Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 22, № 3 (2024) | Влияние рекристаллизации механически нарушенного слоя с рабочей стороны кремниевой пластины на электрические параметры КМОП интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, А. А. Сергейчик, Д. В. Шестовский | ||
| "... metal-oxide-semiconductor microcircuits has been established. The analyzed characteristics of n- and p ..." | ||
| Том 22, № 4 (2024) | Взаимовлияние электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом в условиях зарядовой неустойчивости | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Зайцев, Д. А. Подрябинкин, В. В. Мельникова, А. Л. Данилюк | ||
| "... of a transistor structure with a two-dimensional semiconductor channel of the band gap of the channel material ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, В. Т. Шандарович, Дао Динь Ха | ||
| № 7 (2015) | КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, Д. ХА. Дао, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| № 5 (2013) | МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. П. Лазарь, Ф. П. Коршунов | ||
| "... LN1 microcircuit is investigated for gamma Co60 irradiation. ..." | ||
| № 2 (2017) | ЭФФЕКТЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И ПАМЯТИ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Б. С. Колосницын, Е. Ф. Троян | ||
| Том 19, № 6 (2021) | Моделирование прямой ветви вольт-амперных характеристик диодов Шоттки с МОП-канавками | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьёв | ||
| "... characteristic of Schottky diodes with a metal – oxide – semiconductor (MOS) trench structure, which takes ..." | ||
| № 2 (2014) | НАНОРАЗМЕРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ: ДОСТИЖЕНИЯ ЦЕНТРА НАНОЭЛЕКТРОНИКИ И НОВЫХ МАТЕРИАЛОВ БГУИР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Е. Борисенко | ||
| "... and semiconductors, nanostructures with the effect of tunneling magnetoresistance, nanodimensional HfO2 films ..." | ||
| № 5 (2016) | СИНТЕЗ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ЭВТЕКТИЧЕСКОГО СОСТАВА СИСТЕМЫ GaSb-MnSb | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ф. Маренкин, О. А. Новодворский, В. В. Баранов, В. М. Трухан, Т. В. Шёлковая, А. М. Струц | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Исследования электрофизических свойств тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом быстрой термообработки | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. С. Ковальчук, А. А. Омельченко, В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, С. А. Демидович, В. В. Колос, В. А. Филипеня, Д. В. Шестовский | ||
| "... Researches of the electrophysical characteristics of gate dielectrics obtained by the rapid ..." | ||
| № 2 (2019) | АТОМАРНАЯ СТРУКТУРА, ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ, ОПТИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Е. Борисенко, А. В. Кривошеева, Д. Б. Мигас, В. А. Пушкарчук, А. Б. Филонов, В. Л. Шапошников | ||
| "... of promising low-dimensional structures from semiconductors, performed for the past five years at the Center ..." | ||
| Том 22, № 5 (2024) | Влияние быстрой термообработки при формировании контактов алюминий-поликремний на электрические параметры КМОП микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв, Д. В. Шестовский, Д. В. Жигулин | ||
| "... as the analyzed parameters of n- and p-channel transistors: at the gate when diode-connected; on the drain ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Электронные и магнитные свойства перовскитов АВО3 (A - Ca, Ce, Y, Na; B - Ti, Nb, Fe, Mn, Ta; O) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. А. Проскурова, Д. Ч. Гвоздовский, М. С. Баранова, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... of compounds with a semiconductor (band gap from 1.65 to 2.99 eV) and metallic type of conductivity. The direct ..." | ||
| № 4 (2017) | МЕТОДИКА МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ ОБЪЕМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, В. Е. Борисенко | ||
| "... semiconductors based on the electron density functional theory is performed and a technique taking into account ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Низкоразмерный магнетизм в соединениях с различной размерностью магнитного взаимодействия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. С. Баранова | ||
| "... systems are presented. It has been shown that ZnO crystal may be used as a semiconductor non-magnetic ..." | ||
| № 5 (2013) | КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ДИОДОВ ШОТТКИ С МОП КАНАВОЧНОЙ СТРУКТУРОЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Котов, Н. Ф. Голубев, В. Е. Борисенко | ||
