bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-820Research ArticleСтатьиВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР ИЗ СЛОИСТЫХ ДИХАЛЬКОГЕНИДОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВTHE INFLUENCE OF DEFECTS ON THE ELECTRONIC PROPERTIES OF STRUCTURES OF LAYERED DICHALCOGENIDES OF REFRACTORY METALSКривошееваА. В.KrivosheevaA. V.noemail@neicon.ruШапошниковВ. Л.ShaposhnikovV. L.noemail@neicon.ruАлексеевА. Ю.AlexeevA. Yu.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201603062019087681Copyright © Кривошеева А.В., Шапошников В.Л., Алексеев А.Ю., 20192019Кривошеева А.В., Шапошников В.Л., Алексеев А.Ю.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Alexeev A.Y.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/820

Методами из первых принципов проведено компьютерное моделирование электронных спектров гетероструктур, сформированных из отдельных слоев двумерных кристаллов MoS2, WS2, WSe2 и MoSe2. Предложены два варианта взаимного расположения слоев. Исследована модификация свойств таких гетероструктур в зависимости от наличия в них примесей и дефектов.

Computer modeling of the electronic structure of heterostructures made of individual layers of two-dimensional crystals of MoS2, WS2, WSe2 and MoSe2 is performed by means of first-principles methods. Two variants of the mutual arrangement of the layers of two-dimensional crystals are suggested. Properties of such heterostructures in the presence of impurities and defects are investigated.

двумерные кристаллыдихалькогениды тугоплавких металловэлектронная структурапримесь замещениявакансияtwo-dimensional crystalsdichalcogenides of refractory metalselectronic structuresubstitutional impurityvacancyReferencesRadisavljevic B., Radenovic, Brivio J. et al. // Nature Nanotechnology. 2011. Vol. 6. P. 147-150.Radisavljevic B., Radenovic, Brivio J. et al. // Nature Nanotechnology. 2011. Vol. 6. P. 147-150.Radisavljevic B., Whitwick M.B., Kis A. // ACS Nano. 2011. Vol. 5. P. 9934-9938.Radisavljevic B., Whitwick M.B., Kis A. // ACS Nano. 2011. Vol. 5. P. 9934-9938.Yin Z., Li H., Li H. et al. // ACS Nano. 2012. Vol. 6. P. 74-80.Yin Z., Li H., Li H. et al. // ACS Nano. 2012. Vol. 6. P. 74-80.Zhang Y., Ye J., Matsuhashi Y. et al. // Nano Lett. 2012. Vol. 12. P. 1136-1140.Zhang Y., Ye J., Matsuhashi Y. et al. // Nano Lett. 2012. Vol. 12. P. 1136-1140.Wang H., Yu L., Lee Y.-H. et al. // Nano Lett. 2012. Vol. 12. P. 4674-4680.Wang H., Yu L., Lee Y.-H. et al. // Nano Lett. 2012. Vol. 12. P. 4674-4680.Popov I., Seifert G., Tománek D. // Phys. Rev. Lett. 2012. Vol. 108. P. 156802 (1-5).Popov I., Seifert G., Tománek D. // Phys. Rev. Lett. 2012. Vol. 108. P. 156802 (1-5).Qiu H., Pan L., Yao Z. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. Vol. 100. P. 123104 (1-3).Qiu H., Pan L., Yao Z. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. Vol. 100. P. 123104 (1-3).Novoselov K.S., Jiang D., Schedin F. et al. // Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2005. Vol. 102, P. 10451-10453.Novoselov K.S., Jiang D., Schedin F. et al. // Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2005. Vol. 102, P. 10451-10453.Gmelin Handbook of Inorganic and Organometallic Chemistry / Springer-Verlag, Berlin, 1995. 8th ed. Vol. B7.Gmelin Handbook of Inorganic and Organometallic Chemistry / Springer-Verlag, Berlin, 1995. 8th ed. Vol. B7.Su X., Ju W., Zhang R. et al. // RSC Adv. 2016. Vol. 6. P. 18319-18325.Su X., Ju W., Zhang R. et al. // RSC Adv. 2016. Vol. 6. P. 18319-18325.Mak K.F., Lee Ch., Hone J. et al. // Phys. Rev. Lett. 2010. Vol. 105. P. 136805 (1-4).Mak K.F., Lee Ch., Hone J. et al. // Phys. Rev. Lett. 2010. Vol. 105. P. 136805 (1-4).Terrones H., López-Urías F., Terrones M. // Scientific Reports. 2013. Vol. 3. P. 1549 (1 p).Terrones H., López-Urías F., Terrones M. // Scientific Reports. 2013. Vol. 3. P. 1549 (1 p).Liu H. F., Wong S. L., Chi D. Z. // Chemical Vapor Deposition. 2015. Vol. 21, № 10-11-12. P. 241-259.Liu H. F., Wong S. L., Chi D. Z. // Chemical Vapor Deposition. 2015. Vol. 21, № 10-11-12. P. 241-259.Ceperley D.M., Alder B.J. // Phys. Rev. Lett. 1980. Vol. 45. P. 566-569.Ceperley D.M., Alder B.J. // Phys. Rev. Lett. 1980. Vol. 45. P. 566-569.Kresse G., Furthmüller J. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. P. 11169-11186.Kresse G., Furthmüller J. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. P. 11169-11186.Krivosheeva A.V. // Proceedings of International Conference Nanomeeting-2015. In: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, ed. by V.E. Borisenko, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin. World Scientific, Singapore. 2015. P. 161-168.Krivosheeva A.V. // Proceedings of International Conference Nanomeeting-2015. In: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, ed. by V.E. Borisenko, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin. World Scientific, Singapore. 2015. P. 161-168.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // J. Semiconductors. 2015. Vol. 36 (12). P. 122002.Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. et al. // J. Semiconductors. 2015. Vol. 36 (12). P. 122002.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.