Для цитирования:

Муравьев В.В., Мищенко В.Н. Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре с использованием графена и нитрида бора. Доклады БГУИР. 2020;18(7):71-78. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-7-71-78

For citation:

Muravyov V.V., Mishchenka V.N. Simulation of electron transfer processes in a semiconductor structure using graphene and boron nitride. Doklady BGUIR. 2020;18(7):71-78. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-7-71-78