| "... технологии изготовления диодов Шоттки с металл-окисел-полупроводник (МОП) канавочной структурой на кремнии ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Влияние термической нагрузки при формировании контактов Al-Al на электрические параметры интегральных микросхем с контактами алюминий-поликремний | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв, Д. В. Шестовский, Д. В. Жигулин | ||
| "... field tests were chosen as the analyzed parameters of this microcircuit. Comparison of these parameters ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Формирование и свойства композитных гетеросистем на основе макропористого кремния, графитоподобного нитрида углерода и полупроводниковых соединений | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. П. Гребнев, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко | ||
| "... , graphitic carbon nitride and wide band semiconductors zinc oxide and zinc sulfide (g-C3N4/ZnO/ZnS) from ..." | ||
| № 7 (2012) | ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ИЗОБРАЖЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк | ||
| "... The structural scheme, band diagram, working principle and electrical properties of semiconductor ..." | ||
| Том 22, № 5 (2024) | Схемотехническое моделирование воздействия тяжелых заряженных частиц на переходные процессы в биполярных аналоговых микросхемах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, И. Ю. Ловшенко, Чонг Тхань Нгуен | ||
| "... of single event transients (short current pulses), which in analog microcircuits manifest themselves ..." | ||
| № 8 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ ОБЪЕМНЫХ ВЫВОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Хмыль, И. И. Кузьмар, Л. К. Кушнер, Н. В. Богуш, М. М. Борисик, С. М. Завадский | ||
| "... Using nonstationary regimes electrolysis for electrodepositing silver solder bump semiconductor ..." | ||
| № 4 (2015) | ЗОННАЯ СТРУКТУРА 3D И 2D РАЗМЕРНОГО Ca2Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Богородь, В. Л. Шапошников, А. Б. Филонов, Б. С. Колосницын, Д. Б. Мигас | ||
| "... ) are direct bandgap semiconductors while Ca2Si(001) thin films show the metallic properties because of surface ..." | ||
| Том 20, № 3 (2022) | Улучшенная модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский | ||
| "... A double gate JFETs are often used in analog integrated circuits to provide an extremely low input ..." | ||
| Том 19, № 4 (2021) | Формирование подзатворного диэлектрика нанометровой толщины методом быстрой термообработки | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. С. Ковальчук, А. А. Омельченко, В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, Д. В. Шестовский | ||
| "... the electrophysical parameters of gate oxides by the RTP method. It is of interest for integrated circuits (ICS ..." | ||
| Том 19, № 7 (2021) | Экспериментальные исследования и модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... considers the results of experimental studies of the double gate junction field-effect transistor ..." | ||
| № 5 (2018) | КОЛИЧЕСТВЕННЫЙ КОНТРОЛЬ ТОПОГРАФИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ф. Сенько, А. С. Сенько, В. А. Зеленин | ||
| "... The calculation of shadow images of the surfaces of semiconductor silicon wafers obtained by Makyoh ..." | ||
| № 2 (2017) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
| Том 20, № 1 (2022) | Эвристическая модель прогнозирования работоспособности полупроводниковых приборов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Казючиц, С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров | ||
| Том 21, № 2 (2023) | Влияние электрического поля на свойства гидрированного графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьёв, В. Н. Мищенко | ||
| "... semiconductor devices for various frequency ranges. The influence of an external electric field ..." | ||
| Том 21, № 4 (2023) | Моделирование из первых принципов свойств графена, модифицированного атомами фтора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Мищенко | ||
| "... . The creation of modern semiconductor devices requires the introduction of new materials. Graphene is one ..." | ||
| № 8 (2016) | БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ В ОБЪЕМНОМ КРЕМНИИ И ПО ТЕХНОЛОГИИ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ш. Ибрагим, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... -gate bipolar transistor (IGBT), formed in bulk silicon and using «Silicon on Insulator» (SOI ..." | ||
