Для цитирования:

Зайцев В.А., Подрябинкин Д.А., Мельникова В.В., Данилюк А.Л. Взаимовлияние электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом в условиях зарядовой неустойчивости. Доклады БГУИР. 2024;22(4):22-29. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-4-22-29

For citation:

Zaitsau U.A., Podryabinkin D.A., Melnikova V.V., Danilyuk A.L. Transistor Structure with a Two-Dimensional Channel Electrophysical Parameters Interrelation Under Conditions of Instability. Doklady BGUIR. 2024;22(4):22-29. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-4-22-29