Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 2 (2017) | ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИИ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров, В. И. Плебанович, А. И. Бересневич, И. А. Бурак | ||
| "... With the help of accelerated tests we have obtained experimental data about the degradation ..." | ||
| № 5 (2018) | ЭФФЕКТИВНОСТЬ МОДЕЛЕЙ ДЕГРАДАЦИИ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ ПРИ ПРОГНОЗИРОВАНИИ ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ НАДЕЖНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, Н. И. Цырельчук, С. С. Дик, Е. Н. Шнейдеров | ||
| "... of functional degradation parameter in the form of the conditional density of its distribution under ..." | ||
| № 7 (2013) | ИНТЕРВАЛЬНЫЙ ПРОГНОЗ ДЕГРАДАЦИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков | ||
| "... При индивидуальном прогнозировании значений параметра и, следовательно, постепенных отказов изделий ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, В. Т. Шандарович, Дао Динь Ха | ||
| "... in the gallium nitride high electron mobility transistor lead to the forming of a hot spot in the vicinity ..." | ||
| Том 18, № 5 (2020) | Индивидуальное прогнозирование надежности биполярных транзисторов с использованием электрического напряжения в качестве имитационного фактора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров, А. И. Бересневич, В. О. Казючиц | ||
| "... devices of long-term functioning. In relation to bipolar transistors, an approach is proposed that allows ..." | ||
| Том 19, № 6 (2021) | Нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе канавки в слое пассивации, заполненной материалом с высокой теплопроводностью | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... temperature inside the gallium nitride heterostructure field-effect transistor lead to the formation of a hot ..." | ||
| № 6 (2014) | МЕТОДИКА ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ НАДЕЖНОСТИ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ПО МОДЕЛИ ДЕГРАДАЦИИ ФУНКЦИОНАЛЬНОГО ПАРАМЕТРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров | ||
| "... The method of obtaining the model, describing degradation regularity for function parameter ..." | ||
| № 6 (2013) | МЕТОДИКА ИНДИВИДУАЛЬНОГО ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ПОСТЕПЕННЫХ ОТКАЗОВ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ МЕТОДОМ ИМИТАЦИОННЫХ ВОЗДЕЙСТВИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков | ||
| "... failures of bipolar transistors. It allows the reaction of the functional parameter specific instance ..." | ||
| № 3 (2016) | Ю.В. БОГАТЫРЕВ, С.Б. ЛАСТОВСКИЙ, С.А. СОРОКА*, С.В. ШВЕДОВ*, Д.А. ОГОРОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. В. Богатырев, С. Б. Ластовский, С. А. Сорока, С. В. Шведов, Д. А. Огородников | ||
| "... transistors with different constructive-technologic features and electrical modes are submitted. ..." | ||
| Том 22, № 3 (2024) | Влияние рекристаллизации механически нарушенного слоя с рабочей стороны кремниевой пластины на электрические параметры КМОП интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, А. А. Сергейчик, Д. В. Шестовский | ||
| "... -channel transistors were selected: drain current from the gate voltage when diode-connected; output ..." | ||
| Том 19, № 7 (2021) | Экспериментальные исследования и модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... considers the results of experimental studies of the double gate junction field-effect transistor ..." | ||
| Том 21, № 6 (2023) | Проектирование BJT-JFET операционных усилителей на базовом матричном кристалле | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Кунц, О. В. Дворников, В. А. Чеховский | ||
| "... The use of dual-gate field-effect transistors located on the base matrix crystal MH2XA031 ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С InGaZnO-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СЛОЕМ ДЛЯ АКТИВНО-МАТРИЧНОЙ АДРЕСАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Б. А. Казаркин, А. А. Степанов, Е. В. Муха, И. И. Захарченя, Е. А. Хохлов, А. Г. Смирнов | ||
| "... The paper presents the results of a study of thin-film transistors based on the InGaZnO ..." | ||
| Том 18, № 8 (2020) | Компьютерное моделирование сенсоров токсичных наночастиц на основе гетероструктурного полевого транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... at the application of heterostructure field-effect transistors – high electron mobility transistors–as a base ..." | ||
| № 3 (2015) | ОПТИМИЗАЦИЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ И ВЕРИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОП-ТРАНЗИСТОРА С 0,35 МКМ ПРОЕКТНЫМИ НОРМАМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Ч. Чан, В. Р. Стемпицкий, С. А. Сорока | ||
