Для цитирования:

Нгуен Ч.Т., Ха Д.Д., Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р. Конструктивные решения приборных структур биполярных транзисторов с изолированным затвором и вертикальным расположением канала. Доклады БГУИР. 2024;22(6):81-89. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-6-81-89

For citation:

Nguyen T.T., Ha D.D., Lovshenko I.Yu., Stempitsky V.R. Design Solutions for Device Structures of Bipolar Transistors with an Insulated Gate and a Vertical Channel Arrangement. Doklady BGUIR. 2024;22(6):81-89. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-6-81-89