bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-496Research ArticleСтатьиОПТИМИЗАЦИЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ И ВЕРИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОП-ТРАНЗИСТОРА С 0,35 МКМ ПРОЕКТНЫМИ НОРМАМИOptimization of technological parameters And Verification of Electrical Characteristics OF THE 0.35 μm MOSFETЧанТ. Ч.TranT. T.noemail@neicon.ruСтемпицкийВ. Р.StempitskyV. R.noemail@neicon.ruСорокаС. А.SorokaS. A.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201503062019038389Copyright © Чан Т.Ч., Стемпицкий В.Р., Сорока С.А., 20192019Чан Т.Ч., Стемпицкий В.Р., Сорока С.А.Tran T.T., Stempitsky V.R., Soroka S.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/496

Представлено описание оригинального комплексного подхода к решению задачи статистического анализа в процессе сквозного проектирования изделий микроэлектроники от этапа проектирования технологического процесса до проектирования системы. Описано тестирование данной методики на примере исследования влияния разброса технологических параметров на конструктивные и электрические характеристики 0,35 мкм МОП-транзистора, а также на характеристики аналоговых и цифровых схемотехнических решений на его основе.

The description of the original integrated approach to solving the problem of statistical analysis in microelectronic products design process from the design of the technological routine to the system design. Testing of this methodology is described by investigating the influence of process parameters on dispersion structural and electrical characteristics of 0.35 micron MOS transistor, and the characteristics of the analog and digital circuit solutions.

интегральная микросхемаМОП-транзистороптимизацияэкстракциястатистический анализмоделированиеприборсхемасистема035 мкм технологияReferencesKrasikov M., Nelayev V., Stempitsky V. et. al. // Proc. of the SPIE. 2009. Vol. 7377-40.Krasikov M., Nelayev V., Stempitsky V. et. al. // Proc. of the SPIE. 2009. Vol. 7377-40.Maly W., and Strojwas. // IEEE Trans. Computer-Aided Design. 1982. Vol. 1, № 2. P. 120-131.Maly W., and Strojwas. // IEEE Trans. Computer-Aided Design. 1982. Vol. 1, № 2. P. 120-131.Кулешов А.А., Малышев В.С., Нелаев В.В. и др. // Микроэлектроника. 2003. Т. 32. № 31. С. 47-61.Кулешов А.А., Малышев В.С., Нелаев В.В. и др. // Микроэлектроника. 2003. Т. 32. № 31. С. 47-61.,35 µm CMOS Electrical Specification, Technology Specification // Fraunhofer Institute Silicon Technology, Mar. 2007. 0,35 µm CMOS Basic flow chart, Technology Specification // Fraunhofer Institute Silicon Technology, Feb. 2007.,35 µm CMOS Electrical Specification, Technology Specification // Fraunhofer Institute Silicon Technology, Mar. 2007. 0,35 µm CMOS Basic flow chart, Technology Specification // Fraunhofer Institute Silicon Technology, Feb. 2007.Chenming Hu and Yuhua Cheng. MOSFET modeling & BSIM3 User’s Guide. New York, 1999.Chenming Hu and Yuhua Cheng. MOSFET modeling & BSIM3 User’s Guide. New York, 1999.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.