ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР ИЗ СЛОИСТЫХ ДИХАЛЬКОГЕНИДОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ
Аннотация
Методами из первых принципов проведено компьютерное моделирование электронных спектров гетероструктур, сформированных из отдельных слоев двумерных кристаллов MoS2, WS2, WSe2 и MoSe2. Предложены два варианта взаимного расположения слоев. Исследована модификация свойств таких гетероструктур в зависимости от наличия в них примесей и дефектов.
Об авторах
А. В. Кривошеева
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
В. Л. Шапошников
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
А. Ю. Алексеев
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Radisavljevic B., Radenovic, Brivio J. et al. // Nature Nanotechnology. 2011. Vol. 6. P. 147-150.
2. Radisavljevic B., Whitwick M.B., Kis A. // ACS Nano. 2011. Vol. 5. P. 9934-9938.
3. Yin Z., Li H., Li H. et al. // ACS Nano. 2012. Vol. 6. P. 74-80.
4. Zhang Y., Ye J., Matsuhashi Y. et al. // Nano Lett. 2012. Vol. 12. P. 1136-1140.
5. Wang H., Yu L., Lee Y.-H. et al. // Nano Lett. 2012. Vol. 12. P. 4674-4680.
6. Popov I., Seifert G., Tománek D. // Phys. Rev. Lett. 2012. Vol. 108. P. 156802 (1-5).
7. Qiu H., Pan L., Yao Z. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. Vol. 100. P. 123104 (1-3).
8. Novoselov K.S., Jiang D., Schedin F. et al. // Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2005. Vol. 102, P. 10451-10453.
9. Gmelin Handbook of Inorganic and Organometallic Chemistry / Springer-Verlag, Berlin, 1995. 8th ed. Vol. B7.
10. Su X., Ju W., Zhang R. et al. // RSC Adv. 2016. Vol. 6. P. 18319-18325.
11. Mak K.F., Lee Ch., Hone J. et al. // Phys. Rev. Lett. 2010. Vol. 105. P. 136805 (1-4).
12. Terrones H., López-Urías F., Terrones M. // Scientific Reports. 2013. Vol. 3. P. 1549 (1 p).
13. Liu H. F., Wong S. L., Chi D. Z. // Chemical Vapor Deposition. 2015. Vol. 21, № 10-11-12. P. 241-259.
14. Ceperley D.M., Alder B.J. // Phys. Rev. Lett. 1980. Vol. 45. P. 566-569.
15. Kresse G., Furthmüller J. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. P. 11169-11186.
16. Krivosheeva A.V. // Proceedings of International Conference Nanomeeting-2015. In: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, ed. by V.E. Borisenko, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin. World Scientific, Singapore. 2015. P. 161-168.
17. Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // J. Semiconductors. 2015. Vol. 36 (12). P. 122002.
Рецензия
Для цитирования:
Кривошеева А.В., Шапошников В.Л., Алексеев А.Ю. ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР ИЗ СЛОИСТЫХ ДИХАЛЬКОГЕНИДОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ. Доклады БГУИР. 2016;(8):76-81.
For citation:
Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Alexeev A.Yu. THE INFLUENCE OF DEFECTS ON THE ELECTRONIC PROPERTIES OF STRUCTURES OF LAYERED DICHALCOGENIDES OF REFRACTORY METALS. Doklady BGUIR. 2016;(8):76-81. (In Russ.)
Просмотров: 3158
Послать статью по эл. почте 