Нгуен, Дао Динь Ха, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... of vertical channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) device structures designed according ..." | ||
| № 6 (2014) | МЕТОДИКА ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ НАДЕЖНОСТИ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ПО МОДЕЛИ ДЕГРАДАЦИИ ФУНКЦИОНАЛЬНОГО ПАРАМЕТРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров | ||
| № 3 (2017) | ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ 90-НАНОМЕТРОВОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. М. Боровик, В. Т. Ханько, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... transistors manufactured using the technology providing minimum channel length of 90 nm. ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Использование лазерной интерферометрии для определения времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN гетероструктуры p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, А. Г. Шидловский | ||
| Том 21, № 4 (2023) | Схемотехническая модернизация операционных усилителей для увеличения скорости нарастания выходного напряжения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... containing complementary bipolar transistors, together with the developed circuits of the OAmp9 high-speed ..." | ||
| Том 19, № 6 (2021) | Нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе канавки в слое пассивации, заполненной материалом с высокой теплопроводностью | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... temperature inside the gallium nitride heterostructure field-effect transistor lead to the formation of a hot ..." | ||
| Том 22, № 3 (2024) | Влияние рекристаллизации механически нарушенного слоя с рабочей стороны кремниевой пластины на электрические параметры КМОП интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, А. А. Сергейчик, Д. В. Шестовский | ||
| "... -channel transistors were selected: drain current from the gate voltage when diode-connected; output ..." | ||
| Том 23, № 6 (2025) | Влияние пассивационных слоев на основе нитрида кремния и диоксида кремния на характеристики AlGaN/GaN-ТВПЭ с полевой обкладкой в закрытом состоянии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, А. Д. Юник, Е. А. Гуликова, Я. А. Соловьёв | ||
| "... /AlN/GaN high electron mobility transistor with a source- or gate-connected field plate ..." | ||
| № 3 (2015) | ОПТИМИЗАЦИЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ И ВЕРИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОП-ТРАНЗИСТОРА С 0,35 МКМ ПРОЕКТНЫМИ НОРМАМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Ч. Чан, В. Р. Стемпицкий, С. А. Сорока | ||
| "... and electrical characteristics of 0.35 micron MOS transistor, and the characteristics of the analog and digital ..." | ||
| Том 20, № 5 (2022) | Особенности проектирования зарядочувствительных усилителей на арсенид-галлиевом базовом кристалле | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, A. B. Кунц, А. А. Павлючик | ||
| "... characteristics features of DpHEMT experimental samples, which exclude use of those transistors at low drain ..." | ||
| № 5 (2013) | МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. П. Лазарь, Ф. П. Коршунов | ||
| "... The software to simulate radiation resistance of MOSFET transistors, the basic elements of CMOS ..." | ||
| № 4 (2013) | ПРОЕКТИРОВАНИЕ IGBT-ПРИБОРА ВЫСОКОГО БЫСТРОДЕЙСТВИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, А. С. Турцевич, И. .. Шелибак | ||
| "... (concentration level in the emitter of the bipolar transistor as apart of the IGBT structure, implantation dose ..." | ||
| № 7 (2015) | КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, Д. ХА. Дао, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... systems production is an actual problem. The transistor with high electron mobility (HEMT) is increasingly ..." | ||
