Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

МЕТОДИКА МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ ОБЪЕМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ

Полный текст:

Аннотация

Проведен анализ современных методов моделирования фундаментальных электронных свойств объемных полупроводников на основе теории функционала электронной плотности и предложена методика, учитывающая особенности полупроводниковых соединений. Описана последовательность действий по созданию модели исследуемого объекта и оценки ее адекватности. В качестве примера дано сравнение результатов расчетов электронных спектров и оптических функций MoS2, полученных в рамках различных функционалов. Установлены параметры расчетов, дающие приемлемое описание свойств исследуемого материала в рамках представленной методики.

Об авторах

А. В. Кривошеева
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроник
Беларусь


В. Л. Шапошников
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроник
Беларусь


В. Е. Борисенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроник
Беларусь


Список литературы

1. Thomas L.H. The calculation of atomic fields // Mathematical Proceedings of the Cambridge Philosophical Society. 1927. Vol. 23, № 05. P. 542-548.

2. Fermi E. Statistical method of investigating electrons in atoms // Z. Phys. 1928. Vol. 48. P.73-79.

3. Slater J.C. A Generalized Self-Consistent Field Method // Phys. Rev. 1953. Vol. 91. P. 528-530.

4. Evarestov R.A. Theoretical Modeling of Inorganic Nanostructures: Symmetry and ab-initio Calculations of Nanolayers, Nanotubes and Nanowires. Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2015.

5. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников. М.: Мир, 1990. 488 c.

6. Improving the efficiency of FP-LAPW calculations / M. Petersen [et al.] // Comp. Phys. Commun. 2000. Vol. 126, № 3. P. 294-309.

7. Kresse G., Furthmüller J. Efficient interactive schemes for ab initio total-energy calculations using a plane-wave basis set // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. P. 11169-11186.

8. Perdew J.P., Burke K., Ernzerhof M. Generalized Gradient Approximation Made Simple // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 77. P. 3865-3868.

9. Van der Waals density functionals applied to solids / J. Klimeš [et al.] // Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83. P. 195131 (1-13).

10. Electronic structure of MoSe2, MoS2, and WSe2. I. Band-structure calculations and photoelectron spectroscopy / R. Coehoorn [et al.] // Phys. Rev. B. 1987. Vol. 35. P. 6195-6202.

11. Bromley R.A., Murray R.B., Yoffe A.D. The band structures of some transition metal dichalcogenides. III. Group VIA: trigonal prism materials J. Phys. 1972. C 5. P. 759.

12. Gmelin Handbook of Inorganic and Organometallic Chemistry. Springer-Verlag, Berlin, 1995. Vol. B7.

13. Kadantsev E.S., Hawrylak P. Electronic structure of a single MoS2 monolayer // Sol. State Commun. 2012. Vol. 152. P. 909-913.

14. Adsorption and Diffusion of Lithium on MoS2 Monolayer: The Role of Strain and Concentration / H.J. Chen [et al.] // Int. J. Electrochem. Sci. 2013. Vol. 8. P. 2196-2203.

15. Ab initio modeling of the structural, electronic and optical properties of AIIBIVCV2 semiconductors V.L. Shaposhnikov [et al.] // Phys. Rev. B. 2012. Vol. 85. P. 205201 (1-9).

16. Structural, electronic and optical properties of II-IV-N2 compounds (II = Be, Zn; IV = Si, Ge) V.L. Shaposhnikov [et al.] // Phys. Stat. Sol. (b). 2008. Vol. 245. № 1. P. 142-148.

17. Полупроводниковые свойства CrSi2 c деформированной решеткой / А.В. Кривошеева [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37, № 4. С. 402-407.

18. Electronic and magnetic properties of Mn-doped BeSiAs2 and BeGeAs2 compounds / A.V. Krivosheeva [et al.] // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. Vol. 21. P. 045507 (6 pp).

19. Magnetic properties of semiconducting chalcopyrites / A.V. Krivosheeva [et al.] // Physica Status Solidi (b). 2014. № 251 (5). P. 1007-1019.

20. Electronic and dynamical properties of bulk and layered MoS2 / A.V. Krivosheeva [et al.] // Доклады БГУИР. 2014. № 5 (83). С. 34-37.

21. Krivosheeva A.V. Possibilities of band gap engineering in two-dimensional hexagonal dichalcogenides // Proceedings of International Conference Nanomeeting-2015. In: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Singapore, 2015. P. 161-168.

22. Band gap modifications of two-dimensional defected MoS2 / A.V. Krivosheeva [et al.] // Int. J. Nanotechnol. 2015. Vol. 12, № 8-9. P. 654-662.

23. Theoretical study of defect impact on two-dimensional MoS2 / A.V. Krivosheeva [et al.] // J. Semiconductors. 2015. Vol. 36 (12). P. 122002 (6 pp).


Для цитирования:


Кривошеева А.В., Шапошников В.Л., Борисенко В.Е. МЕТОДИКА МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ ОБЪЕМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ. Доклады БГУИР. 2017;(4):70-76.

For citation:


Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. The methodology of modeling of electronic properties of bulk semiconductor compounds. Doklady BGUIR. 2017;(4):70-76. (In Russ.)

Просмотров: 43


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)