Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

МОДИФИКАЦИЯ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ MoS2 ПРИ ЗАМЕЩЕНИИ АТОМОВ СЕРЫ АТОМАМИ ТЕЛЛУРА

Полный текст:

Аннотация

Установлено, что ширина запрещенной зоны слоя MoS2 (дисульфида молибдена) мономолекулярной толщины при встраивании атомов серы на место атомов теллура уменьшается с 1,84 эВ и достигает 1,17 эВ в случае MoTe2. Как MoTe2, так и MoS2 в объемном состоянии являются непрямозонными полупроводниками, в то время как их монослои, а также соединения MoS2-x Tex при x < 0,5 либо x > 1,5 становятся прямозонными. В случае, когда концентрация атомов теллура меньше концентрации атомов серы, ширина запрещенной зоны тройного соединения линейно уменьшается с повышением концентрации атомов теллура.

Об авторах

А. В. Кривошеева
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


В. Л. Шапошников
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


В. Е. Борисенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


Список литературы

1. Geim A.K., Novoselov K.S. // Nature Materials. 2007. Vol. 6. P. 183-191.

2. Krivosheeva A.V. // Proceedings of International Conference Nanomeeting-2015. In: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Singapore, 2015. P. 161-168.

3. Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // Int. J. Nanotechnol. 2015. Vol. 12, № 8-9. P. 654-662.

4. Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // J. Semiconductors. 2015. Vol. 36 (12). P. 122002

5. Кривошеева А.В. // Докл. БГУИР. 2016. Vol. 3, № 97. С. 12-17.

6. Kresse G., Furthmüller J. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. P. 11169-11186.

7. Perdew J.P., Burke K., Ernzerhof M. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 77, P. 3865-3868.

8. Ceperley D.M., Alder B.J. // Phys. Rev. Lett. 1980. Vol. 45, P. 566-569.

9. Klimeš J., Bowler D.R., Michaelides A. // Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83. P.195131 (1-13).

10. Lezama I.G., Ubaldini A., Longobardi M. et al. // 2D Mater. 2014. Vol. 1. P. 021002 (1-13).


Для цитирования:


Кривошеева А.В., Шапошников В.Л., Борисенко В.Е. МОДИФИКАЦИЯ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ MoS2 ПРИ ЗАМЕЩЕНИИ АТОМОВ СЕРЫ АТОМАМИ ТЕЛЛУРА. Доклады БГУИР. 2016;(4):98-101.

For citation:


Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. MoS2 BAND GAP MODIFICATION UPON REPLACEMENT OF SULFUR ATOMS BY TELLURIUM ONES. Doklady BGUIR. 2016;(4):98-101. (In Russ.)

Просмотров: 20


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)