| Том 22, № 5 (2024) | Влияние быстрой термообработки при формировании контактов алюминий-поликремний на электрические параметры КМОП микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв, Д. В. Шестовский, Д. В. Жигулин | ||
| "... as the analyzed parameters of n- and p-channel transistors: at the gate when diode-connected; on the drain ..." | ||
| Том 22, № 5 (2024) | Схемотехническое моделирование воздействия тяжелых заряженных частиц на переходные процессы в биполярных аналоговых микросхемах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, И. Ю. Ловшенко, Чонг Тхань Нгуен | ||
| "... analog microcircuits, including the developed equivalent electrical circuit of a bipolar transistor ..." | ||
| № 2 (2019) | КВАЗИОДНОМЕРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ НА ПОРИСТЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Л. Прищепа | ||
| "... and implementation of new highly-sensitive radiation detectors, magnetometers, QPS qubits, QPS transistors ..." | ||
| № 2 (2014) | ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Сокол, С. А. Костюченко | ||
| "... and transistors, based on single-electron transport quantum effect are presented. ..." | ||
| Том 20, № 1 (2022) | Large Signal Performance of the Gallium Nitride Heterostructure Field-Effect Transistor With a Graphene Heat-Removal System | Аннотация похожие документы |
| V. S. Volcheck, V. R. Stempitsky | ||
| "... transistor lead to the formation of a hot spot near the conductive channel and result in the degradation ..." | ||
| № 7 (2014) | ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Ч. Чан, А. М. Боровик, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, А. А. Кулешов | ||
| "... -транзисторов и проведен их анализ. Выявлена неадекватность классических моделей для моделирования наноразмерных ..." | ||
| Том 19, № 5 (2021) | Низкотемпературный мультидифференциальный операционный усилитель | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, А. В. Кунц, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... up to minus 197 °С and developed on bipolar transistors and junction field-effect transistors ..." | ||
| Том 22, № 1 (2024) | Прецизионный преобразователь переменного напряжения в постоянное по уровню среднеквадратического значения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский | ||
| "... The developed model of a resistive-transistor thermoelectric converter, the technique ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Влияние быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры микросхем временных устройств | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко | ||
| "... performed. The breakdown voltage of the p-channel of the test transistor was measured by applying the linear ..." | ||
| № 3 (2012) | ВЛИЯНИЕ ГАММА-ИЗЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕМЕНТЫ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, Ю. В. Богатырев, С. Б. Ластовский | ||
| "... коллекторного тока ( IC ) для n-p-n - и p-n-p -транзисторов, выходную ВАХ полевого транзистора с p-n -переходом ..." | ||
| № 1 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ЗНАЧИМОСТИ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛИ ПОДВИЖНОСТИ ДАРВИША ДЛЯ ОПИСАНИЯ ТОКОПЕРЕНОСА В НАНОРАЗМЕРНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. М. Боровик | ||
| № 7 (2015) | ПОВЫШЕНИЕ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ УСТРОЙСТВА СЕЛЕКЦИИ ФЕМТОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ ДИСТАНЦИОННОГО СПЕКТРОМЕТРИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ХИМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. В. Мельников, В. А. Мельников | ||
| "... МОП-транзисторах и разработки на их основе модуля управления модулятором добротности устройства ..." | ||
| Том 18, № 7 (2020) | Моделирование воздействия тяжелой заряженной частицы на электрические характеристики приборной структуры n-МОП-транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, В. Т. Шандарович | ||