| "... and electrical characteristics of 0.35 micron MOS transistor, and the characteristics of the analog and digital ..." | ||
| Том 20, № 3 (2022) | Улучшенная модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский | ||
| "... with such a field-effect transistor are possible only if there are models that adequately describe the features ..." | ||
| № 5 (2013) | МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. П. Лазарь, Ф. П. Коршунов | ||
| "... and modeling of their variations with an ionizing radiation. The degradation of MOSFET transistors of the 1554 ..." | ||
| № 3 (2017) | УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАРШРУТА ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Л. Лагунович, В. М. Борздов, А. С. Турцевич | ||
| "... The results of the bipolar static induction transistor (BSIT) making process flow improvement ..." | ||
| № 6 (2016) | ТРЕХМЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК GaAs ТРАНЗИСТОРОВ С СУБМИКРОННОЙ ДЛИНОЙ ЗАТВОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Мищенко | ||
| "... Modeling results of output static characteristics of gallium arsenide transistors for extreme high ..." | ||
| Том 19, № 1 (2021) | Индивидуальное прогнозирование надежности транзисторов большой мощности для электронных устройств медицинского назначения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, В. О. Казючиц | ||
| "... bipolar transistors in this work show how you can select copies of an increased level of reliability ..." | ||
| № 8 (2016) | БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ В ОБЪЕМНОМ КРЕМНИИ И ПО ТЕХНОЛОГИИ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ш. Ибрагим, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... -gate bipolar transistor (IGBT), formed in bulk silicon and using «Silicon on Insulator» (SOI ..." | ||
| № 5 (2018) | ВЛИЯНИЕ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА НА ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ МОSFЕТ ТРАНЗИСТОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко | ||
| "... на параметры мощных p - и n -канальных MOSFET транзисторов. Установлено, что данная обработка ..." | ||
| Том 22, № 6 (2024) | Конструктивные решения приборных структур биполярных транзисторов с изолированным затвором и вертикальным расположением канала | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Чонг Тхань Нгуен, Дао Динь Ха, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... of vertical channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) device structures designed according ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Ускоренные испытания транзисторов большой мощности на длительную наработку при решении задач прогнозирования их надежности методом имитационных воздействий | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Казючиц, Е. В. Калита, С. М. Боровиков, А. И. Бересневич | ||
| "... the conditions for conducting accelerated forced tests in relation to high-power bipolar transistors of the KT872 ..." | ||
| № 3 (2017) | ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ 90-НАНОМЕТРОВОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. М. Боровик, В. Т. Ханько, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... transistors manufactured using the technology providing minimum channel length of 90 nm. ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Использование лазерной интерферометрии для определения времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN гетероструктуры p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, А. Г. Шидловский | ||
| Том 21, № 4 (2023) | Схемотехническая модернизация операционных усилителей для увеличения скорости нарастания выходного напряжения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... containing complementary bipolar transistors, together with the developed circuits of the OAmp9 high-speed ..." | ||
| Том 20, № 1 (2022) | Large Signal Performance of the Gallium Nitride Heterostructure Field-Effect Transistor With a Graphene Heat-Removal System | Аннотация похожие документы |
| V. S. Volcheck, V. R. Stempitsky | ||
| "... transistor lead to the formation of a hot spot near the conductive channel and result in the degradation ..." | ||
| Том 18, № 7 (2020) | Механизмы деградации структуры сегнетоэлектрика Pb1−хBaхZr0,53Ti0,47O3−δ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. И. Гурский, А. В. Петров, Д. А. Голосов, П. Н. Киреев, Н. А. Каланда, М. В. Ярмолич | ||
| "... The present paper is devoted to the study of the structural degradation mechanisms of ferroelectric ..." | ||
| Том 20, № 5 (2022) | Особенности проектирования зарядочувствительных усилителей на арсенид-галлиевом базовом кристалле | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, A. B. Кунц, А. А. Павлючик | ||
