Preview

Войти

Регистрация нового пользователя Забыли Ваш пароль?

Доклады БГУИР

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:

Данилюк А.Л., Трафименко А.Г., Федотов А.К., Прищепа С.Л. Делокализация электронных состояний В n-Si при низких температурах. Доклады БГУИР. 2020;18(3):28-35. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-3-28-35

For citation:

Danilyuk A.L., Trafimenko A.G., Fedotov A.K., Prischepa S.L. Delocalization of electron states in n-Si at low temperatures. Doklady BGUIR. 2020;18(3):28-35. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-3-28-35

Просмотров: 632


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)

ул. П. Бровки, 6, к. 326, г. Минск, 220013, Республика Беларусь
Учреждение образования
«Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники»
тел. +375-17-293-88-41
e-mail: doklady@bsuir.by

создано и поддерживается NEICON
(лаборатория Ejournal )