| "... структуры n-МОП-транзистора. Показаны зависимости максимального тока стока IС от траектории движения тяжелой ..." | ||
| Том 20, № 1 (2022) | Эвристическая модель прогнозирования работоспособности полупроводниковых приборов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Казючиц, С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров | ||
| "... of parameters. On the example of bipolar transistors of the KT872A type, the regularities of electrical ..." | ||
| Том 22, № 4 (2024) | Формирование и трансформация термостабильных токов посредством составных униполярных и биполярно-униполярных структур интегральной схемотехники | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Л. Свирид | ||
| "... Current transformers (reflectors) based on unipolar (field-effect) transistors are being studied ..." | ||
| № 1 (2013) | ЭФФЕКТИВНЫЙ СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ НЕНАДЕЖНЫХ КМОП СХЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. И. Белоус, А. В. Прибыльский | ||
| № 2 (2018) | ОЦЕНОЧНО-КОМПЕНСАЦИОННЫЙ АЛГОРИТМ СЕЛЕКЦИИ ИМИТАЦИОННЫХ ПОМЕХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Козлов | ||
| "... С использованием оценочно-компенсационного метода обоснован алгоритм селекции имитационных помех ..." | ||
| № 2 (2018) | ИМИТАЦИОННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЧЕТЫРЕХПРЕССОВОЙ ЛИНИИ ШТАМПОВКИ ДЕТАЛЕЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Лукьянец, С. В. Снисаренко, М. А. Лишай | ||
| "... Разработан алгоритм имитационного моделирования автоматизированной четырехпрессовой линии штамповки ..." | ||
| № 3 (2012) | ИМИТАЦИОННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РАБОТЫ СТАНЦИИ ИСПЫТАНИЙ СТИРАЛЬНЫХ МАШИН | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Лукьянец, А. Г. Микулич, С. И. Сергиеня | ||
| "... Рассмотрено применение имитационного моделирования при анализе производственных процессов в ..." | ||
| Том 21, № 1 (2023) | Имитационная модель аппарата искусственной вентиляции лёгких | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. В. Камлач, Н. И. Куприянов, В. М. Бондарик, Д. В. Лихачевский, А. В. Слижёва | ||
| Том 19, № 4 (2021) | Влияние проникающей радиации на параметры аналоговых компонентов базового матричного кристалла МН2ХА030 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, Я. Д. Галкин, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... bipolar and junction field-effect transistors. The purpose of this article is to estimate the effect ..." | ||
| Том 22, № 4 (2024) | Взаимовлияние электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом в условиях зарядовой неустойчивости | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Зайцев, Д. А. Подрябинкин, В. В. Мельникова, А. Л. Данилюк | ||
| "... of a transistor structure with a two-dimensional channel, due to the self-organization of charge and capacitive ..." | ||
| № 8 (2014) | ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ДИФФУЗИОННО-ДРЕЙФОВОЙ МОДЕЛИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Ч. Чан, А. М. Боровик, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... Предложен новый подход расчета электрических характеристик наноразмерных МОП-транзисторов, сущность ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ФЕМТОСЕКУНДНОЕ ЛАЗЕРНОЕ СКРАЙБИРОВАНИЕ САПФИРА НА ДЛИНАХ ВОЛН 1040 И 520 НМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Шуленкова, Е. В. Луценко, А. В. Данильчик, Я. А. Соловьёв, А. Н. Петлицкий, М. В. Киросирова | ||
| "... choice for use in the production of various devices, such as LEDs and transistors, cover glasses ..." | ||
| № 4 (2016) | ИМИТАЦИОННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КИНЕМАТИКИ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ СИСТЕМЫ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ С ИНТЕРАКТИВНОЙ ВИЗУАЛИЗАЦИЕЙ РЕЗУЛЬТАТОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Е. Карпович, В. В. Кузнецов, М. М. Форутан | ||