| "... characteristics features of DpHEMT experimental samples, which exclude use of those transistors at low drain ..." | ||
| № 4 (2013) | ПРОЕКТИРОВАНИЕ IGBT-ПРИБОРА ВЫСОКОГО БЫСТРОДЕЙСТВИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, А. С. Турцевич, И. .. Шелибак | ||
| "... (concentration level in the emitter of the bipolar transistor as apart of the IGBT structure, implantation dose ..." | ||
| № 7 (2015) | КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, Д. ХА. Дао, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... systems production is an actual problem. The transistor with high electron mobility (HEMT) is increasingly ..." | ||
| Том 18, № 7 (2020) | Моделирование воздействия тяжелой заряженной частицы на электрические характеристики приборной структуры n-МОП-транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, В. Т. Шандарович | ||
| "... Применение изделий микроэлектроники в условиях космического пространства возможно при обеспечении ..." | ||
| Том 19, № 5 (2021) | Низкотемпературный мультидифференциальный операционный усилитель | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, А. В. Кунц, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... up to minus 197 °С and developed on bipolar transistors and junction field-effect transistors ..." | ||
| Том 20, № 1 (2022) | Эвристическая модель прогнозирования работоспособности полупроводниковых приборов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Казючиц, С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров | ||
| "... of parameters. On the example of bipolar transistors of the KT872A type, the regularities of electrical ..." | ||
| Том 22, № 5 (2024) | Влияние быстрой термообработки при формировании контактов алюминий-поликремний на электрические параметры КМОП микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв, Д. В. Шестовский, Д. В. Жигулин | ||
| "... as the analyzed parameters of n- and p-channel transistors: at the gate when diode-connected; on the drain ..." | ||
| Том 22, № 5 (2024) | Схемотехническое моделирование воздействия тяжелых заряженных частиц на переходные процессы в биполярных аналоговых микросхемах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, И. Ю. Ловшенко, Чонг Тхань Нгуен | ||
| "... analog microcircuits, including the developed equivalent electrical circuit of a bipolar transistor ..." | ||
| № 2 (2019) | КВАЗИОДНОМЕРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ НА ПОРИСТЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Л. Прищепа | ||
| "... and implementation of new highly-sensitive radiation detectors, magnetometers, QPS qubits, QPS transistors ..." | ||
| № 2 (2014) | ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Сокол, С. А. Костюченко | ||
| "... and transistors, based on single-electron transport quantum effect are presented. ..." | ||
| № 7 (2014) | ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Ч. Чан, А. М. Боровик, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, А. А. Кулешов | ||
| "... -транзисторов и проведен их анализ. Выявлена неадекватность классических моделей для моделирования наноразмерных ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Влияние термической нагрузки при формировании контактов Al-Al на электрические параметры интегральных микросхем с контактами алюминий-поликремний | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв, Д. В. Шестовский, Д. В. Жигулин | ||
| "... of the tested bipolar transistors, as well as the results of the reliability analyses by conducting thermal ..." | ||
| Том 22, № 1 (2024) | Прецизионный преобразователь переменного напряжения в постоянное по уровню среднеквадратического значения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский | ||
| "... The developed model of a resistive-transistor thermoelectric converter, the technique ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Влияние быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры микросхем временных устройств | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко | ||
| "... performed. The breakdown voltage of the p-channel of the test transistor was measured by applying the linear ..." | ||
| № 3 (2012) | ВЛИЯНИЕ ГАММА-ИЗЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕМЕНТЫ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, Ю. В. Богатырев, С. Б. Ластовский | ||
| "... коллекторного тока ( IC ) для n-p-n - и p-n-p -транзисторов, выходную ВАХ полевого транзистора с p-n -переходом ..." | ||
| № 1 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ЗНАЧИМОСТИ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛИ ПОДВИЖНОСТИ ДАРВИША ДЛЯ ОПИСАНИЯ ТОКОПЕРЕНОСА В НАНОРАЗМЕРНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. М. Боровик | ||
