Выпуск | Название | |
№ 4 (2016) | МОДИФИКАЦИЯ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ MoS2 ПРИ ЗАМЕЩЕНИИ АТОМОВ СЕРЫ АТОМАМИ ТЕЛЛУРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, В. Е. Борисенко | ||
"... The electron energy band gap in one monomolecular layer of molybdenum dichalcogenide MoS2 ..." | ||
№ 5 (2019) | Формирование пленок оксида титана методом реактивного магнетронного распыления | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. Вилья, Д. А. Голосов, Т. Д. Нгуен | ||
"... of dielectric constant, dielectric loss tangent, band gap, leakage current density on oxygen content in Ar/O2 ..." | ||
№ 5 (2014) | ELECTRONIC AND DYNAMICAL PROPERTIES OF BULK AND LAYERED MoS2 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
, , , | ||
"... that the band gap of bulk MoS2 is increasing upon decreasing of the number of layers from 0.76 eV up to 1.85 eV ..." | ||
№ 4 (2017) | МЕТОДИКА МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ ОБЪЕМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, В. Е. Борисенко | ||
"... of calculations of electronic spectra and optical functions of MoS2 obtained in the framework of various ..." | ||
Том 19, № 2 (2021) | Сравнительный анализ изменения кислородной нестехиометрии и сверхструктурного упорядочения катионов Fe/Mo в ферромолибдате стронция | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Л. И. Гурский, Н. А. Каланда, М. В. Ярмолич, А. В. Петров, Д. А Голосов, М. В. Киросирова, О. В. Игнатенко, А. Л. Желудкевич | ||
"... Sr2FeMoO6–δ single-phase samples without Fe/Mo cations superstructural ordering (P) and with Curie ..." | ||
№ 3 (2016) | Ю.В. БОГАТЫРЕВ, С.Б. ЛАСТОВСКИЙ, С.А. СОРОКА*, С.В. ШВЕДОВ*, Д.А. ОГОРОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ю. В. Богатырев, С. Б. Ластовский, С. А. Сорока, С. В. Шведов, Д. А. Огородников | ||
"... The results of experimental researches of influence of gamma radiation Со60 on test MOS/SOI ..." | ||
№ 3 (2015) | ВЛИЯНИЕ МОРФОЛОГИИ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА <111>-ОРИЕНТИРОВАННЫХ GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP и InSb НАНОШНУРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Д. А. Яцыно, Д. Б. Мигас, Я. С. Арситов, А. Б. Филонов, Б. С. Колосницын | ||
"... The results of calculations by means of the first principles methods of the <111> -oriented GaP ..." | ||
Том 19, № 6 (2021) | Моделирование прямой ветви вольт-амперных характеристик диодов Шоттки с МОП-канавками | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Я. А. Соловьёв | ||
"... characteristic of Schottky diodes with a metal – oxide – semiconductor (MOS) trench structure, which takes ..." | ||
Том 20, № 1 (2022) | Основы теории атома водорода для задач синтеза квантово-электронных схем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. П. Кобяк | ||
"... На основе нетрадиционной концепции формирования линейчатого спектра атома водорода получено ..." | ||
Том 21, № 4 (2023) | Моделирование из первых принципов свойств графена, модифицированного атомами фтора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Н. Мищенко | ||
"... Приведены результаты моделирования свойств графена, модифицированного атомами фтора. Создание ..." | ||
№ 1 (2017) | СТРУКТУРА ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ, ФОРМИРУЮЩЕГОСЯ В СИСТЕМЕ Mo-Si ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Р+ ЧЕРЕЗ ПЛЕНКУ МОЛИБДЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ю. П. Снитовский, Л. П. Ходарина | ||
"... -implant annealing of Si implantation and an annealing of Mo-Si system and of irradiation by phosphorus ..." | ||
№ 6 (2016) | ЯВЛЕНИЕ СЕГРЕГАЦИИ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ В ОБЛАСТИ ЗАЛЕГАНИЯ p-n-ПЕРЕХОДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. И. Величко | ||
