Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

Моделирование воздействия тяжелой заряженной частицы на электрические характеристики приборной структуры n-МОП-транзистора

https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-7-55-62

Полный текст:

Аннотация

 Применение изделий микроэлектроники в условиях космического пространства возможно при обеспечении защиты от специальных внешних воздействующих факторов, в том числе радиационного воздействия. Для цифровых интегральных микросхем, изготовленных по субмикронным КМОП-технологическим процессам, наибольшее влияние оказывают радиационные эффекты, вызванные воздействием тяжелой заряженной частицы. Применение специальных средств проектирования при разработке микросхем двойного назначения, с повышенной устойчивостью к воздействию тяжелых заряженных частиц, позволяет предотвратить возникновение одиночных событий. Таким образом, применение современных программных продуктов приборно- технологического моделирования в микроэлектронике при разработке элементной базы радиационностойких микросхем космического назначения обеспечит сокращение сроков разработки новых изделий, а также позволит модернизировать (повысить эксплуатационные характеристики) уже существующие приборные и схемотехнические решения. В работе представлены результаты моделирования воздействия тяжелой заряженной частицы с величиной линейной передачи энергии, равной 1,81, 10,1, 18,8, 55,0 МэВ·см2/мг, соответствующей ионам азота 15N+4 с энергией E = 1,87 МэВ, аргона 40Ar+12 с энергией E = 372 МэВ, железа 56Fe+15 с энергией E = 523 МэВ, ксенона 131Xe+35 с энергией E = 1217 МэВ, на электрические характеристики приборной структуры n-МОП-транзистора. Показаны зависимости максимального тока стока IС от траектории движения тяжелой заряженной частицы и температуры окружающей среды.

Об авторах

И. Ю. Ловшенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Россия

Ловшенко Иван Юрьевич, заведующий научно-исследовательской лабораторией «Компьютерное проектирование микро- и наноэлектронных систем» (НИЛ 4.4) НИЧ

220013, г. Минск, ул. П. Бровки, 6,



В. Р. Стемпицкий
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Россия

к.т.н., доцент, заместитель начальника научно-исследовательской части, научный руководитель лаборатории «Компьютерное проектирование микро- и наноэлектронных систем» (НИЛ 4.4) НИЧ

Минск



В. Т. Шандарович
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Россия

аспирант кафедры микро- и наноэлектроники, младший научный сотрудник научно-исследовательской лабораторией «Компьютерное проектирование микро- и наноэлектронных систем» (НИЛ 4.4) НИЧ

Минск



Список литературы

1. Таперо К.И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения.

2. Москва: БИНОМ. Лаборатория знаний; 2012.

3. Чумаков А.И. Действие космической радицации на интегральные схемы. Москва: Радио и связь; 2004.

4. Белоус А.И. Космическая электроника. В 2-х книгах. Москва: Техносфера; 2015.

5. Анашин В.С. Проблемы обеспечения высоких сроков активного существования РЭА спутников связи.

6. Электросвязь. 2009;(4):19-22.


Для цитирования:


Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р., Шандарович В.Т. Моделирование воздействия тяжелой заряженной частицы на электрические характеристики приборной структуры n-МОП-транзистора. Доклады БГУИР. 2020;18(7):55-62. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-7-55-62

For citation:


Lovshenko I.Yu., Stempitsky V.R., Shandarovich V.T. Modeling the impacts of heavy charged particles on electrical characteristics of n-MOSFET device structure. Doklady BGUIR. 2020;18(7):55-62. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-7-55-62

Просмотров: 79


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)