| № 7 (2015) | ПОВЫШЕНИЕ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ УСТРОЙСТВА СЕЛЕКЦИИ ФЕМТОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ ДИСТАНЦИОННОГО СПЕКТРОМЕТРИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ХИМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. В. Мельников, В. А. Мельников | ||
| "... МОП-транзисторах и разработки на их основе модуля управления модулятором добротности устройства ..." | ||
| Том 22, № 4 (2024) | Формирование и трансформация термостабильных токов посредством составных униполярных и биполярно-униполярных структур интегральной схемотехники | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Л. Свирид | ||
| "... Current transformers (reflectors) based on unipolar (field-effect) transistors are being studied ..." | ||
| Том 19, № 4 (2021) | Влияние проникающей радиации на параметры аналоговых компонентов базового матричного кристалла МН2ХА030 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, Я. Д. Галкин, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... bipolar and junction field-effect transistors. The purpose of this article is to estimate the effect ..." | ||
| Том 22, № 4 (2024) | Взаимовлияние электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом в условиях зарядовой неустойчивости | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Зайцев, Д. А. Подрябинкин, В. В. Мельникова, А. Л. Данилюк | ||
| "... of a transistor structure with a two-dimensional channel, due to the self-organization of charge and capacitive ..." | ||
| № 8 (2014) | ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ДИФФУЗИОННО-ДРЕЙФОВОЙ МОДЕЛИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Ч. Чан, А. М. Боровик, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... Предложен новый подход расчета электрических характеристик наноразмерных МОП-транзисторов, сущность ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ФЕМТОСЕКУНДНОЕ ЛАЗЕРНОЕ СКРАЙБИРОВАНИЕ САПФИРА НА ДЛИНАХ ВОЛН 1040 И 520 НМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Шуленкова, Е. В. Луценко, А. В. Данильчик, Я. А. Соловьёв, А. Н. Петлицкий, М. В. Киросирова | ||
| "... choice for use in the production of various devices, such as LEDs and transistors, cover glasses ..." | ||
| Том 20, № 8 (2022) | Влияние условий быстрого термического отжига на величину удельного сопротивления омических контактов металлизации Ti/Al/Ni/Au к гетероструктуре GaN/AlGaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, Я. А. Соловьёв | ||
| "... of intermetallic compounds, which leads to the degradation of the two-dimensional electron gas under the contacts ..." | ||
| № 3 (2019) | ИЗДЕЛИЯ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ, ДАТЧИКИ, БИОМЕДИЦИНСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Баранов | ||
| Том 18, № 4 (2020) | Оценка депрессивного состояния оператора мобильных технических систем под воздействием электромагнитного шумового излучения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Сидоренко, Н. А. Солодухо | ||
| "... by a transistor electromagnetic-noise generator with the power of 30 mW operating over the frequency range of 5 ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | The proton flux influence on electrical characteristics of a dual-channel hemt based on GaAs. | Аннотация похожие документы |
| I. Yu. Lovshenko, A. Yu. Voronov, P. S. Roshchenko, R. E. Ternov, Ya. D. Galkin, A. V. Kunts, V. R. Stempitsky, Jinshun Bi | ||
| "... of the device structure of dual-channel high electron mobility field effect transistor based on GaAs ..." | ||
| Том 21, № 3 (2023) | Алгоритмы синтеза технологических операций изготовления опытных образцов структурно-сложных изделий | Аннотация похожие документы |
| А. В. Петухов | ||
| "... опытных образцов структурно-сложных изделий используются алгоритмы: решения задачи прямого выбора ..." | ||
| № 4 (2019) | РОБОТИЗИРОВАННАЯ УСТАНОВКА БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. П. Яковлев | ||
| № 2 (2014) | ПРЕЦИЗИОННЫЕ СИСТЕМЫ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ ДЛЯ ОБОРУДОВАНИЯ ПРОИЗВОДСТВА ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Е. Карпович, В. В. Жарский, И. В. Дайняк | ||
| № 2 (2012) | ВЫБОР ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ РЕЖИМОВ УЛЬТРАЗВУКОВОЙ ОЧИСТКИ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИХ ИЗДЕЛИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Томаль | ||
| № 2 (2013) | ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ ОБРАБОТКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ В СТАТИСТИЧЕСКОМ ПРОЕКТИРОВАНИИ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. Г. Павлов, Т. Ч. Чан, А. И. Костров, В. В. Нелаев, В. Р. Стемпицкий | ||
