Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ДИОДОВ ШОТТКИ С МОП КАНАВОЧНОЙ СТРУКТУРОЙ

Полный текст:

Аннотация

Проведено 2D-моделирование и экспериментальное исследование усовершенствованной конструкции и технологии изготовления диодов Шоттки с металл-окисел-полупроводник (МОП) канавочной структурой на кремнии, позволивших упростить технологический процесс на одну фотолитографию и улучшить параметры диодов.

Об авторах

В. С. Котов
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


Н. Ф. Голубев
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


В. Е. Борисенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


Список литературы

1. Max Chen, Henry Kuo, Sweetman Kim // Power Electronics Technology. 2006. P.22-32.

2. Davide Chiola, Marina del Rey. Recessed termination for trench Schottky device without junction curvature / Патент США №7466005 B2

3. Н. Голубев, В. Токарев, С. Шпаковский // Силовая электроника. 2005. №3. С. 30-33


Для цитирования:


Котов В.С., Голубев Н.Ф., Борисенко В.Е. КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ДИОДОВ ШОТТКИ С МОП КАНАВОЧНОЙ СТРУКТУРОЙ. Доклады БГУИР. 2013;(5):12-16.

For citation:


Kotov V.S., Golubev N.F., Borisenko V.E. STRUCTURE AND techological improvments of tmbs diodes. Doklady BGUIR. 2013;(5):12-16. (In Russ.)

Просмотров: 49


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)