Для цитирования:

Солодуха В.А., Пилипенко В.А., Горушко В.А. Влияние быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры микросхем временных устройств. Доклады БГУИР. 2020;18(3):20-27. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-3-20-27

For citation:

Saladukha V.A., Pilipenko V.A., Gorushko V.A. Influence of the rapid thermal treatment of the gate dielectric on the parameters of integrated circuits of time devices. Doklady BGUIR. 2020;18(3):20-27. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-3-20-27