"... В рамках микроскопического механизма диффузии посредством образования, миграции и распада пар «атом ..." | ||
№ 1 (2014) | ОПТИМИЗАЦИЯ УСЛОВИЙ СИНТЕЗА КОМПОЗИТОВ ЦИРКОНАТА-ТИТАНАТА СВИНЦА БАРИЯ, СОДЕРЖАЩИХ АТОМЫ МЕТАЛЛОВ, И ИХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Л. И. Гурский, Я. .. Мацуткевич, М. Н. Сарасеко, О. Г. Поддубская, А. В. Петров, Н. А. Каланда, А. А. Климза, О. В. Игнатенко, П. Н. Киреев | ||
№ 2 (2017) | ЭФФЕКТЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И ПАМЯТИ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Б. С. Колосницын, Е. Ф. Троян | ||
"... порогового переключения на основе одного халькогена-теллура. ..." | ||
№ 8 (2015) | ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ МАТЕРИАЛОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. Т. Квасов, В. В. Углов, И. Л. Дорошевич | ||
"... формализм Ed , является неустойчивая пара «вакансия - междоузельный атом», так называемый динамический ..." | ||
Том 21, № 4 (2023) | Механизм формирования фиксированного заряда в слое SiO2, полученном термическим окислением кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Пилипенко, А. А. Омельченко | ||
Том 22, № 3 (2024) | О лакунах в порядках полных групп изометрий и гомотетий в специализированных римановых пространствах и метрики самых подвижных этих пространств первых шести лакунарностей | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
З. Н. Четыркина | ||
"... . It turns out that there are lacunas (gaps) in the orders r of complete groups of isometries Gr ..." | ||
№ 8 (2017) | ВЗАИМОСВЯЗЬ МЕЖДУ КИСЛОРОДНОЙ НЕСТЕХИОМЕТРИЕЙ И СВЕРХСТРУКТУРНЫМ УПОРЯДОЧЕНИЕМ Fe/Mo В Sr2FeMoO6-d | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Л. И. Гурский, Н. А. Каланда, М. В. Ярмолич, В. А. Турченко, Д. В. Карпинский, В. А. Чумак, А. В. Петров, А. Л. Желудкевич | ||
"... Single-phase Sr2FeMoO6-d powders with various degrees of superstructural ordering of Fe/Mo cations ..." | ||
Том 21, № 2 (2023) | Влияние электрического поля на свойства гидрированного графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Муравьёв, В. Н. Мищенко | ||
"... with straight minimal gap for Г valley between conduction and valence zones. With further increase in external ..." | ||
Том 18, № 2 (2020) | МАЛОУГЛОВОЕ РАССЕЯНИЕ НЕЙТРОНОВ НА ОБРАЗЦАХ Sr2FeMoO6–δ С РАЗНОЙ СТЕПЕНЬЮ CВЕРХСТРУКТУРНОГО УПОРЯДОЧЕНИЯ КАТИОНОВ Fe/Mo | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Л. И. Гурский, Н. А. Каланда, М. В. Ярмолич, И. А. Бобриков, А. Л. Желудкевич, П. Н. Киреев, Д. А. Кривченя | ||
"... Single-phase Sr2FeMoO6-δ samples with different-degreesuperstructiral ordering Fe/Mo cations ..." | ||
Том 18, № 5 (2020) | Формирование электрохимическим методом композитных материалов на основе оксида цинка и меди | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. М. Ткачёнок, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко | ||
"... of the photoluminescence bands are observed, due to the doping of Cu, since impurity levels are created in the band gap ..." | ||
Том 19, № 8 (2021) | Influence of exchange-correlation functional on the structural and electronic properties of periodic structures with transition metal atoms | Аннотация похожие документы |
M. S Baranava | ||
"... correction on the band gap was also investigated. If Ueff is applied to the d-electrons, then the band gap ..." | ||
№ 8 (2016) | ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР ИЗ СЛОИСТЫХ ДИХАЛЬКОГЕНИДОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, А. Ю. Алексеев | ||
"... -dimensional crystals of MoS2, WS2, WSe2 and MoSe2 is performed by means of first-principles methods. Two ..." | ||
№ 5 (2013) | КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ДИОДОВ ШОТТКИ С МОП КАНАВОЧНОЙ СТРУКТУРОЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. С. Котов, Н. Ф. Голубев, В. Е. Борисенко | ||
