Для цитирования:

Пилипенко В.А., Омельченко А.А. Механизм формирования фиксированного заряда в слое SiO₂, полученном термическим окислением кремния. Доклады БГУИР. 2023;21(4):28-32. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2023-21-4-28-32

For citation:

Pilipenka U.A., Amelchanka H.A. Model of the Formation of a Fixed Charge in SiO₂, Produced by Thermal Oxidation of Silicon. Doklady BGUIR. 2023;21(4):28-32. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2023-21-4-28-32