Для цитирования:

Дворников О.В., Чеховский В.А., Ловшенко И.Ю., Нгуен Ч.Т. Схемотехническое моделирование воздействия тяжелых заряженных частиц на переходные процессы в биполярных аналоговых микросхемах. Доклады БГУИР. 2024;22(5):33-42. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-5-33-42

For citation:

Dvornikov O.V., Tchekhovski V.A., Lovshenko I.Yu., Nguyen T.T. Circuit Modeling of the Impact of Heavy Charged Particles on Transient Processes in Bipolar Analog Microcircuits. Doklady BGUIR. 2024;22(5):33-42. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-5-33-42