| Том 23, № 1 (2025) | Исследование материалов для изготовления электродов, предназначенных для длительной регистрации электрокардиограммы | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. Е. Верига, Е. В. Лемешко, С. Н. Васюкевич | ||
| "... of the patient’s skin due to dehydration and surface degradation. The article pre sents the results of studies ..." | ||
| Том 21, № 1 (2023) | Разработка электродов нового поколения для регистрации биоэлектрических потенциалов сердца | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. В. Лемешко, С. Н. Васюкевич, С. В. Губкин | ||
| "... -service life, since their dehydration and surface degradation lead to the formation of various artifacts ..." | ||
| Том 19, № 5 (2021) | Перспективы применения IT для выбора и оценки поставщиков материалов и комплектующих изделий | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. Н. Гулевич, Г. М. Наливайко | ||
| "... . Суть проблемы состоит в выборе поставщиков материалов и комплектующих изделий для предприятий ..." | ||
| Том 23, № 5 (2025) | Вертикальные токопроводящие переходы в диэлектрических подложках на основе анодного оксида алюминия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Цаладонов, Д. В. Ревенько, С. А. Биран, А. В. Короткевич, П. Э. Новиков, К. В. Корсак | ||
| "... Развитие технологий 2,5D- и 3D-интеграций кристаллов предъявляет к корпусам изделий ..." | ||
| Том 21, № 5 (2023) | Формирование пленок сплавов систем Cr–Ni, Cr–Ni–Si и Fe–Ni методами сублимации и испарения для изделий электронной техники | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Зеленин, Е. О. Нарушко, А. Д. Гладинов | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Influence of radiation exposure on the properties of dielectric layers based on anodic aluminum oxide | Аннотация похожие документы |
| S. A. Biran, D. A. Korotkevich, A. V. Korotkevich, K. V. Garifov, A. D. Dashkevich | ||
| "... in electronic devices with a high degree of integration. Radiation exposure can lead to degradation ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Ab-initio simulation of hydrogenated graphene properties | Аннотация похожие документы |
| V. V. Murav’ev, V. M. Mishchenka | ||
| "... -speed transistor structures operating in the microwave and very high frequency ranges. ..." | ||
| Том 20, № 5 (2022) | Автоматизация проектирования карт раскроя листовых материалов в условиях производства | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. И. Якимов, Д. А. Денисевич, Е. А. Якимов | ||
| "... формирования схемы расположения изделий и расчета критерия «бесполезный материал» при раскрое листовых ..." | ||
| № 7 (2018) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ДЖОУЛЕВА НАГРЕВА В СРЕДЕ COMSOL MULTIPHYSICS | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Ф. Алексеев, Г. А. Пискун, Д. В. Калиновский, И. А. Ивлиев | ||
| "... COMSOL Multiphysics. Рассмотрен выбор материалов и задание их свойств для изделий электронной техники ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | АММИАЧНАЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Ржеуцкий, Я. А. Соловьев, А. Г. Войнилович, И. Е. Свитенков, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, Е. В. Луценко | ||
| "... /GaN high electron mobility transistor structure on a sapphire substrate with two-dimensional electron ..." | ||
| № 3 (2016) | ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПЕРСПЕКТИВНЫХ ОБРАЗЦОВ РАДИОТЕХНИКИ МЕТОДОМ экстраполяции | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Гринкевич | ||
| "... характеристик разрабатываемого изделия и оценки его перспективности. Полученные результаты могут использоваться ..." | ||
| № 8 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ ОБЪЕМНЫХ ВЫВОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Хмыль, И. И. Кузьмар, Л. К. Кушнер, Н. В. Богуш, М. М. Борисик, С. М. Завадский | ||
| "... , улучшить качественные характеристики изделий, увеличить количество приборов, получаемых на одной ..." | ||
| № 3 (2013) | УНИВЕРСАЛЬНАЯ КОМПЛЕКСНАЯ СИСТЕМА, ПОДДЕРЖИВАЮЩАЯ ОРГАНИЗАЦИЮ ЛАЗЕРНОЙ ЭКСПРЕССНОЙ ЭКСПЕРТИЗЫ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. В. Рудикова | ||
| "... , связанных с проведением материаловедческой экспертизы и исследованиями технологических изделий, историко ..." | ||
| Том 21, № 5 (2023) | Оптимизация параметров шумоподавления фильтров высокопроизводительных источников питания | Аннотация похожие документы |
| А. А. Шмелькова, В. В. Андреев, В. Е. Драч | ||
| "... Параметры готового электронного изделия могут не соответствовать расчетным, что обусловлено ..." | ||
| Том 22, № 2 (2024) | Исследования и разработки в области создания материалов, технологий и средств обеспечения безопасности | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Богуш, Л. М. Лыньков, Н. В. Насонова, С. Л. Прищепа, Е. С. Белоусова, О. В. Бойправ, Г. В. Давыдов, В. А. Попов, А. В. Потапович, Г. А. Пухир | ||
