Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

ПРОЕКТИРОВАНИЕ IGBT-ПРИБОРА ВЫСОКОГО БЫСТРОДЕЙСТВИЯ

Полный текст:

Аннотация

Представлены результаты исследования влияния технологических параметров формирования структуры IGBT-прибора на его динамические характеристики. Показано, что быстродействие (время включения и выключения) структуры существенно определяется технологическими параметрами формирования как биполярного транзистора, так и МОП-транзистора - составляющих элементов IGBT-прибора. Показано, что на быстродействие прибора не влияет уровень концентрации примеси в эмиттере биполярного транзистора и проявляется лишь небольшое влияние степени легирования базы. В большей мере динамические характеристики IGBT-структуры определяются дозой и энергией ионов при имплантационном подлегировании области канала МОП-транзистора (при увеличении дозы в 2 раза время включения и выключения снижаются почти на 20 % каждое, а при увеличении энергии ионов на 20 % длительность выходного импульса увеличивается почти на 25 %).

Об авторах

И. Ю. Ловшенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


В. Р. Стемпицкий
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


А. С. Турцевич
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


И. .. Шелибак
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


Список литературы

1. Vellvehi M., Flores D., Jorda X. et al. // Microelectronics Journal. 2002. № 33. P. 765-769.

2. Lindemann A. A. // Entwurf fur EPE Conference, Graz. 2001. P. 1-7.

3. Dodge J., Hess J. // Application Technology APT0201 Rev. B. 2002. July 7. 15 pp.

4. Dodge J. // Application Technology APT0302 Rev. B. 2003. April 4. 6 pp.

5. Khanna V.K. The Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT. Theory and Design. The Institute of Electrical and Electronics Engineers Edition. 2003. 544 pp.

6. Virtual Wafer Fab user manual. Silvaco Inc. 2012.

7. Belous A., Lovshenko I., Nelayev V. et. al. / Proc. of the 38th Euromicro Conference on Software Engineering and Advanced Applications (SEAA’2012). Turkey, Izmir, 5-8 September 2012. P. 13-15.


Для цитирования:


Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р., Турцевич А.С., Шелибак И... ПРОЕКТИРОВАНИЕ IGBT-ПРИБОРА ВЫСОКОГО БЫСТРОДЕЙСТВИЯ. Доклады БГУИР. 2013;(4):10-15.

For citation:


Lovshenko I.Y., Stempitsky V.R., Turtsevich A.S., Shelibak I... DESIGN OF HIGH-SPEED IGBT DEVICE. Doklady BGUIR. 2013;(4):10-15. (In Russ.)

Просмотров: 39


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)