"... An improved structure and technological process of trench MOS barrier Schottky (TMBS) diodes ..." | ||
№ 1 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ЗНАЧИМОСТИ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛИ ПОДВИЖНОСТИ ДАРВИША ДЛЯ ОПИСАНИЯ ТОКОПЕРЕНОСА В НАНОРАЗМЕРНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. М. Боровик | ||
"... the adequacy of the simulation results of nanoscale MOS structures. ..." | ||
Том 19, № 8 (2021) | Ab initio calculations of electronic band structure of CdMnS semimagnetic semiconductors | Аннотация похожие документы |
М. А. Mehrabova, N. T. Panahov, N H. Hasanov | ||
"... that the band gap increases with the increase in Mn ion concentration. It has been established that Cd or S ..." | ||
№ 3 (2015) | ОПТИМИЗАЦИЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ И ВЕРИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОП-ТРАНЗИСТОРА С 0,35 МКМ ПРОЕКТНЫМИ НОРМАМИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Т. Ч. Чан, В. Р. Стемпицкий, С. А. Сорока | ||
"... and electrical characteristics of 0.35 micron MOS transistor, and the characteristics of the analog and digital ..." | ||
№ 1 (2019) | ТЕПЛОВОЕ РАСШИРЕНИЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (MnIn2S4)1-x•(AgIn5S8)x | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Чан Бинь Тхан, И. В. Боднарь | ||
"... температуры Дебая и среднеквадратичные динамические смещения атомов. Показано, что с повышением температуры ..." | ||
Том 18, № 1 (2020) | ВЛИЯНИЕ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ ОРИЕНТАЦИИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН НА МЕХАНИЗМ ИХ АНОДИРОВАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. Л. Гревцов, А. В. Клименко, А. Д. Гурбо, В. П. Бондаренко | ||
"... количестве связей Si-Si в разных направлениях. Так, у кристалла с ориентацией (100) каждый поверхностный атом ..." | ||
Том 19, № 8 (2021) | Modeling AlGaN p-i-n photodiodes | Аннотация похожие документы |
N. N. Vorsin, A. A. Gladyshchuk, T. L. Kushner, N. P. Tarasiuk, S. V. Chugunov, M. V. Borushko | ||
"... Ternary AlGaN alloys with a band gap of 3.4 to 6.2 eV are very promising for photodetectors ..." | ||
№ 4 (2013) | ПРОЕКТИРОВАНИЕ IGBT-ПРИБОРА ВЫСОКОГО БЫСТРОДЕЙСТВИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, А. С. Турцевич, И. .. Шелибак | ||
"... in the MOS channel, the energy of ions implanted in the base of the bipolar transistor) was shown ..." | ||
№ 3 (2017) | ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ 90-НАНОМЕТРОВОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. М. Боровик, В. Т. Ханько, В. Р. Стемпицкий | ||
"... is demonstrated by examples of BSIM4 and HiSIM2 models SPICE parameters extraction for standard design MOS ..." | ||
№ 4 (2018) | ТЕПЛОВОЕ РАСШИРЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ (FeIn2S4)0,5×(AgIn5S8)0,5 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Т. Г. Баругу | ||
"... температуры Дебая и среднеквадратичных динамических смещений атомов для выращенных монокристаллов. ..." | ||
№ 5 (2016) | ЗОННАЯ СТРУКТУРА НАНОШНУРОВ СИЛИЦИДА КАЛЬЦИЯ Ca2Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. О. Богородь, С. А. Волчёк, Д. Б. Мигас | ||
"... > - металлическими из-за наличия поверхностных состояний атомов на {001} гранях в районе уровня Ферми. ..." | ||
№ 8 (2015) | ГРУППОВАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ ЭЛЕМЕНТОВ И ПЕРИОДИЧЕСКИЙ ЗАКОН Д.И. МЕНДЕЛЕЕВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Л. Гурский, Л. И. Гурский | ||
"... атомов и электронов в квантовой механике, основанные на закономерностях, определяющих строение и свойства ..." | ||
№ 3 (2014) | ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (FeIn2S4)(1-x )(In2S3)x | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. А. Новикова | ||