| № 5 (2018) | РАЗЛИЧНЫЕ ТИПЫ СТРУКТУР АНТИПРОЖИГАЕМЫХ ПЕРЕМЫЧЕК ДЛЯ ПРОГРАММИРУЕМЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕМ ВЕНТИЛЬНЫХ МАТРИЦ И ПОСТОЯННЫХ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Петрович, В. П. Бондаренко, А. Л. Долгий, С. В. Редько | ||
| "... The use of anti-fuses as programmable elements is becoming popular in field programmable gate ..." | ||
| № 4 (2016) | МОДИФИКАЦИЯ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ MoS2 ПРИ ЗАМЕЩЕНИИ АТОМОВ СЕРЫ АТОМАМИ ТЕЛЛУРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, В. Е. Борисенко | ||
| "... and MoS2 compounds in a bulk phase are indirect-gap semiconductors while one monomolecular layer of MoS2 ..." | ||
| Том 21, № 2 (2023) | Резисторная модель слоистых пленочных структур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Тунг Фам Ван, Е. Б. Чубенко, В. Е. Борисенко | ||
| "... by nanocrystalline grains of a semiconductor are proposed to be modeled with an equivalent scheme, in which resistors ..." | ||
| Том 18, № 7 (2020) | Электронные свойства квазидвумерных халькогенидов переходных металлов с низкоразмерным магнетизмом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. С. Баранова, П. А. Проскурова | ||
| "... under study, CrGeTe3 is a semiconductor nanosized ferromagnet. In addition, one is a semiconductor ..." | ||
| № 2 (2016) | СРАВНИТЕЛЬНАЯ ОЦЕНКА АЛЬТЕРНАТИВНЫХ МЕТОДОВ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА И ДИАГНОСТИКИ МОНТАЖНЫХ КОНСТРУКЦИЙ «П/П КРИСТАЛЛ - ПОДЛОЖКА» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. С. Волкенштейн, И. В. Дайняк, А. А. Хмыль | ||
| "... been earlier expanded concerning to study “semiconductor chip - substrate” assemblies peculiarity, has ..." | ||
| № 5 (2018) | ЭФФЕКТИВНОСТЬ МОДЕЛЕЙ ДЕГРАДАЦИИ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ ПРИ ПРОГНОЗИРОВАНИИ ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ НАДЕЖНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, Н. И. Цырельчук, С. С. Дик, Е. Н. Шнейдеров | ||
| "... For semiconductor devices of high power, the authors experimentally obtained of models ..." | ||
| № 8 (2018) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ НА ОСНОВЕ ГРАФЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
| "... The results of modeling of electron transfer processes in a three-dimensional semiconductor ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С InGaZnO-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СЛОЕМ ДЛЯ АКТИВНО-МАТРИЧНОЙ АДРЕСАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Б. А. Казаркин, А. А. Степанов, Е. В. Муха, И. И. Захарченя, Е. А. Хохлов, А. Г. Смирнов | ||
| "... semiconductor compound (IGZO) for active-matrix displays addressing formed by magnetron plasma-chemical ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Ab initio calculations of electronic band structure of CdMnS semimagnetic semiconductors | Аннотация похожие документы |
| М. А. Mehrabova, N. T. Panahov, N H. Hasanov | ||
| "... This work is devoted to theoretical investigations of Cd1-xMnxS semimagnetic semiconductors (SMSC ..." | ||
| Том 18, № 7 (2020) | Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре с использованием графена и нитрида бора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
| "... -dimensional semiconductor structure containing graphene and layers of boron hexagonal nitride using the Monte ..." | ||
| № 6 (2016) | ТРЕХМЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК GaAs ТРАНЗИСТОРОВ С СУБМИКРОННОЙ ДЛИНОЙ ЗАТВОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Мищенко | ||
| "... the gate are analyzed. Many particle Monte Carlo method with the solving of the Poisson equation are used ..." | ||
| № 5 (2018) | ВЛИЯНИЕ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА НА ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ МОSFЕТ ТРАНЗИСТОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Влияние быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры микросхем временных устройств | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко | ||
| "... The paper is dedicated to influence of the rapid thermal treatment of the gate dielectric ..." | ||
| Том 22, № 6 (2024) | Конструктивные решения приборных структур биполярных транзисторов с изолированным затвором и вертикальным расположением канала | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Чонг Тхань Нгуен, Дао Динь Ха, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... of vertical channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) device structures designed according ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Модель прогнозирования времени тестирования компьютерной программы автоматизированной оценки надежности полупроводниковых приборов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Казючиц, С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров | ||