| "... степенями свободы, позволяющая проводить имитационное моделирование в среде MATLAB кинематики ..." | ||
| № 2 (2015) | ПОДХОД К ИМИТАЦИОННОМУ МОДЕЛИРОВАНИЮ В ЗАДАЧАХ ЭРГОНОМИЧЕСКОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ УПРАВЛЕНИЯ ИНЦИДЕНТАМИ | PDF (Rus) похожие документы |
| Е. А. Лавров, А. С. Криводуб, А. А. Сусик | ||
| Том 18, № 4 (2020) | Оценка депрессивного состояния оператора мобильных технических систем под воздействием электромагнитного шумового излучения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Сидоренко, Н. А. Солодухо | ||
| "... by a transistor electromagnetic-noise generator with the power of 30 mW operating over the frequency range of 5 ..." | ||
| № 7 (2016) | ОЦЕНКА НАДЕЖНОСТИ И ЭФФЕКТИВНОСТИ ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ МЕДИЦИНСКОГО НАЗНАЧЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, И. Н. Цырельчук, С. С. Дик, Н. Н. Цырельчук | ||
| "... назначения. Этот подход принимает во внимание как устойчивые отказы системы, так и возможные временные отказы ..." | ||
| № 1 (2015) | ОБ ИСПОЛЬЗОВАНИИ МНОГОЗНАЧНОЙ ЛОГИКИ В ИССЛЕДОВАНИИ СОЦИАЛЬНО-ЭКОНОМИЧЕСКИХ СИСТЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. В. Коваленко, С. А. Поттосина | ||
| № 3 (2016) | УПРАВЛЕНИЕ УГЛОВЫМИ СКОРОСТЯМИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТЯГОВЫХ ДВИГАТЕЛЕЙ ПРИ МОДЕЛИРОВАНИИ КРИВОЛИНЕЙНОГО ДВИЖЕНИЯ КОЛЕСНОЙ МАШИНЫ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. Х. Шейх Эль Нажжарин | ||
| "... машины с электрическими приводами, а также имитационная модель колесной машины, реализующая заданные ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Влияние термической нагрузки при формировании контактов Al-Al на электрические параметры интегральных микросхем с контактами алюминий-поликремний | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв, Д. В. Шестовский, Д. В. Жигулин | ||
| "... of the tested bipolar transistors, as well as the results of the reliability analyses by conducting thermal ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | The proton flux influence on electrical characteristics of a dual-channel hemt based on GaAs. | Аннотация похожие документы |
| I. Yu. Lovshenko, A. Yu. Voronov, P. S. Roshchenko, R. E. Ternov, Ya. D. Galkin, A. V. Kunts, V. R. Stempitsky, Jinshun Bi | ||
| "... of the device structure of dual-channel high electron mobility field effect transistor based on GaAs ..." | ||
| № 4 (2018) | ИМИТАЦИОННАЯ МОДЕЛЬ СИГНАЛА, ОТРАЖЕННОГО ОТ ЗАГЛУБЛЕННОГО ОБЪЕКТА, С УЧЕТОМ СВОЙСТВ УКРЫВАЮЩЕЙ СРЕДЫ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. В. Демьянюк, К. Н. Чугай, Е. С. Максимович | ||
| Том 20, № 6 (2022) | Имитационное моделирование метода оценки защищенности канала утечки информации по огибающей речевого сигнала | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. К. Железняк, Е. Р. Адамовский, А. Г. Филиппович | ||
| "... . Выполнено имитационное моделирование канала утечки, формирования и измерения измерительных сигналов, а также ..." | ||
| № 2 (2014) | КОДИРОВАНИЕ ИНФОРМАЦИИ В ИНФОКОММУНИКАЦИЯХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. К. Конопелько, М. Н. Бобов, В. Ю. Цветков | ||
| № 2 (2019) | МЕХАТРОННЫЕ СИСТЕМЫ ПАРАЛЛЕЛЬНОЙ КИНЕМАТИКИ НА ГИБРИДНЫХ ПРИВОДАХ ПРЯМОГО ДЕЙСТВИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Е. Карпович, И. В. Дайняк, В. .. В Кузнецов | ||
| "... имитационного моделирования их кинематики, динамики и управления. Представлены перспективы использования ..." | ||
| № 2 (2012) | ПРИМЕНЕНИЕ ДИНАМИЧЕСКОЙ ИМИТАЦИИ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ ВЕРОЯТНОСТНЫХ ПРОИЗВОДСТВЕННЫХ СИСТЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Клименко | ||
| "... Приводятся теоретическое обоснование и технология применения динамических имитационных моделей для ..." | ||