"... of the grown crystals in the intrinsic absorption edge region were investigated. Band gap width ( Eg ) and its ..." | ||
№ 7 (125) (2019): Спецвыпуск | APPLICATIONS OF UV-LIGA AND GRAYSCALE LITHOGRAPHY FOR DISPLAY TECHNOLOGIES | Аннотация похожие документы |
I. V. Timoshkov, A. V. Khanko, V. I. Kurmashev, D. V. Grapov, A. A. Kastevich, G. A. Govor, A. K. Vetcher | ||
"... to get 10 mN m tourqe under 25 μm rotor-stator air gap. Only presented microtechnologies can provide ..." | ||
Том 19, № 8 (2021) | Ab-initio simulation of hydrogenated graphene properties | Аннотация похожие документы |
V. V. Murav’ev, V. M. Mishchenka | ||
"... , which has the smallest energy gap between the conductivity zone and the valence zone. The calculation ..." | ||
Том 22, № 3 (2024) | Влияние рекристаллизации механически нарушенного слоя с рабочей стороны кремниевой пластины на электрические параметры КМОП интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, А. А. Сергейчик, Д. В. Шестовский | ||
"... -semiconductor ( n-MOS) and p-channel metal-oxide-semiconductor (p-MOS) transistors by reducing the fixed ..." | ||
Том 22, № 4 (2024) | Моделирование и экспериментальная апробация аппаратно-программного комплекса для определения импедансометрических параметров амниотической жидкости | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. Е. Мешкова, М. В. Давыдов, С. В. Пацеев, А. Р. Савейко, В. В. Пашкилевич | ||
"... is subsequently used to test the mo deling results. The results of the study can be used to further prevent ..." | ||
№ 8 (2013) | ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (CuInSe2)x-(2ZnSe)1-x | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. Н. Цырельчук, В. В. Хорошко, В. Ф. Гременок, В. А. Иванов | ||
"... зависимости удельного сопротивления и коэффициентов термоэдс пленок от концентрации атомов Zn и взаимосвязь ..." | ||
№ 8 (2018) | НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ПЛАЗМА МАГНЕТРОННОГО РАЗРЯДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. Ш. Невлюдов, В. Н. Гурин, Д. В. Гурин, К. Л. Хрусталев | ||
"... химической связи между распыленными атомами и молекулами активного газа. Исследование состава и ..." | ||
Том 21, № 6 (2023) | Формирование трубчатых оксидов алюминия локальным электрохимическим анодированием в органических электролитах и их антиотражающие свойства | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. К. Лазарук, В. В. Дудич, Т. И. Ореховская, Д. А. Сасинович, Л. П. Томашевич, А. А. Устименко, А. А. Повжик, Н. А. Каланда, Д. А. Симоненко, С. М. Иванюта | ||
"... .% атомов углерода. Исследования спектров отражения показали эффективные антиотражающие свойства пленок с ..." | ||
Том 18, № 7 (2020) | Электронные свойства квазидвумерных халькогенидов переходных металлов с низкоразмерным магнетизмом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. С. Баранова, П. А. Проскурова | ||
"... локализован на атомах переходного металла, в частности, на d-орбитали атома переходного металла (и лишь ..." | ||
Том 19, № 1 (2021) | Исследование процесса реактивного ионно-лучевого распыления арсенида галлия с использованием оптической эмиссионной спектроскопии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Е. В. Телеш | ||
"... эВ. Мишень была изготовлена из арсенида галлия, легированного теллуром. При распылении GaAs ионами Ar ..." | ||
Том 21, № 4 (2023) | Методология построения прототипа системы комплексного анализа данных тематических сайтов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. И. Пилецкий, М. П. Батура, Н. А. Волорова | ||
"... graph, data analysis using methods and mo dels of machine learning with the provision of analytical ..." | ||
№ 5 (2016) | ВЫРAЩИВАНИЕ И СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ AgIn5S8 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. В. Боднарь, Х. Т. Алрекаби, Т. Г. Баругу | ||
