Для цитирования:

Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р., Шандарович В.Т. Моделирование воздействия тяжелой заряженной частицы на электрические характеристики приборной структуры n-МОП-транзистора. Доклады БГУИР. 2020;18(7):55-62. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-7-55-62

For citation:

Lovshenko I.Yu., Stempitsky V.R., Shandarovich V.T. Modeling the impacts of heavy charged particles on electrical characteristics of n-MOSFET device structure. Doklady BGUIR. 2020;18(7):55-62. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-7-55-62