| № 2 (2012) | СИНТЕЗ ДИНАМИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ВЕРОЯТНОСТНЫХ ПРОИЗВОДСТВЕННЫХ СИСТЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Смородин | ||
| "... имитационное моделирование, базирующееся на разработке динамических имитационных моделей вероятностных ..." | ||
| Том 22, № 1 (2024) | Методика модельно-ориентированного проектирования алгоритмов управления мобильными роботами | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. М. Татур, Н. С. Игнатюк, А. Д. Коников | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Ab-initio simulation of hydrogenated graphene properties | Аннотация похожие документы |
| V. V. Murav’ev, V. M. Mishchenka | ||
| "... -speed transistor structures operating in the microwave and very high frequency ranges. ..." | ||
| № 7 (2016) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ КРОВОТОКА (СКОРОСТИ И ДАВЛЕНИЯ) В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ СОСУДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. А. Балюк, И. Ю. Базик, Е. Д. Витковский | ||
| "... Рассмотрены основные патологии сонной артерии человека. Приведены результаты имитационного ..." | ||
| № 3 (2018) | АЛГОРИТМ ВЫБОРА ОПТИМАЛЬНОЙ ПАРЫ РАДИОНАВИГАЦИОННЫХ СРЕДСТВ ПРИ ОПРЕДЕЛЕНИИ МЕСТОПОЛОЖЕНИЯ ЛЕТАТЕЛЬНОГО АППАРАТА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. В. Остроумов | ||
| "... программирования. Работоспособность предложенного алгоритма проверена путем имитационного моделирования с ..." | ||
| № 3 (2012) | ОБОСНОВАНИЕ ПРИМЕНЕНИЯ СРЕДСТВ ЗАЩИТЫ ИНФОРМАЦИИ ОТ УТЕЧКИ ПО РАДИОКАНАЛАМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. Л. Утин, Х. М. Кред, М. А. Сабериан | ||
| "... обоснованности принимаемых решений предлагается применять разработанную имитационную модель построения зоны ..." | ||
| № 4 (2015) | ОЦЕНКА НЕОБХОДИМОГО УРОВНЯ МОЩНОСТИ ИЗЛУЧЕНИЯ БАЗОВЫХ СТАНЦИЙ СТАНДАРТА GSM В ГОРОДЕ С УЧЕТОМ ТРЕБОВАНИЙ ВНУТРИСИСТЕМНОЙ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ СОВМЕСТИМОСТИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. И. Мордачев, А. С. Свистунов | ||
| "... Приведены результаты имитационного моделирования фрагмента сети сотовой связи с использованием ..." | ||
| № 8 (2017) | ОПРЕДЕЛЕНИЕ НЕЛИНЕЙНОСТИ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОБЪЕКТА, ИССЛЕДУЕМОГО НЕЛИНЕЙНЫМ РАДИОЛОКАТОРОМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. М. Чертков, В. К. Железняк | ||
| "... Представлена имитационная модель формирования, обнаружения и оценки избирательным приемом уровней ..." | ||
| № 6 (2019) | МЕТОДИКА СУБПИКСЕЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ ПОЛОЖЕНИЯ КРАЯ ПОВЫШЕННОГО РАЗРЕШЕНИЯ ПРИ РЕГИСТРАЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ФОТОШАБЛОНА НА ПРОСВЕТ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Лапко, А. И. Дедков | ||
| "... объекта на просвет. Осуществлено имитационное моделирование результатов субпиксельной регистрации на ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | АММИАЧНАЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Ржеуцкий, Я. А. Соловьев, А. Г. Войнилович, И. Е. Свитенков, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, Е. В. Луценко | ||
| "... /GaN high electron mobility transistor structure on a sapphire substrate with two-dimensional electron ..." | ||
| № 8 (2018) | ПАРАМЕТРИЧЕСКАЯ ОПТИМИЗАЦИЯ ДВУХКАНАЛЬНОГО АВТОКОМПЕНСАТОРА МЕШАЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Костромицкий, А. П. Шумский, И. Н. Давыденко | ||
| "... гармонической аппроксимацией. Полученные результаты подтверждаются имитационным моделированием двухканального ..." | ||
| Том 21, № 2 (2023) | Оценка информационных показателей шума квантования аналого-цифрового преобразования речевого сигнала | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. К. Железняк, К. Я. Раханов, Е. Р. Адамовский | ||