"... (QD) и среднеквадратичных динамических смещений атомов ( ) в соединении AgIn5S8. Абсолютным методом ..." | ||
Том 22, № 4 (2024) | Фотоприемники ультрафиолетового диапазона на основе легированных алюминием и никелем пленок оксида цинка | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. А. Греков, К. О. Янушкевич, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко | ||
"... показали, что они состоят из плотноупакованных кристаллитов оксида цинка, легированных примесными атомами ..." | ||
Том 22, № 5 (2024) | Влияние быстрой термообработки при формировании контактов алюминий-поликремний на электрические параметры КМОП микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Пилипенко, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв, Д. В. Шестовский, Д. В. Жигулин | ||
"... of n-MOS and p-MOS transistors. From the current-voltage characteristics of n- and p-channel ..." | ||
№ 7 (125) (2019): Спецвыпуск | АВТОЭЛЕКТРОННЫЕ КАТОДЫ НА ОСНОВЕ МАССИВОВ НИОБИЕВЫХ ОКСИДНЫХ СТОЛБИКОВЫХ НАНОСТРУКТУР ДЛЯ ПОЛЕВЫХ ЭМИССИОННЫХ ДИСПЛЕЕВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Г. Г. Горох, И. А. Таратын, А. Н. Плиговка, А. А. Лозовенко, А. И. Захлебаева | ||
"... characteristics with interelectrode gap of 2, 5 and 10 μm in various electric modes with change in the electric ..." | ||
№ 7 (125) (2019): Спецвыпуск | МОДЕЛИРОВАНИЕ МНОГОСЛОЙНЫХ УЛЬТРАТОНКИХ ПЛЕНОЧНЫХ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ДЛЯ СЕЛЕКТИВНЫХ ФИЛЬТРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Л. С. Хорошко, А. В. Баглов, А. А. Гнитько | ||
"... photonic crystal structure without a half-wave layer with a photonic band gap in the UV region ..." | ||
№ 3 (2016) | МАГНЕТИЗМ В НАНОРАЗМЕРНЫХ ПОРОШКАХ ФЕРРОМОЛИБДАТА СТРОНЦИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. В. Ярмолич, Н. А. Каланда, С. Е. Демьянов, А. Л. Гурский, Л. В. Ковалев, А. И. Галяс | ||
"... , with various degrees of superstructural ordering of Fe3+ and Mo5+ cations ( P = 65 % for pH = 4, P = 51 ..." | ||
Том 18, № 3 (2020) | Электронно-микроскопические исследования системы Pt-Si при ее быстрой термообработке | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, Ф. Ф. Комаров, В. A. Горушко | ||
"... составляет 10,4-16,8 ккал/атом металла, а для PtSi - 15,7-25,5 ккал/атом металла, то для формирования ..." | ||
Том 18, № 6 (2020) | Электрофизические свойства пленок оксида ванадия, нанесенных методом реактивного магнетронного распыления | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Т. Д. Нгуен, А. И. Занько, Д. А. Голосов, С. М. Завадский, С. Н. Мельников, В. В. Колос | ||
"... , deposition rate, resistivity, temperature coefficient of resistance (TCR), and the band gap of vanadium oxide ..." | ||
№ 5 (2015) | ВЫРАЩИВАНИЕ И СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ Cu2ZnSnS4 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. В. Боднарь, И. А. Викторов, Л. В. Волкова, С. А. Павлюковец | ||
"... absorption edge were studied in temperature interval 20-300 K. The band gap width of Cu2ZnSnS4 single ..." | ||
№ 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕРИОДИЧЕСКИХ СТРУКТУР BaTiO3: Eu/SiO2 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Д. А. Парафинюк, Н. В. Гапоненко, Т. Ф. Райченок | ||
"... on quartz with 6 and 12 alternating layers BaTiO3:Eu/SiO2. The structures demonstrate photonic band gap ..." | ||
Том 20, № 4 (2022) | Исследования электрофизических свойств тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом быстрой термообработки | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. С. Ковальчук, А. А. Омельченко, В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, С. А. Демидович, В. В. Колос, В. А. Филипеня, Д. В. Шестовский | ||
"... пассивация атомами азота дефектов на границе раздела диэлектрик/полупроводник. ..." | ||