| "... устойчивости изделий электронной техники к сильным магнитным полям и помехоустойчивости. Показано, что при ..." | ||
| № 2 (2016) | СРАВНИТЕЛЬНАЯ ОЦЕНКА АЛЬТЕРНАТИВНЫХ МЕТОДОВ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА И ДИАГНОСТИКИ МОНТАЖНЫХ КОНСТРУКЦИЙ «П/П КРИСТАЛЛ - ПОДЛОЖКА» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. С. Волкенштейн, И. В. Дайняк, А. А. Хмыль | ||
| "... прогнозировать эксплуатационную надежность готовых изделий электронной техники и микроэлектроники. Достоверность ..." | ||
| № 7 (2016) | ДИНАМИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО СОГЛАСОВАНИЯ ПЛАЗМЕННОЙ ГАЗОРАЗРЯДНОЙ СИСТЕМЫ ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА И ВЫХОДНОГО ТРАКТА ГЕНЕРАТОРА ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ИМПУЛЬСОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. В. Годун, С. В. Бордусов, А. П. Достанко, А. И. Божко | ||
| "... стерилизации изделий медицинского назначения. ..." | ||
| № 8 (2015) | АНАЛИЗ УСЛОВИЙ ВОЗБУЖДЕНИЯ СВЧ-РАЗРЯДА НИЗКОГО ВАКУУМА В ПЛАЗМОТРОНЕ РЕЗОНАТОРНОГО ТИПА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. И. Мадвейко, С. В. Бордусов, М. С. Лушакова | ||
| "... объема (более 4000 см3) низкого вакуума для целей групповой обработки изделий в технологии ..." | ||
| Том 19, № 7 (2021) | Электрохимическое осаждение покрытий сплавом олово-медь | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. Ю. Гульпа, И. И. Кузьмар, Л. К. Кушнер, Н. В. Дежкунов, А. А. Хмыль | ||
| "... При сборке изделий электронной промышленности широко используются паяемые покрытия сплавами на ..." | ||
| Том 19, № 7 (2021) | Моделирование температурного поля и расчет механических напряжений при двулучевом лазерном управляемом термораскалывании кварцевого стекла | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Емельянов, Е. Б. Шершнев, С. И. Соколов, А. Н. Купо | ||
| "... получаемых изделий микроэлектроники. ..." | ||
| № 7-8 (2019) | ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ХРОМА НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьев, В. А. Пилипенко | ||
| "... неидеальности 1,1. Полученные результаты могут быть использованы в технологии создания изделий интегральной ..." | ||
| № 7-8 (2019) | ВЛИЯНИЕ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ, ИСПОЛЬЗУЕМОГО В КАЧЕСТВЕ РАЗДЕЛИТЕЛЬНОГО ДИЭЛЕКТРИКА КРЕМНИЕВЫХ ЛАВИННЫХ СВЕТОДИОДОВ, НА ИХ ХАРАКТЕРИСТИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ви Ле Динь, А. Ю. Клюцкий, А. А. Долбик, А. А. Лешок, С. К. Лазарук | ||
| "... функционирования, что является важным фактором для их практического использования при разработке изделий кремниевой ..." | ||
| Том 20, № 3 (2022) | Влияние температуры быстрого термического отжига на электрофизические свойства омического контакта металлизации Ti/Al/Ni к гетероструктуре GaN/AlGaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, Я. А. Соловьев, Д. В. Жигулин | ||
| "... нелинейной. Полученные результаты могут быть использованы в технологии создания изделий на основе GaN с ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Модель прогнозирования времени тестирования компьютерной программы автоматизированной оценки надежности полупроводниковых приборов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Казючиц, С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров | ||
| "... программного комплекса АРИОН-плюс и позволяет выполнять автоматизированную оценку надежности изделий ..." | ||
| Том 19, № 3 (2021) | Анализ программ для расчета системных характеристик сверхширокополосных радиоприемных трактов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. В. Архипенков | ||
| "... При проектировании радиотехнических изделий на ранних стадиях одной из важнейших решаемых ..." | ||
| Том 19, № 1 (2021) | Способ анализа структуры и свойств регенерированных полимерных волокнистых фильтроматериалов для тонкой очистки воздуха | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Г. Кравцов, М. В. Тумилович, Л. П. Пилиневич | ||
| "... Ужесточение требований к качеству и надежности выпускаемых изделий, а также необходимость ..." | ||
| Том 23, № 3 (2025) | Влияние импульсной фотонной обработки в среде азота на оптические и электрофизические характеристики слоев двуокиси кремния и ее границы с кремнием | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. С. Ковальчук, В. А. Пилипенко, Я. А. Соловьёв | ||
| "... покрытий в изделиях электронной техники. ..." | ||
| Том 18, № 1 (2020) | ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК НИКЕЛЯ НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьёв, В. А. Пилипенко | ||
| "... температуре 400–450°С. Полученные результаты могут быть использованы в технологии создания изделий ..." | ||
| 1 - 88 из 88 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