| "... products, including semiconductor devices. At the stage of work planning on the creation of the KLASS ..." | ||
| Том 19, № 1 (2021) | Индивидуальное прогнозирование надежности транзисторов большой мощности для электронных устройств медицинского назначения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, В. О. Казючиц | ||
| "... reliable semiconductor devices in electronic equipment. Experimental studies and the example of high-power ..." | ||
| Том 19, № 5 (2021) | Архитектура процессора вычисления дискретного косинусного преобразования для систем сжатия изображения по схеме losless-to-lossy | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Ключеня | ||
| Том 19, № 3 (2021) | Проектирование процессора вычисления дискретного косинусного преобразования для систем сжатия изображения по схеме losless-to-lossy | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Ключеня | ||
| Том 21, № 6 (2023) | Проектирование BJT-JFET операционных усилителей на базовом матричном кристалле | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Кунц, О. В. Дворников, В. А. Чеховский | ||
| "... The use of dual-gate field-effect transistors located on the base matrix crystal MH2XA031 ..." | ||
| № 2 (2019) | ФИЗИЧЕСКАЯ КРИПТОГРАФИЯ И ЗАЩИТА ЦИФРОВЫХ УСТРОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Иванюк, С. С. Заливако | ||
| Том 21, № 4 (2023) | Механизм формирования фиксированного заряда в слое SiO2, полученном термическим окислением кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, А. А. Омельченко | ||
| № 7 (2017) | ANALYTICAL SOLUTION OF EQUATIONS SET DESCRIBING DIFFUSION OF POINT DEFECTS IN THE 2-LAYER SEMICONDUCTOR STRUCTURE | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| , | ||
| "... The boundary-value problem on impurity and point defect diffusion in the 2-layer semiconductor ..." | ||
| Том 21, № 5 (2023) | Влияние ориентации каналов в кулерах воздушного охлаждения на эффективность отведения тепла от процессоров | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Г. А. Пискун, В. Ф. Алексеев, А. Н. Беликов, Д. Г. Рыбаков | ||
| "... such powerful semiconductor devices as processors are presented. Experiments were performed in the SOLIDWORKS ..." | ||
| № 6 (2017) | ОПРЕДЕЛЕНИЕ ИНТЕНСИВНОСТЕЙ РАССЕИВАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В ОДИНОЧНОМ СЛОЕ ГРАФЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
| "... , makes graphene a promising material for the creation of new semiconductor devices with good output ..." | ||
| № 2 (2017) | ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА САМОРАСПРОСТРАНЯЮЩЕГОСЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СИНТЕЗА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРИСТЫХ ВАКУУМНЫХ ВСТАВОК ПЛАНШАЙБ ОБОРУДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. В. Тумилович, Л. П. Пилиневич, А. М. Тарайкович, В. Е. Толстик, Г. А. Шеко | ||
| "... -temperature synthesis of porous vacuum inserts of the faceplates used by production of semiconductor silicon ..." | ||
| № 7-8 (2019) | ИНТЕНСИВНОСТИ РАССЕИВАНИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ГРАФЕНЕ, РАСПОЛОЖЕННОМ НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ ГЕКСОГОНАЛЬНОГО НИТРИДА БОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
| "... for the formation of new semiconductor devices with good characteristics for the microwave and HF bands. Formulas ..." | ||
| Том 19, № 4 (2021) | Схема поляризационного разнесения для масштабирования сети WDM/TDM GPON до 60 км с использованием полупроводниковых оптических усилителей на квантовых точках | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Тусупов, А. Т. Тохметов, Н. И. Листопад | ||
| "... , the suburbs and the countryside. To solve this problem, it is proposed to use quantum dot semiconductor ..." | ||
| Том 18, № 5 (2020) | Индивидуальное прогнозирование надежности биполярных транзисторов с использованием электрического напряжения в качестве имитационного фактора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров, А. И. Бересневич, В. О. Казючиц | ||
| "... Individual forecasting of the reliability of semiconductor devices, taking into account gradual ..." | ||
| Том 20, № 2 (2022) | Эффекты рассеяния электронов в гексогональном нитриде бора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьёв, В. Н. Мищенко | ||
| "... for the formation of new semiconductor devices with good characteristics for the ranges of ultrahigh and extreme ..." | ||
