Для цитирования:

Яцыно Д.А., Мигас Д.Б., Арситов Я.С., Филонов А.Б., Колосницын Б.С. ВЛИЯНИЕ МОРФОЛОГИИ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА <111>-ОРИЕНТИРОВАННЫХ GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP и InSb НАНОШНУРОВ. Доклады БГУИР. 2015;(3):77-82.

For citation:

Yatsyna D.A., Migas D.B., Arsitov Ya.S., Filonov A.B., Kolosnitsyn B.S. EFFECT OF MORPHOLOGY ON ELECTRONIC PROPERTIES OF THE <111> -ORIENTED GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP AND InSb NANOWIRES. Doklady BGUIR. 2015;(3):77-82. (In Russ.)