НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ПЛАЗМА МАГНЕТРОННОГО РАЗРЯДА
Аннотация
Ключевые слова
Об авторах
И. Ш. НевлюдовУкраина
д.т.н., профессор, заведующий кафедрой компьютерно-интегрированных технологий, автоматизации и мехатроники
В. Н. Гурин
Украина
д.т.н., проф., профессор кафедры компьютерно-интегрированных технологий, автоматизации и мехатроники
Д. В. Гурин
Украина
Гурин Дмитрий Валерьевич - аспирант кафедры компьютерно-интегрированных технологий, автоматизации и мехатроники
61166, Украина, Харьков, пр. Науки, 14
тел. +38-057-702-14-86
К. Л. Хрусталев
Украина
к.т.н., старший преподаватель кафедры компьютерно-интегрированных технологий, автоматизации и мехатроники
Список литературы
1. Достанко А.П. Технологические процессы и системы в микроэлектронике: плазменные, электронно-ионно-лучевые, ультразвуковые. Минск: Бестпринт, 2009. 199 с.
2. Гурін Д.В. Аналіз методів отримання наноструктурованих діелектричних плівок // Технология приборосроения. 2016. Вып. 3. 7 с.
3. Taccogna F., Dilecce G. Non-equilibrium in low-temperature plasmas // Eur. Phys. J. D (2016) 70: 251. https://doi.org/10.1140/epjd/e2016-70474-0.
4. Huges H.L., Baxter R.D., Phillips B. Dependence of MOS device radiation sensitivity on impurities // IEEE. 1972. № 5–19. P. 256–263.
5. Гольдфарб В.М. Оптическое излучение / Очерки физики и химии низкотемпературной плазмы. М.: Наука, 1971. С. 169–233.
6. Рогов А.В., Бурмакинский И.Ю. Исследование магнетронного разряда постоянного тока методом подвижного сеточного анода // Журнал технической физики. 2004. Т. 74, вып. 4. С. 27–30.
7. Гурин В.Н. Влияние проникающей плазмы на свойства диэлектрика и границы раздела полупроводникдиэлектрик при реактивном катодном распылении // Радиоэлектроника и информатика. 2001. № 4 (17). С. 29–32.
Рецензия
Для цитирования:
Невлюдов И.Ш., Гурин В.Н., Гурин Д.В., Хрусталев К.Л. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ПЛАЗМА МАГНЕТРОННОГО РАЗРЯДА. Доклады БГУИР. 2018;(8):93-100.
For citation:
Nevliudov I.Sh., Gurin D.V., Gurin V.N., Khrustalev K.L. Low-temperature plasma magnetron discharge. Doklady BGUIR. 2018;(8):93-100. (In Russ.)