| № 8 (2013) | ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (CuInSe2)x-(2ZnSe)1-x | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Н. Цырельчук, В. В. Хорошко, В. Ф. Гременок, В. А. Иванов | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Делокализация электронных состояний В n-Si при низких температурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Л. Данилюк, А. Г. Трафименко, А. К. Федотов, С. Л. Прищепа | ||
| "... of the parameters describing the electric transport in semiconductors, such as activation energy, non-equilibrium ..." | ||
| Том 18, № 2 (2020) | ФОРМИРОВАНИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОСАЖДЕННОГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ МЕТОДОМ ЛЕГИРОВАННОГО НИКЕЛЕМ ОКСИДА ЦИНКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. О. Янушкевич, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко | ||
| "... and dopant atoms in the doped semiconductor, which in turn changes the position of the corresponding levels ..." | ||
| Том 22, № 5 (2024) | Особенности структуры пористого кремния, сформированного на сильнолегированных пластинах монокристаллического кремния электронного типа проводимости | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| У. П. Лопато, Д. Д. Лапутько, Н. Л. Гревцов, В. П. Бондаренко | ||
| "... of metals and semiconductors. ..." | ||
| № 2 (2014) | ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Сокол, С. А. Костюченко | ||
| "... hybrid microcircuits and multichip packages are cited. Aluminium substrates, multiple-level system ..." | ||
| № 8 (2017) | ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ВАКУУМНОГО ПЛАНАРНОГО ТРИОДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Ф. Столяр, А. Л. Данилюк, В. Е. Борисенко | ||
| "... Modeling of anode and gate characteristics of solid-state vacuum microtriode was made in this work ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Ab-initio simulation of hydrogenated graphene properties | Аннотация похожие документы |
| V. V. Murav’ev, V. M. Mishchenka | ||
| "... is considered one of the most promising materials for the formation of new semiconductor devices with good ..." | ||
| № 8 (2016) | ВЛИЯНИЕ ТЕПЛОВОГО РЕЖИМА НА НАДЕЖНОСТЬ И ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ПРИБОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. .. Атаев | ||
| "... The cooling systems for semiconductor integrated circuits with high degree of integration ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Energy levels of an electron in a circular quantum dot in the presence of spin-orbit interactions | Аннотация похожие документы |
| А. V. Baran, V. V. Kudryashov | ||
| "... The two-dimensional circular quantum dot in a double semiconductor heterostructure is simulated ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Modeling AlGaN p-i-n photodiodes | Аннотация похожие документы |
| N. N. Vorsin, A. A. Gladyshchuk, T. L. Kushner, N. P. Tarasiuk, S. V. Chugunov, M. V. Borushko | ||
| "... of interaction of a semiconductor with EM radiation, we used a model based on the use of an element ..." | ||
| № 3 (2017) | ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ 90-НАНОМЕТРОВОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. М. Боровик, В. Т. Ханько, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... semiconductor devices based on optimization methods application is developed. The proposed approach efficiency ..." | ||
| Том 18, № 7 (2020) | Моделирование воздействия тяжелой заряженной частицы на электрические характеристики приборной структуры n-МОП-транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, В. Т. Шандарович | ||
| "... microcircuits, with increased resistance to the impact of heavy charged particles, prevents single events from ..." | ||
| № 7 (2017) | ФЛУОРЕСЦЕНТНАЯ ДИАГНОСТИКА КАРИЕСА ЗУБОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. С. Ляшенко, М. П. Самцов, Е. С. Воропай, А. В. Бутвиловский, В. Р. Гайфуллина, М. В. Бобкова | ||
| "... of the specially designed spectrometric system with excitation by a semiconductor laser source with a wavelength ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | COLOR AND SPECTRAL CHARACTERISTICS OF WHITE LIGHT EMITTING DIODES AND THEIR VARIATION DURING AGING | Аннотация похожие документы |
| A. L. Gurskii, M. V. Masheda | ||
| "... the semiconductor heterostructure, and the broad “yellow” band from luminophor, the last band is nonelementary ..." | ||
| Том 19, № 1 (2021) | Исследование режимов работы высоковольтного источника питания для возбуждения разряда барьерного типа | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Л. Барахоев, О. И. Тихон, В. В. Тубольцев | ||
