bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-676Research ArticleСтатьиМОДИФИКАЦИЯ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ MoS2 ПРИ ЗАМЕЩЕНИИ АТОМОВ СЕРЫ АТОМАМИ ТЕЛЛУРАMoS2 BAND GAP MODIFICATION UPON REPLACEMENT OF SULFUR ATOMS BY TELLURIUM ONESКривошееваА. В.KrivosheevaA. V.noemail@neicon.ruШапошниковВ. Л.ShaposhnikovV. L.noemail@neicon.ruБорисенкоВ. Е.BorisenkoV. E.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus2016030620190498101Copyright © Кривошеева А.В., Шапошников В.Л., Борисенко В.Е., 20192019Кривошеева А.В., Шапошников В.Л., Борисенко В.Е.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/676

Установлено, что ширина запрещенной зоны слоя MoS2 (дисульфида молибдена) мономолекулярной толщины при встраивании атомов серы на место атомов теллура уменьшается с 1,84 эВ и достигает 1,17 эВ в случае MoTe2. Как MoTe2, так и MoS2 в объемном состоянии являются непрямозонными полупроводниками, в то время как их монослои, а также соединения MoS2-x Tex при x < 0,5 либо x > 1,5 становятся прямозонными. В случае, когда концентрация атомов теллура меньше концентрации атомов серы, ширина запрещенной зоны тройного соединения линейно уменьшается с повышением концентрации атомов теллура.

The electron energy band gap in one monomolecular layer of molybdenum dichalcogenide MoS2 is reduced upon substitution of S atoms by Te ones from 1,84 to 1,17 eV in the case of MoTe2. Both MoTe2 and MoS2 compounds in a bulk phase are indirect-gap semiconductors while one monomolecular layer of MoS2- x Tex compounds are transforming into direct-gap compounds for x < 0,5 or x > 1,5. The band gap dependence has a linear behavior in the case when the concentration of Te atoms is smaller than the concentration of S atoms.

дисульфид молибденамономолекулярный слойэлектронная структуразапрещенная зонаmolybdenum disulfidemonolayerelectronic structureband gapReferencesGeim A.K., Novoselov K.S. // Nature Materials. 2007. Vol. 6. P. 183-191.Geim A.K., Novoselov K.S. // Nature Materials. 2007. Vol. 6. P. 183-191.Krivosheeva A.V. // Proceedings of International Conference Nanomeeting-2015. In: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Singapore, 2015. P. 161-168.Krivosheeva A.V. // Proceedings of International Conference Nanomeeting-2015. In: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Singapore, 2015. P. 161-168.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // Int. J. Nanotechnol. 2015. Vol. 12, № 8-9. P. 654-662.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // Int. J. Nanotechnol. 2015. Vol. 12, № 8-9. P. 654-662.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // J. Semiconductors. 2015. Vol. 36 (12). P. 122002Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // J. Semiconductors. 2015. Vol. 36 (12). P. 122002Кривошеева А.В. // Докл. БГУИР. 2016. Vol. 3, № 97. С. 12-17.Кривошеева А.В. // Докл. БГУИР. 2016. Vol. 3, № 97. С. 12-17.Kresse G., Furthmüller J. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. P. 11169-11186.Kresse G., Furthmüller J. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. P. 11169-11186.Perdew J.P., Burke K., Ernzerhof M. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 77, P. 3865-3868.Perdew J.P., Burke K., Ernzerhof M. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 77, P. 3865-3868.Ceperley D.M., Alder B.J. // Phys. Rev. Lett. 1980. Vol. 45, P. 566-569.Ceperley D.M., Alder B.J. // Phys. Rev. Lett. 1980. Vol. 45, P. 566-569.Klimeš J., Bowler D.R., Michaelides A. // Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83. P.195131 (1-13).Klimeš J., Bowler D.R., Michaelides A. // Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83. P.195131 (1-13).Lezama I.G., Ubaldini A., Longobardi M. et al. // 2D Mater. 2014. Vol. 1. P. 021002 (1-13).Lezama I.G., Ubaldini A., Longobardi M. et al. // 2D Mater. 2014. Vol. 1. P. 021002 (1-13).

The authors declare that there are no conflicts of interest present.