Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

Моделирование прямой ветви вольт-амперных характеристик диодов Шоттки с МОП-канавками

https://doi.org/10.35596/1729-7648-2021-19-6-59-65

Полный текст:

Аннотация

Настоящая работа посвящена разработке математической модели прямой ветви вольт-амперной характеристики диодов Шоттки с канавочной структурой металл – окисел – полупроводник (МОП), учитывающей аккумуляцию основных носителей в кремнии около стенок канавок при прямом смещении. Предложенная математическая модель учитывает снижение последовательного сопротивления области дрейфа диода Шоттки при увеличении напряжения на выпрямляющем контакте за счет обогащения электронами кремния около стенок канавок. Проведено сравнение предложенной модели с экспериментальными результатами для диодов Шоттки с канавочной структурой металл – окисел – полупроводник с номинальным обратным напряжением 45,0 В и номинальным прямым током 50,0 А. Показано, что погрешность расчета величины прямого напряжения для новой модели не превышает 1,2 % в диапазоне прямых токов от 20,0 до 50,0 А, что в 4,6–9,7 раз меньше погрешности расчета для классической модели. Полученные результаты могут быть использованы при разработке структуры и топологии диодов Шоттки с канавочной структурой металл – окисел – полупроводник с заданными электрическими параметрами.

Об авторе

Я. А. Соловьёв
ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»
Беларусь

Соловьёв Ярослав Александрович, кандидат технических наук, доцент, заместитель директора Филиала «Транзистор»

220108, г. Минск, ул. Корженевкого, 16



Список литературы

1. Белоус А.И., Солодуха В.А., Ефименко С.А., Пилипенко В.А. Основы силовой электроники. Москва: Техносфера; 2019.

2. Baliga B.J. Fundamentals of power semiconductor devices. Springer Science+Business Media; 2008.

3. Голубев Н., Токарев В., Шпаковский С. Применение субмикронной технологии – путь к созданию высокоэффективных диодов Шоттки. Силовая электроника. 2005;4:4-7.

4. Ланин В., Соловьёв Я., Керенцев А. Конструктивно-технологическая оптимизация параметров диодов Шоттки. Силовая электроника. 2011; 1: 12–17.

5. Котов В.С., Голубев Н.Ф., Борисенко В.Е. Конструктивно-технологическое усовершенствование диодов Шоттки с МОП канавочной структурой. Доклады БГУИР. 2013;5(75):12-16.

6. Котов В.С., Голубев Н.Ф., Токарев В.В., Борисенко В.Е. Моделирование диодов Шоттки с МОП канавочной структурой. Практическая силовая электроника. 2013;3(51):48-53.

7. Baliga B.J. Advanced power rectifier concepts. Springer Science+Business Media; 2009.

8. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. Москва: Мир; 1984.


Для цитирования:


Соловьёв Я.А. Моделирование прямой ветви вольт-амперных характеристик диодов Шоттки с МОП-канавками. Доклады БГУИР. 2021;19(6):59-65. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2021-19-6-59-65

For citation:


Solovjov Ya.A. Simulation of forward current-voltage characteristics for Schottky diodes with MOS trenches. Doklady BGUIR. 2021;19(6):59-65. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2021-19-6-59-65

Просмотров: 64


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)