| "... :1000 voltage divider with a C1-65A oscilloscope. The shape of the gate trigger pulses was obtained ..." | ||
| Том 19, № 3 (2021) | Двулучевая лазерная очистка кварцевого сырья | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Емельянов, Е. Б. Шершнев, С. И. Соколов | ||
| "... to manufacture photomasks used in the production of microcircuits with improved performance characteristics. ..." | ||
| № 5 (2016) | ЗОННАЯ СТРУКТУРА НАНОШНУРОВ СИЛИЦИДА КАЛЬЦИЯ Ca2Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Богородь, С. А. Волчёк, Д. Б. Мигас | ||
| "... and different morphologies are presented. It's found that Ca2Si<001> nanowires are direct bandgap semiconductors ..." | ||
| № 6 (2013) | КАЛИБРОВКА СИСТЕМЫ, ПРЕДНАЗНАЧЕННОЙ ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПРОВОДНИКОВ НА ПОДЛОЖКЕ МИКРОСХЕМЫ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Н. Губчик | ||
| "... of estimation position of the conductor connecting the semiconductor chip and the substrate. A nonlinear model ..." | ||
| Том 19, № 3 (2021) | Анализ результатов опытной эксплуатации комплекса охраны протяженных периметров ВМ8018. | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. Л. Утин, А. В. Павловский, А. А. Ольховик, А. В. Макатерчик | ||
| "... executive devices (electric drives for gates and gates, lighting etc.), video surveillance. ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Ускоренные испытания транзисторов большой мощности на длительную наработку при решении задач прогнозирования их надежности методом имитационных воздействий | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Казючиц, Е. В. Калита, С. М. Боровиков, А. И. Бересневич | ||
| "... When evaluating the individual reliability of semiconductor devices by gradual failures ..." | ||
| Том 20, № 5 (2022) | Особенности проектирования зарядочувствительных усилителей на арсенид-галлиевом базовом кристалле | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, A. B. Кунц, А. А. Павлючик | ||
| "... in this master slice: DpHEMT with gate dimensions 100 ηm/0,2 ηm and 10 ηm/0,2 ηm; p-n-p HBT, they were chosen ..." | ||
| № 6 (2012) | КОНТРОЛЬ ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ МИКРОКОНТРОЛЛЕРОВ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО РАЗРЯДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Г. А. Пискун, В. Ф. Алексеев | ||
| "... in the consideration of functional units, and allows to define the scope of preserving the integrity of semiconductor ..." | ||
| Том 19, № 5 (2021) | Низкотемпературный мультидифференциальный операционный усилитель | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, А. В. Кунц, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... for the loss of OAmp3 performance is an increase of the resistance of semiconductor resistors by almost 5 ..." | ||
| № 8 (2015) | АНАЛИЗ УСЛОВИЙ ВОЗБУЖДЕНИЯ СВЧ-РАЗРЯДА НИЗКОГО ВАКУУМА В ПЛАЗМОТРОНЕ РЕЗОНАТОРНОГО ТИПА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. И. Мадвейко, С. В. Бордусов, М. С. Лушакова | ||
| "... change caused by its partial loading with semiconductor wafers leads to the decrease of resonator’s total ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | First-principles study of stability and electronic properties of single-element 2D materials | Аннотация похожие документы |
| D. C Hvazdouski | ||
| "... indicates the presence of insulators (N2), semiconductors (P2, As2, Bi2, Sb2), semimetals, and metals among ..." | ||
| № 7-8 (2019) | ИНТЕЛЛЕКТНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ВЕЙВЛЕТ-АНАЛИЗА ВИБРАЦИОННЫХ СИГНАЛОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Гулай, В. М. Зайцев | ||
| "... components often arises in the narrow timing gate. This requires the use of wavelet-transformation ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | АММИАЧНАЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Ржеуцкий, Я. А. Соловьев, А. Г. Войнилович, И. Е. Свитенков, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, Е. В. Луценко | ||
| "... are important for creating of nitride-based UV-emitting optoelectronic semiconductor devices, as well as high ..." | ||
| Том 18, № 1 (2020) | КОНДЕНСАТОРНЫЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК ТИТАНАТА БАРИЯ, СФОРМИРОВАННЫХ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОДОМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. А. Холов, Н. В. Гапоненко, К. В. Шейдакова, В. И. Крымский, В. А. Филипеня, Т. В. Петлицкая, В. В. Колос, А. Н. Петлицкий | ||
| "... monochromatic CuKα radiation. Capacitance-voltage characteristics were obtained using a B1500A semiconductor ..." | ||
| 1 - 88 из 88 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
