Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР ИЗ СЛОИСТЫХ ДИХАЛЬКОГЕНИДОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ

Полный текст:

Аннотация

Методами из первых принципов проведено компьютерное моделирование электронных спектров гетероструктур, сформированных из отдельных слоев двумерных кристаллов MoS2, WS2, WSe2 и MoSe2. Предложены два варианта взаимного расположения слоев. Исследована модификация свойств таких гетероструктур в зависимости от наличия в них примесей и дефектов.

Об авторах

А. В. Кривошеева
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


В. Л. Шапошников
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


А. Ю. Алексеев
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


Список литературы

1. Radisavljevic B., Radenovic, Brivio J. et al. // Nature Nanotechnology. 2011. Vol. 6. P. 147-150.

2. Radisavljevic B., Whitwick M.B., Kis A. // ACS Nano. 2011. Vol. 5. P. 9934-9938.

3. Yin Z., Li H., Li H. et al. // ACS Nano. 2012. Vol. 6. P. 74-80.

4. Zhang Y., Ye J., Matsuhashi Y. et al. // Nano Lett. 2012. Vol. 12. P. 1136-1140.

5. Wang H., Yu L., Lee Y.-H. et al. // Nano Lett. 2012. Vol. 12. P. 4674-4680.

6. Popov I., Seifert G., Tománek D. // Phys. Rev. Lett. 2012. Vol. 108. P. 156802 (1-5).

7. Qiu H., Pan L., Yao Z. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. Vol. 100. P. 123104 (1-3).

8. Novoselov K.S., Jiang D., Schedin F. et al. // Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2005. Vol. 102, P. 10451-10453.

9. Gmelin Handbook of Inorganic and Organometallic Chemistry / Springer-Verlag, Berlin, 1995. 8th ed. Vol. B7.

10. Su X., Ju W., Zhang R. et al. // RSC Adv. 2016. Vol. 6. P. 18319-18325.

11. Mak K.F., Lee Ch., Hone J. et al. // Phys. Rev. Lett. 2010. Vol. 105. P. 136805 (1-4).

12. Terrones H., López-Urías F., Terrones M. // Scientific Reports. 2013. Vol. 3. P. 1549 (1 p).

13. Liu H. F., Wong S. L., Chi D. Z. // Chemical Vapor Deposition. 2015. Vol. 21, № 10-11-12. P. 241-259.

14. Ceperley D.M., Alder B.J. // Phys. Rev. Lett. 1980. Vol. 45. P. 566-569.

15. Kresse G., Furthmüller J. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. P. 11169-11186.

16. Krivosheeva A.V. // Proceedings of International Conference Nanomeeting-2015. In: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, ed. by V.E. Borisenko, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin. World Scientific, Singapore. 2015. P. 161-168.

17. Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // J. Semiconductors. 2015. Vol. 36 (12). P. 122002.


Для цитирования:


Кривошеева А.В., Шапошников В.Л., Алексеев А.Ю. ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР ИЗ СЛОИСТЫХ ДИХАЛЬКОГЕНИДОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ. Доклады БГУИР. 2016;(8):76-81.

For citation:


Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Alexeev A.Y. THE INFLUENCE OF DEFECTS ON THE ELECTRONIC PROPERTIES OF STRUCTURES OF LAYERED DICHALCOGENIDES OF REFRACTORY METALS. Doklady BGUIR. 2016;(8):76-81. (In Russ.)

Просмотров: 23


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)