Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

МОДИФИКАЦИЯ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ MoS2 ПРИ ЗАМЕЩЕНИИ АТОМОВ СЕРЫ АТОМАМИ ТЕЛЛУРА

Аннотация

Установлено, что ширина запрещенной зоны слоя MoS2 (дисульфида молибдена) мономолекулярной толщины при встраивании атомов серы на место атомов теллура уменьшается с 1,84 эВ и достигает 1,17 эВ в случае MoTe2. Как MoTe2, так и MoS2 в объемном состоянии являются непрямозонными полупроводниками, в то время как их монослои, а также соединения MoS2-x Tex при x < 0,5 либо x > 1,5 становятся прямозонными. В случае, когда концентрация атомов теллура меньше концентрации атомов серы, ширина запрещенной зоны тройного соединения линейно уменьшается с повышением концентрации атомов теллура.

Об авторах

А. В. Кривошеева
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


В. Л. Шапошников
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


В. Е. Борисенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


Список литературы

1. Geim A.K., Novoselov K.S. // Nature Materials. 2007. Vol. 6. P. 183-191.

2. Krivosheeva A.V. // Proceedings of International Conference Nanomeeting-2015. In: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Singapore, 2015. P. 161-168.

3. Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // Int. J. Nanotechnol. 2015. Vol. 12, № 8-9. P. 654-662.

4. Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // J. Semiconductors. 2015. Vol. 36 (12). P. 122002

5. Кривошеева А.В. // Докл. БГУИР. 2016. Vol. 3, № 97. С. 12-17.

6. Kresse G., Furthmüller J. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. P. 11169-11186.

7. Perdew J.P., Burke K., Ernzerhof M. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 77, P. 3865-3868.

8. Ceperley D.M., Alder B.J. // Phys. Rev. Lett. 1980. Vol. 45, P. 566-569.

9. Klimeš J., Bowler D.R., Michaelides A. // Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83. P.195131 (1-13).

10. Lezama I.G., Ubaldini A., Longobardi M. et al. // 2D Mater. 2014. Vol. 1. P. 021002 (1-13).


Рецензия

Для цитирования:


Кривошеева А.В., Шапошников В.Л., Борисенко В.Е. МОДИФИКАЦИЯ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ MoS2 ПРИ ЗАМЕЩЕНИИ АТОМОВ СЕРЫ АТОМАМИ ТЕЛЛУРА. Доклады БГУИР. 2016;(4):98-101.

For citation:


Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. MoS2 BAND GAP MODIFICATION UPON REPLACEMENT OF SULFUR ATOMS BY TELLURIUM ONES. Doklady BGUIR. 2016;(4):98-101. (In Russ.)

Просмотров: 307


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)