Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

Формирование пленок оксида титана методом реактивного магнетронного распыления

https://doi.org/10.35596/1729-7648-2019-123-5-87-93

Полный текст:

Аннотация

В статье представлены результаты исследований диэлектрических характеристик пленок оксида титана, нанесенных методом реактивного магнетронного распыления Ti мишени в Ar/O2 смеси газов. Установлены зависимости диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь, ширины запрещенной зоны, плотности токов утечки от содержания кислорода в Ar/O2 смеси газов в процессе нанесения пленок. Получены пленки с диэлектрической проницаемостью 20-30 единиц, тангенсом угла диэлектрических потерь 0,02, шириной запрещенной зоны 3,82 эВ и плотностью токов утечки при напряженности электрического поля 2,0*106 В/см менее 1,0 А/см2.

Об авторах

Н. Вилья
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь

Вилья Номар – аспирант.

220013, Минск, ул. П. Бровки 6, тел. +375-17-293-80-79



Д. А. Голосов
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь

Кандидат технических наук, доцент, ведущий научный сотрудник Центра 9.1.

220013, Минск, ул. П. Бровки 6



Т. Д. Нгуен
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь

Аспирант.

220013, Минск, ул. П. Бровки 6



Список литературы

1. Preparation and properties of amorphous TiO2 thin films by plasma enhanced chemical vapor deposition / W.G. Lee [et al.] // Thin Solid Films. 1994. Vol. 237. P. 105-111.

2. Yeung K.S., Lam Y.W. A simple chemical vapour deposition method for depositing thin TiO2 films // Thin Solid Films. 1993. Vol. 109. P. 169-178.

3. Investigations of TiO2 films deposited by different techniques / K. Bange [et al.] // Thin Solid Films. 1991. Vol. 197. P. 279-285.

4. Review and perspective of high-k dielectrics on silicon / S. Hall [et al.] // J. of Telecomunications and Information Technology. 2007. Vol. 2. P. 33-43.

5. Naganuma Y., Tanaka S., Kato C. Preparation of sol-gel derived titanium oxide thin films using vacuum ultraviolet irradiation with a xenon excimer lamp // Jap. J. Appl. Phys. 2004. Vol. 43. P. 6315-6318.

6. Lee Y.H., Chan K.K, Brady M.J. Plasma enhanced chemical vapor deposition of TiO2 in microwave-radio frequency hybrid plasma reactor // J. Vac. Sci. Technol. 1995. Vol. A 13. P. 596-601.

7. Influence of oxygen pressure on the optical properties of TiO2 films deposited with IBS ion-assisted technique / C. Zhu [et al.] // J. of Xi’an Technol. University. 2008. Vol. 28, No. 6. P. 511-515.

8. Influence of oxygen on the morphological and structural properties of Ti thin films grown by ion beam-assisted deposition / J.M. Lopez [et al.] // Thin Solid Films. 2001. Vol. 384. P. 69-75.

9. High-k (k = 30) amorphous hafnium oxide films from high rate room temperature deposition / F.M. Li [et al.] // Appl. Phys. Lett. 2011. Vol. 98. P. 252903-1-3.

10. Annealing effects of HfO2 gate thin films formed by inductively coupled sputtering technique at room temperature / W.J. Choi [et al.] // J. Korean Phys. Soc. 2004. Vol. 45. P. S716-S719.

11. Treichel O., Kirchhoff V. The influence of pulsed magnetron puttering on topography and crystallinity of TiO2 films on glass // Surface and Coatings Technology. 2000. Vol. 123. P. 268-272

12. Han Y.H., Jung S.J., Lee J.J. Deposition of TiO2 Films by reactive Inductively Coupled Plasma assisted DC magnetron sputtering for high crystallinity and high deposition rate // Surf. Coat. Technol. 2007. Vol. 201. P. 5387-5391.

13. Electrical and optical properties of zinc-oxide films deposited by the ion-beam sputtering of an oxide target / A.P. Dostanko [et al.] // Semiconductors. 2014. Vol. 48, No. 9. P. 1242-1247.


Для цитирования:


Вилья Н., Голосов Д.А., Нгуен Т.Д. Формирование пленок оксида титана методом реактивного магнетронного распыления. Доклады БГУИР. 2019;(5):87-93. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2019-123-5-87-93

For citation:


Villa N., Golosov D.A., Nguyen T.D. Formation of titanium oxide thin films by reactive magnetron sputtering. Doklady BGUIR. 2019;(5):87-93. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2019-123-5-87-93

Просмотров: 250


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)