ОПТИМИЗАЦИЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ И ВЕРИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОП-ТРАНЗИСТОРА С 0,35 МКМ ПРОЕКТНЫМИ НОРМАМИ
Аннотация
Представлено описание оригинального комплексного подхода к решению задачи статистического анализа в процессе сквозного проектирования изделий микроэлектроники от этапа проектирования технологического процесса до проектирования системы. Описано тестирование данной методики на примере исследования влияния разброса технологических параметров на конструктивные и электрические характеристики 0,35 мкм МОП-транзистора, а также на характеристики аналоговых и цифровых схемотехнических решений на его основе.
Ключевые слова
интегральная микросхема,
МОП-транзистор,
оптимизация,
экстракция,
статистический анализ,
моделирование,
прибор,
схема,
система
Об авторах
Т. Ч. Чан
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
В. Р. Стемпицкий
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
С. А. Сорока
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Krasikov M., Nelayev V., Stempitsky V. et. al. // Proc. of the SPIE. 2009. Vol. 7377-40.
2. Maly W., and Strojwas. // IEEE Trans. Computer-Aided Design. 1982. Vol. 1, № 2. P. 120-131.
3. Кулешов А.А., Малышев В.С., Нелаев В.В. и др. // Микроэлектроника. 2003. Т. 32. № 31. С. 47-61.
4. ,35 µm CMOS Electrical Specification, Technology Specification // Fraunhofer Institute Silicon Technology, Mar. 2007. 0,35 µm CMOS Basic flow chart, Technology Specification // Fraunhofer Institute Silicon Technology, Feb. 2007.
5. Chenming Hu and Yuhua Cheng. MOSFET modeling & BSIM3 User’s Guide. New York, 1999.
Рецензия
Для цитирования:
Чан Т.Ч., Стемпицкий В.Р., Сорока С.А. ОПТИМИЗАЦИЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ И ВЕРИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОП-ТРАНЗИСТОРА С 0,35 МКМ ПРОЕКТНЫМИ НОРМАМИ. Доклады БГУИР. 2015;(3):83-89.
For citation:
Tran T.T., Stempitsky V.R., Soroka S.A. Optimization of technological parameters And Verification of Electrical Characteristics OF THE 0.35 μm MOSFET. Doklady BGUIR. 2015;(3):83-89. (In Russ.)
Просмотров: 345
Послать статью по эл. почте 