Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Муравьев В.В., Мищенко В.Н. Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре с использованием графена и нитрида бора. Доклады БГУИР. 2020;18(7):71-78. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-7-71-78

For citation:


Muravyov V.V., Mishchenka V.N. Simulation of electron transfer processes in a semiconductor structure using graphene and boron nitride. Doklady BGUIR. 2020;18(7):71-78. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-7-71-78

Просмотров: 66


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)