МОДИФИКАЦИЯ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ MoS2 ПРИ ЗАМЕЩЕНИИ АТОМОВ СЕРЫ АТОМАМИ ТЕЛЛУРА
Аннотация
Установлено, что ширина запрещенной зоны слоя MoS2 (дисульфида молибдена) мономолекулярной толщины при встраивании атомов серы на место атомов теллура уменьшается с 1,84 эВ и достигает 1,17 эВ в случае MoTe2. Как MoTe2, так и MoS2 в объемном состоянии являются непрямозонными полупроводниками, в то время как их монослои, а также соединения MoS2-x Tex при x < 0,5 либо x > 1,5 становятся прямозонными. В случае, когда концентрация атомов теллура меньше концентрации атомов серы, ширина запрещенной зоны тройного соединения линейно уменьшается с повышением концентрации атомов теллура.
Об авторах
А. В. Кривошеева
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
В. Л. Шапошников
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
В. Е. Борисенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Geim A.K., Novoselov K.S. // Nature Materials. 2007. Vol. 6. P. 183-191.
2. Krivosheeva A.V. // Proceedings of International Conference Nanomeeting-2015. In: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Singapore, 2015. P. 161-168.
3. Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // Int. J. Nanotechnol. 2015. Vol. 12, № 8-9. P. 654-662.
4. Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // J. Semiconductors. 2015. Vol. 36 (12). P. 122002
5. Кривошеева А.В. // Докл. БГУИР. 2016. Vol. 3, № 97. С. 12-17.
6. Kresse G., Furthmüller J. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. P. 11169-11186.
7. Perdew J.P., Burke K., Ernzerhof M. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 77, P. 3865-3868.
8. Ceperley D.M., Alder B.J. // Phys. Rev. Lett. 1980. Vol. 45, P. 566-569.
9. Klimeš J., Bowler D.R., Michaelides A. // Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83. P.195131 (1-13).
10. Lezama I.G., Ubaldini A., Longobardi M. et al. // 2D Mater. 2014. Vol. 1. P. 021002 (1-13).
Рецензия
Для цитирования:
Кривошеева А.В., Шапошников В.Л., Борисенко В.Е. МОДИФИКАЦИЯ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ MoS2 ПРИ ЗАМЕЩЕНИИ АТОМОВ СЕРЫ АТОМАМИ ТЕЛЛУРА. Доклады БГУИР. 2016;(4):98-101.
For citation:
Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. MoS2 BAND GAP MODIFICATION UPON REPLACEMENT OF SULFUR ATOMS BY TELLURIUM ONES. Doklady BGUIR. 2016;(4):98-101. (In Russ.)
Просмотров: 208
Послать статью по эл. почте 