Том 20, № 4 (2022) | Низкоразмерный магнетизм в соединениях с различной размерностью магнитного взаимодействия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. С. Баранова | ||
"... квазиодномерных и квазинульмерных магнитных систем путем внедрения примесных атомов Cr, Mn, Fe, Co и Ni ..." | ||
Том 18, № 7 (2020) | Механизмы деградации структуры сегнетоэлектрика Pb1−хBaхZr0,53Ti0,47O3−δ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Л. И. Гурский, А. В. Петров, Д. А. Голосов, П. Н. Киреев, Н. А. Каланда, М. В. Ярмолич | ||
"... возникновением различных упругих напряжений, что способствует ослаблению химических связей между атомами ..." | ||
Том 18, № 3 (2020) | Делокализация электронных состояний В n-Si при низких температурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Л. Данилюк, А. Г. Трафименко, А. К. Федотов, С. Л. Прищепа | ||
"... инжектируемых электронов нейтральными атомами примеси, и краем зоны проводимости. При этом происходит ..." | ||
Том 22, № 4 (2024) | Особенности структурно-фазовых превращений в слоях сплава Ni–Pt–V на кремнии при быстрой термической обработке | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Я. А. Соловьёв, П. И. Гайдук | ||
"... перераспределением атомов никеля и кремния до состава ∼Ni3Si на границе раздела пленка-подложка с уменьшением доли Si ..." | ||
Том 19, № 5 (2021) | Лампы бегущей волны на петляющих волноводах со скачком потенциала | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Аксенчик, И. Ф. Киринович | ||
"... of electrons, sagging of fields in the gaps of the waveguide, losses in the walls of the waveguide, taking ..." | ||
Том 18, № 3 (2020) | Оптимизация конфигурации двухмасштабных оксидных структур для фотокаталитических приложений | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Баглов, Л. С. Хорошко, П. А. Яцкевич | ||
"... elements in the form of ribs with gaps. The optimal dimensions of the ribs according to the results ..." | ||
Том 18, № 3 (2020) | Электронные и магнитные свойства перовскитов АВО3 (A - Ca, Ce, Y, Na; B - Ti, Nb, Fe, Mn, Ta; O) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
П. А. Проскурова, Д. Ч. Гвоздовский, М. С. Баранова, В. Р. Стемпицкий | ||
"... of compounds with a semiconductor (band gap from 1.65 to 2.99 eV) and metallic type of conductivity. The direct ..." | ||
Том 18, № 8 (2020) | Воздействие ультразвука на нестероидные противовоспалительные лекарства в комплексных соединениях нанокомпозитов на основе оскидов меди, железа, цинка и графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Л. А. Михновец, А. Н. Ткач, В. С. Федосенко, Д. В. Радюк | ||
"... наличию атомов меди и железа в матрице графена. Показано, что нанокомпозиты ZnO-графен-ацетилсалициловая ..." | ||
№ 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ВЛИЯНИЕ СОЛНЕЧНОГО СВЕТА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДИОКСИД ТИТАНА/КРЕМНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. А. Курапцова, А. Л. Данилюк, А. А. Лешок, В. Е. Борисенко | ||
"... are important in the detailed analysis of electronic processes at the surface of wide band gap semiconducting ..." | ||
Том 21, № 3 (2023) | IТ-диагностика болезни Паркинсона на основе анализа голосовых маркеров и машинного обучения | Аннотация похожие документы |
В. А. Вишняков, Ся Ивэй | ||
"... of filtering it in order to remove its noise components and eliminate bursts and gaps ..." | ||
Том 21, № 3 (2023) | Cпециализированные римановы пространства первых трех лакунарностей по группам изометрических и гомотетических движений | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
З. Н. Четыркина | ||
"... ) is given. There are gaps in the orders r of these groups, which are called lacunae. Here are two lacunae ..." | ||
Том 20, № 2 (2022) | Эффекты рассеяния электронов в гексогональном нитриде бора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Муравьёв, В. Н. Мищенко | ||