| "... оборудования для имитационно-натурного эксперимента с целью подтверждения корректности способа обработки и ..." | ||
| Том 19, № 7 (2021) | Способ длительного когерентно-некогерентного накопления сигнала при ненулевых высших производных дальности до радиолокационной цели | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Козлов, Ван Кыонг Ле | ||
| "... канала обнаружения по радиальному ускорению. Работоспособность способа подтверждена путем имитационного ..." | ||
| Том 19, № 3 (2021) | Способ автоматического согласования антенны и выходных каскадов передатчика | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. А. Ковалевич | ||
| "... поискового, который базируется на моделировании процесса поиска с использованием имитационной модели ..." | ||
| № 1 (2017) | ДОСТАТОЧНЫЙ УРОВЕНЬ МОЩНОСТИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ БАЗОВЫХ СТАНЦИЙ СЕТИ GSM В ГОРОДСКОЙ ЗАСТРОЙКЕ С УЧЕТОМ ЗАТУХАНИЯ РАДИОВОЛН В ЗДАНИЯХ И ВНУТРИСИСТЕМНОЙ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ СОВМЕСТИМОСТИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. И. Мордачев, А. С. Свистунов | ||
| "... зданиях и уровней внутрисетевых помех. Анализ выполнен на основе имитационного моделирования фрагмента ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | КОМПЛЕКСИРОВАНИЕ ИЗОБРАЖЕНИЙ В ДВУХКАНАЛЬНОЙ ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННОЙ СИСТЕМЕ КАК СПОСОБ СНИЖЕНИЯ ВЕРОЯТНОСТИ СРЫВА АВТОМАТИЧЕСКОГО СОПРОВОЖДЕНИЯ МАЛОКОНТРАСТНЫХ ОБЪЕКТОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Хижняк | ||
| "... исследования используются математический аппарат теории случайных функций и имитационное моделирование с ..." | ||
| Том 18, № 2 (2020) | СПОСОБ ОБРАБОТКИ ИЗОБРАЖЕНИЙ В ЗАДАЧЕ ОБНАРУЖЕНИЯ ДВИЖУЩИХСЯ ОБЪЕКТОВ В ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМАХ НАБЛЮДЕНИЯ ТЕПЛОВИЗИОННОГО ТИПА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. И. Михнёнок | ||
| "... имитационное моделирование с последующей статистической обработкой данных. В статье показано, что вероятность ..." | ||
| Том 23, № 6 (2025) | Обнаружение аппаратных троянов в устройствах криптографии с использованием машинного обучения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Ю. Воронов, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... абонентов закрытой радиосети, способна нанести гораздо больший вред по сравнению с ее отказом. Учитывая ..." | ||
| Том 21, № 4 (2023) | Моделирование отведения тепловой энергии от процессоров при помощи кулеров воздушного охлаждения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Г. А. Пискун, В. Ф. Алексеев, А. Н. Беликов, Д. Г. Рыбаков | ||
| "... убрали вентилятор, что позволило обосновать необходимость наличия или отсутствия обдува при постепенном ..." | ||
| № 7-8 (2019) | РАЗНЕСЕННЫЙ ПРИЕМ СИГНАЛОВ ПРИ НАЛИЧИИ ЗАМИРАНИЙ ВЕЙБУЛЛА В КАНАЛАХ СВЯЗИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. П. Тузлуков | ||
| "... , степени замирания, спектральной эффективности в области слабых сигналов, вероятности отказа и средней ..." | ||
| Том 22, № 5 (2024) | Начальные стадии электрокристаллизации покрытий оловом и сплавами олово-медь и олово-медь-ультрадисперсный алмаз | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. И. Кузьмар, Д. Ю. Гульпа, Л. К. Кушнер | ||
| "... осадки. При увеличении длительности осаждения происходят рост кристаллитов и постепенное сращивание их ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | СТРУКТУРЫ МИКРОДИСПЛЕЕВ НА ОСНОВЕ ОРГАНИЧЕСКИХ СВЕТОДИОДОВ ЗЕЛЕНОГО ЦВЕТА СВЕЧЕНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МАТЕРИАЛОВ ТЕРМИЧЕСКИ АКТИВИРОВАННОЙ ЗАМЕДЛЕННОЙ ФЛУОРЕСЦЕНЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. А. Грачёв, Е. Ф. Кудряшова, Н. Н. Усов | ||
| "... – не более 450 мВт, наработка на отказ – не менее 5000 ч. Для улучшения этих характеристик предлагается ..." | ||
| 1 - 90 из 90 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
