ЭЛЕКТРОНИКА, РАДИОФИЗИКА, РАДИОТЕХНИКА, ИНФОРМАТИКА
Целью данной статьи является анализ методов, подходов, средств технологии распределенных реестров для работы с документами в образовании. Задачами статьи являются анализ проблем с подтверждением достоверности документов об образовании, разработки новых структурных решений с использованием технологии блокчейн, рассмотрение двух моделей, а также оценка возможности их использования для документов об образовании.
Подтверждение документов об образовании осуществляется с использованием государственных реестров, что является сложным и ресурсоемким процессом. В мире наблюдается рост количества поддельных документов, что ставит под сомнение эффективность применяемых современных механизмов. Технология распределенных реестров (блокчейн) является устойчивым технологическим трендом, влияющим на развитие и качество цифровой экономики. Наличие механизма проверки достоверности документов об образовании, устойчивого к злонамеренному манипулированию, является актуальной задачей, выходящей за рамки сферы образования, возможные способы решения которой предложены в данной работе.
В статье приведена краткая характеристика технологии распределенных реестров. Рассмотрен подход применения технологии для подтверждения достоверности документов об образовании, состоящий из двух основных этапов: эмиссия цифрового документа об образовании и проверка. Рассмотрена роль доверенной третьей стороны в процессе эмиссии и проверки. Приводятся модели эмиссии и подтверждения цифрового документа на основе технологии распределенных реестров, которая позволяет устранить ограничения и недостатки существующих подходов, выявлена эффективность подхода на базе предложенных моделей. Сформулированные подходы могут быть применимы в различных социально-экономических сферах и сфере государственного управления для работы с аналогичными документами.
Применение изделий микроэлектроники в условиях космического пространства возможно при обеспечении защиты от специальных внешних воздействующих факторов, в том числе радиационного воздействия. Для цифровых интегральных микросхем, изготовленных по субмикронным КМОП-технологическим процессам, наибольшее влияние оказывают радиационные эффекты, вызванные воздействием тяжелой заряженной частицы. Применение специальных средств проектирования при разработке микросхем двойного назначения, с повышенной устойчивостью к воздействию тяжелых заряженных частиц, позволяет предотвратить возникновение одиночных событий. Таким образом, применение современных программных продуктов приборно- технологического моделирования в микроэлектронике при разработке элементной базы радиационностойких микросхем космического назначения обеспечит сокращение сроков разработки новых изделий, а также позволит модернизировать (повысить эксплуатационные характеристики) уже существующие приборные и схемотехнические решения. В работе представлены результаты моделирования воздействия тяжелой заряженной частицы с величиной линейной передачи энергии, равной 1,81, 10,1, 18,8, 55,0 МэВ·см2/мг, соответствующей ионам азота 15N+4 с энергией E = 1,87 МэВ, аргона 40Ar+12 с энергией E = 372 МэВ, железа 56Fe+15 с энергией E = 523 МэВ, ксенона 131Xe+35 с энергией E = 1217 МэВ, на электрические характеристики приборной структуры n-МОП-транзистора. Показаны зависимости максимального тока стока IС от траектории движения тяжелой заряженной частицы и температуры окружающей среды.
КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ
ISSN 2708-0382 (Online)