"... the smallest energy gap between the conductivity zone and the valence zone. Calculation of relative electron ..." | ||
Том 21, № 5 (2023) | Кроссовер слабая локализация – слабая антилокализация в двумерных материалах со спин-орбитальным взаимодействием | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Зайцев, Д. А. Подрябинкин, В. В. Мельникова, А. Л. Данилюк, С. Л. Прищепа | ||
"... with enhanced spin-orbit interaction, as well as in a topological insulator with a gap in surface states induced ..." | ||
Том 22, № 1 (2024) | Программная реализация методов моделирования взаимодействия электромагнитного излучения с углеродными нанокомпозитами | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. А. Лихачев, М. С. Баранова, А. Л. Данилюк | ||
"... composite containing various structural elements, such as carbon fibers, nanoparticles, air gaps ..." | ||
Том 22, № 4 (2024) | Взаимовлияние электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом в условиях зарядовой неустойчивости | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Зайцев, Д. А. Подрябинкин, В. В. Мельникова, А. Л. Данилюк | ||
"... of a transistor structure with a two-dimensional semiconductor channel of the band gap of the channel material ..." | ||
№ 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ГРАДИЕНТНЫЕ ОРИЕНТИРУЮЩИЕ МАТЕРИАЛЫ С РАЗНЫМ ПОРОГОМ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ УПРАВЛЯЕМЫХ ПОЛЯРИЗАЦИОННО-НЕЗАВИСИМЫХ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЛИНЗ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. С. Безрученко, Ал. А. Муравский, Ан. А. Муравский, А. И. Станкевич, В. В. Могильный | ||
"... uniform cell gap and are independently controlled using low-voltage driving. Devices based on gradient ..." | ||
№ 7-8 (2019) | ИНТЕНСИВНОСТИ РАССЕИВАНИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ГРАФЕНЕ, РАСПОЛОЖЕННОМ НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ ГЕКСОГОНАЛЬНОГО НИТРИДА БОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
"... the thickness of the gap between these layers changes. Simulation of fixed rate dispersion was carried out ..." | ||
Том 18, № 2 (2020) | ФОРМИРОВАНИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОСАЖДЕННОГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ МЕТОДОМ ЛЕГИРОВАННОГО НИКЕЛЕМ ОКСИДА ЦИНКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. О. Янушкевич, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко | ||
"... in the band gap of the material. ..." | ||
Том 19, № 3 (2021) | Влияние отжига на структурно-фазовые и электрофизические свойства пленок оксида ванадия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Т. Д. Нгуен, А. И. Занько, Д. А. Голосов, С. М. Завадский, С. Н. Мельников, В. В. Колос, Т. К. То | ||
"... , temperature coefficient of resistance (TCR), resistivity p, band gap Egof the films on the oxygen ..." | ||
Том 20, № 2 (2022) | Косвенное обменное взаимодействие в углеродных нанотрубках | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Л. Данилюк, А. В. Кухарев, В. А. Зайцев, С. Л. Прищепа | ||
"... enters the gap opened by the SOI. Coherence is realized at distances up to micrometers. The proposed ..." | ||
Том 20, № 2 (2022) | Simulation of High-Power Klystrons with Heterogeneous Focusing Magnetic Field | Аннотация похожие документы |
A. V. Aksenchyk, I. F. Kirynovich | ||
"... to reduce the deposition of electrons in the region of the gaps. Therefore, a decrease in the electron ..." | ||
Том 19, № 6 (2021) | Направленные ответвители СВЧ-диапазона на полосковых линиях с сильной боковой связью | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. А. Фаняев | ||
"... are counterdirectional. Restrictions on their synthesis are imposed by the gap between transmission lines, which must ..." | ||
1 - 79 из 79 результатов |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)